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公开(公告)号:CN118867060A
公开(公告)日:2024-10-29
申请号:CN202411346077.4
申请日:2024-09-26
申请人: 眉山琏升光伏科技有限公司
IPC分类号: H01L31/20 , H01L31/0216
摘要: 本发明涉及太阳能电池技术领域,具体涉及一种用于异质结太阳能电池高性能钝化膜及其制备方法,包括以下步骤:在制绒后的硅基底上依次沉积五层硅基薄膜和氢处理层,所述五层硅基薄膜依次为界面防外延层、过渡层、宽带隙过渡层、宽带隙致密层和致密阻挡层。发明钝化膜中多层设置和厚度配比可以保证电池端串联电阻及填充因子的稳定。
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公开(公告)号:CN117690999A
公开(公告)日:2024-03-12
申请号:CN202410035237.7
申请日:2024-01-10
申请人: 眉山琏升光伏科技有限公司
IPC分类号: H01L31/18 , H01L31/20 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0747
摘要: 本发明公开了一种异质结电池及其制造方法,所述异质结电池包括硅片,正面从内到外的本征非晶硅膜、P型非晶硅膜和TCO膜以及金属电极;背面从内到外的第一钝化膜、第二钝化膜和金属膜。一种异质结电池的制造方法为,通过PECVD镀膜在硅片背面依次镀第一钝化膜和第二钝化膜,在正面镀I/P膜;激光背面开槽,在第一钝化膜和第二钝化膜上通过激光开槽,通过PVD镀膜在背面镀金属膜,在正面镀TCO膜。所述金属膜延伸至所述槽内。通过本申请的制造方法制造出的异质结电池其电性能与传统工艺制备的电池电性能基本一致,但本申请镀金属膜的成本仅为传统镀TCO膜的1/13,大大节省了异质结电池的制造成本。
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公开(公告)号:CN116936672A
公开(公告)日:2023-10-24
申请号:CN202310696011.7
申请日:2023-06-13
申请人: 眉山琏升光伏科技有限公司
IPC分类号: H01L31/18 , C23C14/56 , C23C14/35 , H01L31/20 , H01L31/0747
摘要: 本发明公开了一种减少HJT非微晶硅损伤的PVD首层镀膜系统及方法:包括第一端面镀膜腔组和第二端面镀膜腔组,所述第一端面镀膜腔组和第二端面镀膜腔组依次连接,所述第一端面镀膜腔组包括第一端面首层镀膜腔和多个第一端面次级镀膜腔;所述第二端面镀膜腔组包括第二端面首层镀膜腔和多个第二端面次级镀膜腔,所述第二端面首层镀膜腔与最后一级第一端面次级镀膜腔连接;在第一端面首层镀膜腔和第二端面首层镀膜腔中采用强磁匹配的低功率阴极对电池片的端面进行镀膜;本方案在未改变整体工艺流程的情况下,提升了电池片的效率。
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公开(公告)号:CN116885020A
公开(公告)日:2023-10-13
申请号:CN202310762421.7
申请日:2023-06-26
申请人: 眉山琏升光伏科技有限公司
IPC分类号: H01L31/0224 , H01L31/18
摘要: 本发明涉及电池片技术领域,具体公开了一种减少接触电阻的异质结丝网印刷方法,具体包括以下步骤:步骤S1:对制绒清洗后的电池片的正面和背面分别依次镀非/微晶膜层和TCO膜层;步骤S2:对电池片背面的TCO膜层上准备印刷主栅和细栅的位置进行退火处理;步骤S3:对电池背面进行主栅、细栅印刷;步骤S4:电池片翻面,对电池正面的TCO膜层上准备印刷主栅和细栅的位置进行退火处理;步骤S5:对电池正面进行主栅、细栅印刷;步骤S6:固化箱固化。本发明将有效的降低双面TCO膜层的方阻,减少TCO膜层与丝网浆料的接触电阻,从而降低电池片的串阻,提升了填充因,提升异质结电池片的制备效率。
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公开(公告)号:CN116646429A
公开(公告)日:2023-08-25
申请号:CN202310623520.7
申请日:2023-05-30
申请人: 眉山琏升光伏科技有限公司
IPC分类号: H01L31/20 , H01L31/0376
摘要: 本发明公开了一种二氧化碳梯度分层掺杂钝化非晶硅方法及太阳能电池,方法包括:提供制绒清洗后的晶体硅衬底,晶体硅衬底包括N面和P面;于晶体硅衬底的N面制备若干本征非晶硅层,各本征非晶硅层内包括掺杂有二氧化碳的本征非晶硅层,并于N面的本征非晶硅层上远离晶体硅衬底的一侧设置N型掺杂非晶硅层;于晶体硅衬底的P面制备若干本征非晶硅层,并于P面的本征非晶硅层上远离晶体硅衬底的一侧设置P型掺杂非晶硅层。本发明采用CO2梯度分层掺杂工艺在保证钝化效果无较大损失的情况下,由于CO2的梯度分层掺入使得电池片非晶硅层的整体禁带宽度得到拓宽,能够吸收更多不同波段的光子,减少光学损失,提升成品电池片的短路电流和转化效率。
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公开(公告)号:CN116864580B
公开(公告)日:2023-12-01
申请号:CN202311134326.9
申请日:2023-09-05
申请人: 眉山琏升光伏科技有限公司
摘要: 本发明涉及太阳能电池制备技术领域,提供了一种制备太阳能电池微晶硅膜层的工艺及设备,制备设备包括放置了太阳能电池片的薄膜制备腔室,连通所述薄膜制备腔室的VHF等离子体管道和RPS等离子体管道,所述薄膜制备腔室内通过第一中部布气管道和第一边缘布气管道与所述RPS等离子体管道连通。制备工艺中使用前述的制备设备进行薄膜制备,在薄膜制备时,使用RPS等离子体管道对镀膜腔室的边缘进行布气,辅助VHF等离子体管道进行薄膜制备,提升了制备的微晶硅膜层的一致性。
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公开(公告)号:CN116968422A
公开(公告)日:2023-10-31
申请号:CN202310944166.8
申请日:2023-07-28
申请人: 眉山琏升光伏科技有限公司
IPC分类号: B41F15/46 , B41M1/12 , H01L31/18 , H01L31/20 , H01L31/0224
摘要: 本发明公开了一种改善窄开口网板印刷性的双刮刀组件及印刷方法,包括用于安装刮刀的刮刀座,所述刮刀包括彼此并列设置的第一刮刀和第二刮刀,所述第一刮刀设置为与电池片平面呈第一夹角α,所述第二刮刀设置为与电池片表面呈第二夹角β,所述第一夹角α的角度小于所述第二夹角β的角度。印刷方法包括清洗制绒、制绒后的电池片镀本征层和非/微晶层、镀TCO薄膜、对双面镀好TCO薄膜的电池片使用如前所述的双刮刀组件进行丝网印刷和测试分选等步骤。本发明可以在窄开口网板设计的情况下优化网孔浆料填充,改善电池片上的图案断线及粗细不均的现象,提升了电池片的良率,降低银的单耗,进而降低电池片生产成本。
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公开(公告)号:CN117199173A
公开(公告)日:2023-12-08
申请号:CN202311036339.2
申请日:2023-08-17
申请人: 眉山琏升光伏科技有限公司
IPC分类号: H01L31/18 , H01L21/304 , H01L21/268 , H01L21/02 , H01L21/306 , H01L31/072 , B23K26/38 , B08B3/12 , B08B3/04 , B08B3/00 , B08B3/10 , B08B3/08
摘要: 本申请公开了一种异质结硅片激光划片倒角边缘缺陷的处理方法,涉及异质结电池技术领域。一种异质结硅片激光划片倒角边缘缺陷的处理方法,其步骤包括硅片切割、超声处理、药剂处理和除杂;其利用激光倒角工艺代替半棒半切工艺,能够提升半片产量;同时解决了激光倒角工艺因激光热融产生硅渣溅射残留,导致倒角区域成品外观不良等问题,能够有效修复因激光热融导致倒角区域的毛刺、微裂纹、不规整的端面,降低碎片率。一种异质结电池,其采用本申请提供的一种异质结硅片激光划片倒角边缘缺陷的处理方法处理得到的硅片产品制备而成,其电性能优异,品质优良,有利于实际生产使用。
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公开(公告)号:CN116864580A
公开(公告)日:2023-10-10
申请号:CN202311134326.9
申请日:2023-09-05
申请人: 眉山琏升光伏科技有限公司
摘要: 本发明涉及太阳能电池制备技术领域,提供了一种制备太阳能电池微晶硅膜层的工艺及设备,制备设备包括放置了太阳能电池片的薄膜制备腔室,连通所述薄膜制备腔室的VHF等离子体管道和RPS等离子体管道,所述薄膜制备腔室内通过第一中部布气管道和第一边缘布气管道与所述RPS等离子体管道连通。制备工艺中使用前述的制备设备进行薄膜制备,在薄膜制备时,使用RPS等离子体管道对镀膜腔室的边缘进行布气,辅助VHF等离子体管道进行薄膜制备,提升了制备的微晶硅膜层的一致性。
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公开(公告)号:CN116798854A
公开(公告)日:2023-09-22
申请号:CN202310672745.1
申请日:2023-06-07
申请人: 眉山琏升光伏科技有限公司
IPC分类号: H01L21/02 , H01L21/306 , H01L31/20 , H01L31/18
摘要: 本发明涉及晶硅电池技术领域,具体涉及一种提升异质结电池转换效率的衬底硅预处理工艺,对预清洗后的硅片进行一次吸杂和一次制绒后进行二次吸杂和二次制绒。针对在PECVD沉积非晶硅薄膜前工序,通过预处理联动整合优化,结合特定工艺参数的实施,在形成绒面前进行预清洗与吸杂,得到首次纯净的衬底硅,实现了传统工艺宏观上对衬底硅表面缺陷态的预处理,其次形成绒面后即形成金字塔绒面后再吸杂,实现微观上对硅片内部以及绒面坑洞上表面缺陷态的预处理,随后再进行去吸杂层与圆化预处理,大幅改善了衬底硅表面的纯净度,为非晶硅的沉积和钝化创造更有利的条件,从而提升了少数载流子的寿命,减少了复合损失,提高了HJT异质结电池的转换效率。
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