公开(公告)号：CN118983365A

公开(公告)日：2024-11-19

申请号：CN202411041213.9

申请日：2024-07-31

申请人： 上海交通大学

发明人： 沈文忠 ,  丁东 ,  李正平 ,  黄环佩

IPC分类号： H01L31/0747 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/20

摘要： 一种THBC太阳电池结构及其制备方法，包括：衬底、依次设置于衬底的前表面一侧的n+前表面场层或p+前漂浮结层、氧化铝钝化层和氢化氮化硅减反射层；依次设置于衬底的背表面一侧的隧穿氧化层、磷掺杂的n+多晶硅层、硼掺杂的p+非晶硅层或者微晶硅层、氢化氮化硅钝化层和金属电极。本发明利用异质结(SHJ)太阳电池具有优越的界面钝化特性，将TBC太阳电池中钝化较差的p+多晶硅替换为p+氢化非晶硅或者p+氢化微晶硅；同时在电池前表面插入前表面场(FSF)或者前漂浮结(FFE)，提高晶硅衬底前表面光生载流子向背面的传输距离，从而显著提高TBC太阳电池背面p+区域界面钝化和载流子传输性能。

公开(公告)号：CN118825103B

公开(公告)日：2024-11-19

申请号：CN202411297183.8

申请日：2024-09-18

申请人： 金阳(泉州)新能源科技有限公司

发明人： 林楷睿

IPC分类号： H01L31/0288 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/18 ,  H01L31/20 ,  H01L31/042

公开(公告)号：CN118073480B

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN202410201846.5

申请日：2024-02-23

申请人： 国电投新能源科技有限公司

发明人： 宿世超 ,  田宏波 ,  王伟 ,  王建强 ,  李世岚

IPC分类号： H01L31/20 ,  H01L31/0747

摘要： 本发明涉及异质结太阳电池的制备技术领域，尤其是涉及背接触异质结太阳电池的制备方法及其装置，包括在硅片背面依次沉积本征非晶硅薄膜、氧化硅薄膜以及硼掺杂硅薄膜；对背面硼掺杂硅薄膜进行烧蚀、清洗；背面沉积硼掺杂硅薄膜，开第二槽后进行清洗，漏出第二槽的本征非晶硅，烘干处理；在第一槽内喷涂掩膜材料后沉积磷掺杂硅薄膜；清洗漏出硼掺杂硅薄膜后再次清洗处理；正面依次沉积本征非晶硅、磷掺杂硅薄膜、氮化硅薄膜以及氮氧化硅薄膜；背面沉积透明导电物薄膜后进行隔离划线，在电池背面印刷导电浆料形成金属电极，本发明将N区和P区完全隔离，杜绝了漏电的可能性，制备出的电池能充分降低表面反射率，大幅度提升转换效率。

公开(公告)号：CN118841473A

公开(公告)日：2024-10-25

申请号：CN202411157768.X

申请日：2024-08-22

申请人： 安徽乾景宇辰新能源有限公司

发明人： 张闻斌 ,  张忠卫 ,  杨均炎 ,  沈文忠 ,  贺礼 ,  李正平

IPC分类号： H01L31/0747 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/20

摘要： 本发明公开了一种晶硅异质结太阳能电池非晶硅钝化层结构及其制备方法，所述非晶硅钝化层结构包括N型硅片，所述N型硅片正面由内向外依次设有：高氢稀释比沉积的i‑a‑Si:H薄膜，低氢稀释比沉积的i‑a‑Si:H薄膜，N型掺杂层，TCO导电膜和电极，所述N型硅片的背面由内向外依次设有：高氢稀释比沉积的i‑a‑Si:H薄膜，低氢稀释比沉积的i‑a‑Si:H薄膜，P型掺杂层，TCO导电膜和电极；所述高氢稀释比沉积时采用流量比6～8:1的H2和SiH4，所述低氢稀释比沉积时采用流量比4～5:1的H2和SiH4。本发明所述的晶硅异质结太阳能电池表现出优异的光伏性能，具有良好的应用前景。

公开(公告)号：CN117423781B

公开(公告)日：2024-10-25

申请号：CN202311619461.2

申请日：2023-11-30

申请人： 天合光能股份有限公司

发明人： 李宏伟 ,  侯承利 ,  段誉 ,  杨广涛 ,  陈达明

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/20 ,  H01L31/0747

摘要： 本发明公开了一种异质结太阳能电池及其制备方法。制备方法包括如下步骤：对硅基底进行清洗制绒处理；在硅基底的两个表面分别制备本征非晶硅层；在正面本征非晶硅层上制备N型掺杂层；在背面本征非晶硅层上制备P型掺杂层；采用RPD设备在P型掺杂层上制备背面含铟TCO种子层，利用PVD设备在背面含铟TCO种子层上制备背面无铟TCO薄膜；利用PVD设备在N型掺杂层上制备正面含铟TCO种子层，并在正面含铟TCO种子层上制备正面无铟TCO薄膜；以及分别制备背面电极、正面电极。本申请可以有效增加RPD与PVD结合设备的正常运行时间以及有效运行时间，增加设备有效产能，降低电池制造成本。

公开(公告)号：CN118800821A

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202411157765.6

申请日：2024-08-22

申请人： 安徽乾景宇辰新能源有限公司

发明人： 张闻斌 ,  张忠卫 ,  杨均炎 ,  沈文忠 ,  李正平 ,  贺礼

IPC分类号： H01L31/0747 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/20

摘要： 本发明公开了一种含有透明导电氧化物层结构的晶硅异质结太阳能电池及其制备方法，所述晶硅异质结太阳能电池包括：n型硅片，所述n型硅片正面由内向外依次设有：本征钝化层、n型掺杂层、氧化铟基TCO缓冲层、无铟TCO层、栅线状氧化铟基TCO层和正面电极，背面由内向外依次设有：本征钝化层、p型掺杂层、氧化铟基TCO缓冲层、无铟TCO层和背面电极。本发明通过在无铟TCO层上增加栅线状氧化铟基TCO层，且栅线状氧化铟基TCO层位于电极下方，能够降低TCO层与电极间的接触电阻率，提升接触性能，增强电学导电性，较好地兼顾了TCO层的电学导电性与透过性，有利于增大电池的有效电流，提高HJT电池的转换效率。

公开(公告)号：CN118763139A

公开(公告)日：2024-10-11

申请号：CN202411239244.5

申请日：2024-09-05

申请人： 隆基绿能科技股份有限公司

发明人： 孙召清 ,  周生厚 ,  唐喜颜 ,  李君君 ,  何秉轩 ,  叶枫 ,  薛朝伟 ,  方亮

IPC分类号： H01L31/0747 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/20

摘要： 本发明涉及一种太阳能电池、制造方法以及光伏组件，该太阳能电池中，硅基底具有第一表面及第二表面，第一表面与第二表面相对设置；在第一表面和第二表面中的至少一个表面设有第一传输层，第一传输层包括多晶硅层；第一传输层的多晶硅层具有第一传输层的非晶硅区域；第一传输层的非晶硅区域位于第一传输层的多晶硅层背离硅基底的至少部分表面；载流子收集层设置在第一传输层上，至少部分载流子收集层与第一传输层的非晶硅区域接触。由于非晶硅区域可以实现更合理的能带匹配，降低接触电阻，使得太阳能电池能够有效地将太阳光转换为电能，提高太阳能电池的光电转化效率。

公开(公告)号：CN118712286A

公开(公告)日：2024-09-27

申请号：CN202410948479.5

申请日：2024-07-16

申请人： 苏州迈为科技股份有限公司

发明人： 董刚强 ,  龚志清 ,  周剑 ,  李强 ,  孙松

IPC分类号： H01L31/20 ,  H01L31/0747

摘要： 本发明提供了一种异质结太阳能电池的制备方法及异质结太阳能电池，涉及太阳能电池制备技术领域。本发明的异质结太阳能电池的制备方法可以包括提供一基底，在基底两侧制备第一钝化层、第一掺杂层、第一透明导电层、第二钝化层、第二掺杂层、第二透明导电层，在第二透明导电层上进行刻蚀形成隔离区，并在第二掺杂层上与隔离区对应位置进行刻蚀，将第一透明导电层和第二透明导电层进行隔离避免电池短路。本发明的隔离区的宽度小于0.3mm，使得该制备方法制备得到的太阳能电池既做到了避免短路，又使得该电池尽可能的减小刻蚀的面积，充分利用基底面积，提高相同基底面积下电池效率。

公开(公告)号：CN118679579A

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202280088030.5

申请日：2022-11-11

申请人： 韩华QCELLS有限公司

发明人： 伯恩哈德·克洛特 ,  米切尔·施莱 ,  恩瑞克·简波斯基

IPC分类号： H01L31/0747 ,  H01L31/18

摘要： 本发明涉及一种太阳能电池，包括:‑具有前侧(11)和后侧(12)以及在前侧(11)和后侧(12)之间延伸的多个边缘(13)的基板(1)、‑位于前侧(11)表面的前侧导电层(2)、‑位于前侧(11)并与前侧导电层(2)电连接的前侧电极(14)、‑位于后侧(12)表面的后侧高掺杂层(7)、‑位于后侧高掺杂层(7)上的隧穿层(4)、‑位于后侧高掺杂层(7)和隧穿层(4)上的后侧导电层(5)、‑位于后侧(12)并与后侧导电层(5)电连接的后侧电极(15)、‑绝缘区段(16)，该绝缘区段(16)邻接于前侧(11)表面和与前侧(11)表面相邻的边缘(13)，该绝缘区段(16)呈现后侧层结构，没有后侧高掺杂层(7)、隧穿层(4)和后侧导电层(5)，从而在结构上隔绝后侧高掺杂层(7)和前侧导电层(2)之间的电接触。此外，本发明还涉及一种用太阳能电池半成品制造太阳能电池的方法，该方法涉及产生绝缘区段(16)的几个蚀刻步骤。

公开(公告)号：CN118678713A

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202410748115.2

申请日：2024-06-11

申请人： 天合光能股份有限公司

发明人： 徐锐

IPC分类号： H10K39/15 ,  H10K30/87 ,  H10K30/40 ,  H10K30/50 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/20 ,  H10K71/00

摘要： 本申请的实施例提供了一种光伏组件及其制备方法、光伏发电设备，涉及太阳能电池技术领域。光伏组件包括异质结电池、钙钛矿电池和增反射膜，其中，异质结电池和钙钛矿电池沿第一方向层叠设置，增反射膜设置于异质结电池的远离钙钛矿电池的一侧。沿第一方向，增反射膜包括层叠设置的第一反射层和第二反射层，第一反射层的折射率与第二反射层的折射率不同。光伏组件可以应用于光伏发电设备中，以将光能转换成电能。