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公开(公告)号：CN118173662B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410293032.9
申请日：2024-03-14
申请人： 国电投新能源科技有限公司
IPC分类号： H01L31/20
摘要： 本发明公开了一种背接触异质结太阳电池的制备方法，具体包括以下步骤：在激光开槽区域涂覆上一层抗碱腐蚀的湿膜材料，采用碱溶液对硅片进行清洗，去除硅片正面的第二本征非晶硅薄膜层和硅片背面未被湿膜材料保护的第二磷掺杂硅基薄膜层和第四本征非晶硅薄膜层；采用酸溶液对硅片进行清洗，去除硅片正面的氮化硅薄膜层和硅片背面的湿膜材料；本发明相比通过激光烧蚀掉未被湿膜材料保护的第二磷掺杂硅基薄膜层和第四本征非晶硅薄膜层，降低了对硼掺杂硅基薄膜层的损伤，避免了激光烧蚀造成本征非晶硅钝化失效的风险，从而降低了对硅片的损伤，提高了电池的转换效率。
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公开(公告)号：CN118173662A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202410293032.9
申请日：2024-03-14
申请人： 国电投新能源科技有限公司
IPC分类号： H01L31/20
摘要： 本发明公开了一种背接触异质结太阳电池的制备方法，具体包括以下步骤：在激光开槽区域涂覆上一层抗碱腐蚀的湿膜材料，采用碱溶液对硅片进行清洗，去除硅片正面的第二本征非晶硅薄膜层和硅片背面未被湿膜材料保护的第二磷掺杂硅基薄膜层和第四本征非晶硅薄膜层；采用酸溶液对硅片进行清洗，去除硅片正面的氮化硅薄膜层和硅片背面的湿膜材料；本发明相比通过激光烧蚀掉未被湿膜材料保护的第二磷掺杂硅基薄膜层和第四本征非晶硅薄膜层，降低了对硼掺杂硅基薄膜层的损伤，避免了激光烧蚀造成本征非晶硅钝化失效的风险，从而降低了对硅片的损伤，提高了电池的转换效率。
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公开(公告)号：CN118073480B
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202410201846.5
申请日：2024-02-23
申请人： 国电投新能源科技有限公司
IPC分类号： H01L31/20 , H01L31/0747
摘要： 本发明涉及异质结太阳电池的制备技术领域，尤其是涉及背接触异质结太阳电池的制备方法及其装置，包括在硅片背面依次沉积本征非晶硅薄膜、氧化硅薄膜以及硼掺杂硅薄膜；对背面硼掺杂硅薄膜进行烧蚀、清洗；背面沉积硼掺杂硅薄膜，开第二槽后进行清洗，漏出第二槽的本征非晶硅，烘干处理；在第一槽内喷涂掩膜材料后沉积磷掺杂硅薄膜；清洗漏出硼掺杂硅薄膜后再次清洗处理；正面依次沉积本征非晶硅、磷掺杂硅薄膜、氮化硅薄膜以及氮氧化硅薄膜；背面沉积透明导电物薄膜后进行隔离划线，在电池背面印刷导电浆料形成金属电极，本发明将N区和P区完全隔离，杜绝了漏电的可能性，制备出的电池能充分降低表面反射率，大幅度提升转换效率。
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公开(公告)号：CN117855345B
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202410242064.6
申请日：2024-03-04
申请人： 国电投新能源科技有限公司
IPC分类号： H01L31/20 , H01L31/0216 , H01L31/0236 , H01L31/0747
摘要： 本申请涉及异质结太阳电池技术领域，具体公开了一种背接触异质结太阳电池的制备方法及异质结太阳电池，包括对硅片衬底的背光面依次沉积第一本征非晶硅层、第一磷掺杂硅层、保护层及第一硼掺杂硅层；对第一硼掺杂硅层烧蚀开设第一沟槽；对硅片依次使用不同酸碱溶液进行清洗；在硅片的背光面依次沉积第二本征非晶硅层及第二硼掺杂硅层；在第一沟槽之间烧蚀开设第二沟槽，并清洗及蚀刻第二沟槽内暴露的保护层；在第四硅片中间体背光面沉积透明导电薄膜层，在第一沟槽与第二沟槽之间进行隔离划线；对划线后的第四硅片中间体的背光面印刷主副栅线，本方法工艺工序简单、图形化的精度高以及不影响本征非晶硅层的钝化效果，提高电池的转换效率。
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公开(公告)号：CN118073480A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410201846.5
申请日：2024-02-23
申请人： 国电投新能源科技有限公司
IPC分类号： H01L31/20 , H01L31/0747
摘要： 本发明涉及异质结太阳电池的制备技术领域，尤其是涉及背接触异质结太阳电池的制备方法及其装置，包括在硅片背面依次沉积本征非晶硅薄膜、氧化硅薄膜以及硼掺杂硅薄膜；对背面硼掺杂硅薄膜进行烧蚀、清洗；背面沉积硼掺杂硅薄膜，开第二槽后进行清洗，漏出第二槽的本征非晶硅，烘干处理；在第一槽内喷涂掩膜材料后沉积磷掺杂硅薄膜；清洗漏出硼掺杂硅薄膜后再次清洗处理；正面依次沉积本征非晶硅、磷掺杂硅薄膜、氮化硅薄膜以及氮氧化硅薄膜；背面沉积透明导电物薄膜后进行隔离划线，在电池背面印刷导电浆料形成金属电极，本发明将N区和P区完全隔离，杜绝了漏电的可能性，制备出的电池能充分降低表面反射率，大幅度提升转换效率。
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公开(公告)号：CN117855345A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202410242064.6
申请日：2024-03-04
申请人： 国电投新能源科技有限公司
IPC分类号： H01L31/20 , H01L31/0216 , H01L31/0236 , H01L31/0747
摘要： 本申请涉及异质结太阳电池技术领域，具体公开了一种背接触异质结太阳电池的制备方法及异质结太阳电池，包括对硅片衬底的背光面依次沉积第一本征非晶硅层、第一磷掺杂硅层、保护层及第一硼掺杂硅层；对第一硼掺杂硅层烧蚀开设第一沟槽；对硅片依次使用不同酸碱溶液进行清洗；在硅片的背光面依次沉积第二本征非晶硅层及第二硼掺杂硅层；在第一沟槽之间烧蚀开设第二沟槽，并清洗及蚀刻第二沟槽内暴露的保护层；在第四硅片中间体背光面沉积透明导电薄膜层，在第一沟槽与第二沟槽之间进行隔离划线；对划线后的第四硅片中间体的背光面印刷主副栅线，本方法工艺工序简单、图形化的精度高以及不影响本征非晶硅层的钝化效果，提高电池的转换效率。
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