公开(公告)号：CN106898664A

公开(公告)日：2017-06-27

申请号：CN201710026074.6

申请日：2017-01-13

申请人： 上海理工大学

发明人： 祝元坤 ,  赵爽 ,  田洪正 ,  王现英 ,  王丁

IPC分类号： H01L31/0392 ,  H01L31/09 ,  H01L31/18

CPC分类号： Y02E10/50 ,  H01L31/03925 ,  H01L31/09 ,  H01L31/1836

摘要： 本发明公开了一种高灵敏度半导体纳米紫外光探测器的制备方法，先制备二维超薄结构单晶ZnO纳米材料；将二维超薄结构单晶ZnO纳米材料从生长衬底转移；将二维超薄结构单晶ZnO纳米材料与有机溶液或去离子水混合；超声分散二维超薄结构单晶ZnO纳米材料的溶液；将所述二维超薄结构单晶ZnO纳米材料溶液涂覆在半导体、绝缘、导电的衬底表面；沿所述二维超薄结构单晶ZnO纳米材料米材料长度方向，两端镀制金属导电电极；利用掩膜版遮挡二维超薄结构单晶ZnO纳米材料，镀制绝缘氧化物覆盖层，形成绝缘氧化物半遮盖或者对称遮盖结构，得到二维超薄结构单晶ZnO纳米紫外光探测器。本发明具有结构简单、体积小、响应快、灵敏度高等特点。

公开(公告)号：CN103681956B

公开(公告)日：2017-06-09

申请号：CN201310388773.7

申请日：2013-08-30

申请人： 通用电气公司

发明人： D.F.富斯特 ,  R.A.加伯 ,  W.K.梅茨格尔 ,  R.舒巴 ,  曹洪波 ,  S.D.菲尔德曼-皮博迪 ,  L.A.克拉克 ,  单英辉

IPC分类号： H01L31/18

CPC分类号： H01L31/1828 ,  H01L21/02052 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/03925 ,  H01L31/073 ,  Y02E10/50 ,  Y02E10/543

摘要： 本发明提供一种用于处理包括半导体材料的半导体层的方法。所述方法包括使所述半导体材料的至少一部分与钝化剂接触。所述方法进一步包括通过将掺杂剂引入所述半导体材料中而在所述半导体层中形成第一区域；以及形成富含硫族元素的区域。所述方法进一步包括在所述半导体层中形成第二区域，所述第二区域包括掺杂剂，其中所述第二区域中掺杂剂的平均原子浓度大于所述第一区域中掺杂剂的平均原子浓度。

公开(公告)号：CN106684181A

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201610105104.8

申请日：2016-02-25

申请人： K·W·布尔

发明人： K·W·布尔

IPC分类号： H01L31/0392 ,  H01L31/073 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/073 ,  H01L21/02557 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/02667 ,  H01L31/02963 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/1828 ,  H01L31/1864 ,  H01L31/1872 ,  Y02E10/541 ,  Y02E10/543 ,  H01L31/03925

摘要： 本发明提供了一种具有层叠结构(10)的p‑型太阳能电池，其中该层叠结构包括背电极(14)、置于背电极(14)上的p‑型半导体吸收层(11)、置于吸收层(11)上的结晶硫化镉层(12)、置于所述层叠结构(10)上与背电极(14)相对的另一侧的前电极(15)。本发明还提供了一种p‑型太阳能电池的制备方法，包括：提供p‑型光敏半导体吸收层(11)；刻蚀吸收层(11)的表面减少结晶的不均匀性和针孔；在吸收层(11)上沉积层厚范围为的硫化镉层(12)；至少对硫化镉层(12)进行加热以使硫化镉层重结晶；以及，在刻蚀后或施加硫化镉层(12)后，选择性地将不同于硫化镉层的含铜层置于吸收层(11)上。

公开(公告)号：CN105229801B

公开(公告)日：2017-03-15

申请号：CN201480008060.6

申请日：2014-02-03

申请人： 第一太阳能有限公司

发明人： 吉斯·特里维迪 ,  瑞克.鲍威尔 ,  丹.米亚诺维奇 ,  郭晶 ,  赵志波 ,  廖峰 ,  奥乐·卡尔彭科 ,  斯瑞尼瓦斯.杰尔瑞曼 ,  林忠维

IPC分类号： H01L31/073 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/065

CPC分类号： H01L31/065 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/03925 ,  H01L31/073 ,  H01L31/1828 ,  H01L31/1864 ,  H01L31/1872 ,  Y02E10/543 ,  Y02P70/521

摘要： 一种光伏器件(100)以及形成该光伏器件的方法，所述光伏器件包括位于窗口层(112)与吸收层(116)之间的保护层(114)，保护层在器件活化步骤过程中抑制窗口层溶入/互混到吸收层。

公开(公告)号：CN106486557A

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201610937244.1

申请日：2016-11-01

申请人： 岭南师范学院

发明人： 袁晓杰 ,  张军 ,  廖峻 ,  邵乐喜

IPC分类号： H01L31/0296 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/0749 ,  C01G11/02

CPC分类号： Y02E10/50 ,  H01L31/0296 ,  C01G11/02 ,  C01P2004/03 ,  H01L31/03925 ,  H01L31/0749

摘要： 本发明涉及半导体光电材料技术领域，提供了一种深紫外光化学水浴沉积制备硫化镉纳米薄膜的方法，将金属源CdSO4、硫源Na2S2O3、含SO32-的硫源释放控制剂及H2SO4溶液混合，得到沉积液，将沉积液的pH值稳定在3.5~4.0，将衬底浸渍于沉积液中，使沉积液液面与衬底的上表面的距离小于1mm，使用LED深紫外光照射，形成硫化镉纳米薄膜。所述方法能够使硫源的释放得到控制，提高了薄膜生长的均匀性。对比一般光化学沉积工艺，该工艺使用的深紫外光源功率小，热效应低，经过光学设计后在固定范围内深紫外光强度均一，能制备出达到铜铟镓硒太阳能电池缓冲层要求的、均匀一致的、与基底紧密接触的高质量纳米硫化镉薄膜。

公开(公告)号：CN103794675B

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201210418424.0

申请日：2012-10-26

申请人： 第一太阳能马来西亚有限公司

发明人： 金益腾 ,  黄群健 ,  林川 ,  费萨尔.艾哈迈德 ,  辛骞骞

IPC分类号： H01L31/18

CPC分类号： H01L21/02551 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02612 ,  H01L31/03925 ,  H01L31/073 ,  H01L31/1828 ,  H02S50/00 ,  H02S50/10 ,  Y02E10/543

摘要： 本发明涉及一种用来在基体上形成一层材料的方法，该方法包括以下步骤：将具有熔点或最小软化温度的半导体多晶或无定形材料的材料源与基体接触；在一个时间段内使所述材料源和基体之间形成一个温度差，其中，所述材料源的温度处于第一温度范围，其平均温度为第一平均温度，所述基体的温度处于第二温度范围，其平均温度为第二平均温度，所述第一平均温度高于所述第二平均温度，且低于所述半导体多晶或无定形材料的熔点或最小软化温度，使得所述材料源上的一部分半导体多晶或无定形材料转移到所述基体上；以及将所述材料源从所述基体上分开，获得一个表面形成有一层所述半导体多晶或无定形材料的基体。

公开(公告)号：CN105874099A

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201480068619.4

申请日：2014-12-19

申请人： 纽升股份有限公司

发明人： B·赫克特曼 ,  P·克洛弗 ,  D·赫拉斯 ,  A·C·沃尔 ,  R·泰勒 ,  G·G·彭

IPC分类号： C23C18/12 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/1876 ,  B05C5/007 ,  B05C11/026 ,  B05C11/1039 ,  C23C18/1204 ,  C23C18/125 ,  H01L31/03925 ,  H01L31/03926 ,  H01L31/1836 ,  H01L31/1884 ,  Y02E10/50

摘要： 提供用于由板条上的流体混合物形成层的方法和系统。所述系统包含用于将所述流体混合物输送到所述板条上的流体输送设备。所述流体输送设备包含级联装置和化学物质分配器装置。所述系统还包含流体搅拌设备，其包括至少一个风扇，所述至少一个风扇定位在所述板条上方且经配置以产生流型，所述流型在形成所述层时搅拌所述板条上的所述流体混合物，而不使所述至少一个风扇接触所述流体混合物。所述系统进一步包含具有冲洗装置和抽吸装置的流体去除设备。所述冲洗装置经配置以将冲洗流体分配到所述板条上。所述抽吸装置经配置以通过抽吸来去除所述冲洗流体和在形成所述层之后所述流体混合物的剩余在所述板条上的剩余部分。

公开(公告)号：CN102598312B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201080049999.9

申请日：2010-10-26

申请人： 陶氏环球技术有限责任公司

发明人： 托德·R·布里登 ,  巴福德·I·莱蒙 ,  约瑟夫·乔治 ,  丽贝卡·克里斯汀-里格曼·费斯特

IPC分类号： H01L31/18

CPC分类号： H01L31/0749 ,  C23C14/0623 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02576 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/02963 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/0323 ,  H01L31/03925 ,  H01L31/03928 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1828 ,  Y02E10/50 ,  Y02E10/541 ,  Y02E10/543

摘要： 在氧化性气体的存在下在基板上设置n型硫属化物组合物层，所述氧化性气体的量足以对于所述层提供这样的电阻率：所述电阻率低于在相同的条件下但是在基本上不存在氧的情况下沉积的层的电阻率。

公开(公告)号：CN102312190B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201110211399.4

申请日：2011-06-30

申请人： 初星太阳能公司

发明人： P·L·奥基夫

IPC分类号： C23C14/06 ,  C23C14/34 ,  C30B29/48 ,  C30B23/00 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/18

CPC分类号： C23C14/086 ,  H01L31/03925 ,  H01L31/073 ,  H01L31/1836 ,  H01L31/1884 ,  Y02E10/543

摘要： 本发明名称为“溅射用于基于碲化镉的光伏器件的RTB薄膜的方法”。公开了用于在衬底上沉积电阻透明缓冲薄膜层的方法。所述方法能够包括：在按照体积包括约0.01％到约5％的水蒸气(例如，按照体积约0.05％到约1％的水蒸气)的溅射气氛中，在衬底上冷溅射(例如，在约10℃到约100℃的溅射温度)电阻透明缓冲层。然后能够在约450℃到约700℃的退火温度退火电阻透明缓冲层。在衬底上沉积电阻透明缓冲薄膜层的方法能够用在制造镉薄膜光伏器件的方法中，其中通过在电阻透明缓冲层上形成硫化镉层并且在硫化镉层上形成碲化镉层来制造镉薄膜光伏器件。

公开(公告)号：CN103069575B

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201180039615.X

申请日：2011-09-16

申请人： LG伊诺特有限公司

发明人： 裵道园

IPC分类号： H01L31/042 ,  H01L31/0216

CPC分类号： H01L31/0392 ,  H01L31/03923 ,  H01L31/03925 ,  Y02E10/541

摘要： 根据一个实施例的太阳能电池包括：支撑衬底；在所述支撑衬底上的阻挡层；以及在所述阻挡层上的光电转换部，其中，所述阻挡层包括具有互不相同的孔隙度的第一阻挡层和第二阻挡层。