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公开(公告)号：CN119345954A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411476743.6
申请日：2024-10-21
Applicant: 武汉拓材科技有限公司
IPC: B01F27/92 , C30B35/00 , C30B29/48 , B01F23/70 , B01F35/21 , B01F27/2323 , B01F35/12 , B01F35/11
Abstract: 本发明涉及配比装置技术领域，尤其是一种碲锌镉晶体加工用原料配比装置及其配比方法，包括：箱体，所述箱体的一侧设置有漏料斗，所述箱体的侧壁设置有出料口，所述出料口位于漏料斗的内部，所述漏料斗的顶部安装有电子秤，所述漏料斗的侧壁安装有第一电动伸缩杆，所述漏料斗滑动连接有弧形的密封板，有益效果在于：转轴转动时在皮带传动的作用下带动丝杆转动，丝杆转动时螺纹块与高压喷头移动，方形管贯穿螺纹块对其限位防止螺纹块随丝杆转动，高压喷头边喷水边移动有利于提高喷射的范围提高清洗的效果，高压喷头喷出的水冲向筛网对筛网清洁，同时水可以从筛网流出并留在箱体的内部对箱体浸泡实现对箱体的清洁。
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公开(公告)号：CN115148445B
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202210771209.2
申请日：2022-06-30
Applicant: 成都海威华芯科技有限公司
Inventor： 张珂
Abstract: 本发明涉及稀磁半导体薄膜领域，具体涉及使用分子束外延生长(MBE)技术制备一种p型含碘稀磁半导体(Zn90％,Cr10％)Te:N薄膜材料的方法。该薄膜材料的元素组成为Zn、Te、Cr、N、I五种元素，控制N原子和I原子的比例＜10:1时，最终制备得到的稀磁半导体材料的居里温度(Tc)≥2K，可以达到20K。
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公开(公告)号：CN118516756A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410617687.7
申请日：2024-05-17
Applicant: 温州大学新材料与产业技术研究院
Abstract: 本发明属于二维纳米材料领域，具体公开了一种二维三元非层状碲锌镉晶体材料及其制备方法。该制备方法具体为：将碲化镉和碲化锌混合作为前驱体，放置于中心温区，将两块云母衬底面对面堆叠，放置在下游沉积区。通过化学气相沉积法加热生成晶体材料，利用载气将碲锌镉晶体材料带入下游沉积区，从而形成二维碲锌镉晶体材料。利用本发明方法，制备了高质量的二维碲锌镉单晶，拓展了新的二维碲锌镉晶体的合成方法。所述的二维碲锌镉晶体材料具有三角形或六边形规则形貌，质量优异且厚度可控，最薄仅3.2nm，横向尺寸最大达102μm，在电子器件应用中具有广泛的前景。
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公开(公告)号：CN118422311A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410360812.0
申请日：2024-03-27
Applicant: 浙江珏芯微电子有限公司
Abstract: 本发明公开了一种自动调温的碲锌镉单晶VGF生长装置及方法，包括：包括炉膛、设于炉膛内的坩埚，还包括：测温热偶机构，测温热偶机构包括多个测温热偶，驱动机构驱动多个测温热偶同步且匀速地向上或向下运动；多个测温热偶中至少包括第一测温热偶、第二测温热偶和第三测温热偶；第一测温热偶的测温部与第二测温热偶的测温部在竖直方向上具有间距，第二测温热偶的测温部与第三测温热偶的测温部在竖直方向上具有间距。本发明在长晶过程实现温度实时调控，实现长晶过程中实现调节，重复性好，能够保证以晶锭生长过程中头、中、尾均以恒定温度梯度实现长晶，能够确保长晶过程中以恒定的速度实现VGF长晶工艺。
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公开(公告)号：CN118345509A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410402299.7
申请日：2024-04-03
Applicant: 河北大学
Abstract: 本发明提供了一种Cr掺杂的α‑In2Se3单晶材料及其制备方法。本发明提供的制备方法包括如下步骤：(a)清洗：将制备所需仪器在无水乙醇和去离子水中分别超声清洗，然后烘干备用；(b)原材料称量：在手套箱中，按化学计量比称量In颗粒、Se粉末、Cr粉以及I2颗粒；(c)真空封管：在手套箱中，将称量好的原料混合放入石英管中进行真空封管；(d)样品生长：将封好的石英管放入双温区管式炉中，设置升温和保温程序，待程序结束自然冷却后，即可制备所需材料。本发明无需通入任何载气，生长完全在高真空环境下进行，工艺可控性和重复性强；同时通过设备放大，本发明可实现大尺寸高产量单晶材料的制备，适用于大规模工业化生产。
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公开(公告)号：CN118292114A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410484550.9
申请日：2024-04-22
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种CdZnTeSe晶片的退火装置，属于晶体热处理技术领域。该装置包括加热炉、升降装置、石英安瓿、石英塞、石英固定圆盘、四个内石英坩埚、两个石英棒，镉源；其中，加热炉内的中部温区设置为梯度温度，石英安瓿通过升降装置在加热炉内上下移动，内石英坩埚通过石英固定圆盘和石英棒固定于石英安瓿内不同高度。本发明将晶片置于温度梯度区间内的不同位置处，结合镉源挥发的饱和蒸汽，进而实现各晶片在不同温度处的同时退火功能；退火后通过检测晶片，得到一定温度范围内最优的晶片退火温度，并将该温度用于后续同一晶锭中剩余晶片的退火处理，以保证该批次剩余晶片退火后的良率和性能。
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公开(公告)号：CN115537773B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202211222238.X
申请日：2022-10-08
Applicant: 广东先导微电子科技有限公司
Abstract: 一种PBN坩埚制备方法包括步骤：通过化学气相沉积形成PBN坩埚毛坯，PBN坩埚毛坯具有沿轴向依次连接的各具有相同且恒定的毛坯厚度的籽晶引晶段、放肩生长段以及等径生长段，等径生长段的内壁沿轴向与放肩生长段的内壁相切；将PBN坩埚毛坯固定在车床并旋转；从籽晶引晶段和放肩生长段的外表面进行加工直至厚度达到预定要求，再打磨籽晶引晶段和放肩生长段的外表面至光亮；从等径生长段的外表面进行加工，直至厚度达到预定要求且等径生长段的厚度小于放肩生长段的厚度，在等径生长段与放肩生长段的交界处形成平的台阶，再打磨等径生长段的外表面至光亮；将PBN坩埚的等径生长段的多余的长度切割；将切割好的PBN坩埚进行煅烧；将煅烧好的PBN坩埚清洗干燥。
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公开(公告)号：CN114775037B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202210355157.0
申请日：2022-03-31
Applicant: 苏州哥地光子技术有限公司
Abstract: 本发明公开了一种碲锌镉晶体生长装置及生长方法，包括：炉体，设有加热腔；生长坩埚，包括回收端与生长端，放置于加热腔内，生长坩埚内包括生长原料，并且真空密封，生长原料为碲块或富碲的碲锌镉多晶料以及所需要生长的碲锌镉晶体的多晶料；升降单元，与生长坩埚可拆卸地连接，驱动生长坩埚沿预设方向移动，在加热腔对生长坩埚加热至生长原料融为熔体且稳定后，生长坩埚相对炉体向下方向运动，熔体析出碲锌镉晶体；旋转单元，与炉体连接；当碲锌镉晶体析出完成，旋转单元驱动炉体旋转，将附着于碲锌镉晶体上的剩余熔体移动至回收端与碲锌镉晶体分离。本发明可降低晶体开裂的概率，避免晶体形成包裹层，从而提高晶体的品质。
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公开(公告)号：CN117845334A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202311655469.4
申请日：2023-12-05
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所
Abstract: 一种铬离子掺杂的硫化锌激光材料的制备方法，将铬薄膜沉积在硫化锌晶体材料表面后，采用钼箔进行密封并进行热等静压烧结，促使过渡金属离子强制扩散，得到铬离子掺杂的硫化锌激光材料。本发明制备出的激光增益晶体，其离子扩散速度快且掺杂相对均匀，激光晶体的掺杂浓度较高，在烧结过程中去除了晶体中存在的缺陷杂质，避免了晶体的非均匀展宽，在自由运行时具有更窄的光谱带宽(
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公开(公告)号：CN117721515A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202311717166.0
申请日：2023-12-13
Applicant: 安徽光智科技有限公司
Abstract: 提供一种碲锌镉晶体的生长方法，采用垂直温度梯度法；加热机构围绕竖直放置的坩埚布置，从下往上包括第一加热器、第二加热器、第三加热器、第四加热器、第五加热器；第二加热器、第三加热器和第四加热器各配置成：作为负载电阻用于连接于相位差在30‑90°的三相半波整流电路，以传导变化的电流来对坩埚内的碲锌镉原料以及熔体加热并提供磁场方向向下的动态磁场；第一加热器、第二加热器、第三加热器、第四加热器、第五加热器一起配置成：从下而上冷却凝固进行碲锌镉晶体生长时，第一加热器降温速度最快、第二加热器比第一加热器降温速度慢、第三加热器比第二加热器降温速度慢、第四加热器比第三加热器降温速度慢、第五加热器比第四加热器降温速度慢。
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