公开(公告)号：CN110335809B

公开(公告)日：2021-12-31

申请号：CN201910592493.5

申请日：2019-07-03

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李含冬 ,  尹锡波 ,  徐超凡 ,  贺靖 ,  姬海宁 ,  牛晓滨 ,  王志明

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明涉及一种在云母衬底上生长单晶γ相硒化铟薄膜的方法，包含如下步骤：步骤1)：对单晶云母衬底进行化学清洗及机械解理剥离表面层，得到表面洁净的平整云母衬底；步骤2)：将步骤1)制得的云母衬底传入分子束外延真空系统内并加热至450℃除气至系统真空度优于8×10‑10mbar；步骤3)：云母除气完成之后自然冷却至生长温度范围后，同时打开In束流源与Se束流源开始生长In2Se3薄膜；步骤4)：薄膜生长完成之后立即终止衬底加热，并快速冷却衬底温度至室温，即可制得单晶γ相In2Se3薄膜。本发明所述生长In2Se3薄膜方法，利用分子束外延技术在云母衬底表面沉积生长In2Se3薄膜，能以较低生长温度制备出高质量单晶γ相In2Se3薄膜。

公开(公告)号：CN107910389A

公开(公告)日：2018-04-13

申请号：CN201710991444.X

申请日：2017-10-23

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 王志明 ,  余鹏 ,  姬海宁

IPC: H01L31/0304 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明公开一种磷化铟纳米锥膜及其制备方法和应用，磷化铟纳米锥膜包括：衬底层和纳米锥，所述纳米锥外延于所述衬底层上，所述衬底层和所述纳米锥材料为磷化铟；所述纳米锥光吸收性好，减少光反射，降低了表面复合，光电转化效率高。

公开(公告)号：CN105543980B

公开(公告)日：2017-10-27

申请号：CN201610051414.6

申请日：2016-01-26

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李含冬 ,  张忠阳 ,  高磊 ,  任武洋 ,  李勇 ,  龙城佳 ,  姬海宁 ,  戴丽萍 ,  周志华 ,  巫江 ,  牛晓滨 ,  王志明

IPC: C30B33/10 ,  C30B29/46

Abstract: 本发明涉及一种硒化铋材料的化学刻蚀方法，其包括以下步骤：(1)制作掩膜：所述掩膜为光刻掩膜，其使用标准光刻技术制作，附着于硅衬底上的硒化铋材料之上；(2)配制刻蚀剂：所述刻蚀剂为重铬酸钾复合酸溶液，其配制方法为，由以下组分按照一定比例混匀而成，体积百分比为9％的重铬酸钾饱和水溶液、体积百分比为48％的浓盐酸、体积百分比为98％的浓硫酸；(3)刻蚀：利用步骤(3)制得的重铬酸钾复合酸溶液蚀刻液，对附着步骤(1)制得的附着光刻掩膜的硒化铋材料进行刻蚀。本发明工艺简单、操作便捷、成本低廉、效果显著，其具有被刻蚀的硒化铋材料表面平整，符合化学计量比，且刻蚀速率便于控制等有益效果。

公开(公告)号：CN105648535A

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201610054541.1

申请日：2016-01-26

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李含冬 ,  龙城佳 ,  任武洋 ,  高磊 ,  张忠阳 ,  李勇 ,  姬海宁 ,  戴丽萍 ,  周志华 ,  牛晓滨 ,  王志明

IPC: C30B29/46 ,  C30B23/00

CPC classification number: C30B29/46 ,  C30B23/00

Abstract: 本发明公开了一种制备硫系化合物异质结构的装置及其制备方法，属于半导体材料技术领域，该装置包括管式炉(5)和石英管(1)，所述的石英管(1)穿过管式炉(5)内部，两端暴露在管式炉(5)外，石英管(1)的两个端口分别为第一管口(8)和第二管口(9)；靠近第一管口(8)处装有冷阱(7)；石英管(1)内设有三个滑槽，分别为第一滑槽(6a)、第二滑槽(6b)和第三滑槽(6c)，每个滑槽内设有两个磁铁滑块。本发明所述的制备硫系化合物异质结构的方法及装置，使不同材料的沉积过程都处于真空环境下，且避免了不同材料之间的交叉污染，操作简单、成本低廉，制备得到的异质结构界面结构完整，结晶质量优良。

公开(公告)号：CN105551927A

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201610053880.8

申请日：2016-01-26

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李含冬 ,  李勇 ,  任武洋 ,  高磊 ,  张忠阳 ,  龙城佳 ,  姬海宁 ,  戴丽萍 ,  周志华 ,  牛晓滨 ,  王志明

IPC: H01J37/32 ,  C23C16/513

CPC classification number: H01J37/32 ,  C23C16/513 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32431

Abstract: 本发明公开了一种新型高效可活动射频等离子体放电管，涉及等离子体的产生装置技术领域。包括主体与连接杆两部分，主体前端盖正中为一发射孔，主管体内后端盖中心为一放电锥垂直指向管体内部空间，连接杆前端为球形，后部为圆柱形。主体置于射频线圈内，连接杆后部套于射频源进气管上，管体后连接端内径大于连接杆前端内径可保证二者能相对旋转一定角度时气路畅通，高纯气体从进气管通过连接杆进入放电锥放电，等离子体进入主管体后在腔壁上反射震荡能使腔内气体充分等离子化并通过发射孔发射。所述放电管提高了射频等离子体放电效率，而且能保证圆柱形放电管在不均匀形状或形变电感线圈内方便地安装与安全地使用。

公开(公告)号：CN101256865A

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN200710051054.0

申请日：2007-12-29

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 余忠 ,  兰中文 ,  孙科 ,  蒋晓娜 ,  姬海宁 ,  李乐中

IPC: H01F1/34 ,  C04B35/26 ,  C04B35/64

Abstract: NiZn系铁氧体材料及制备方法，本发明属于铁氧体材料制备技术领域。其主成分按摩尔百分比，以氧化物计算：48.5～52.5mol％Fe2O3，25～33mol％ZnO，0.5～8.0mol％CuO，余量为NiO；掺杂剂按重量百分比，以氧化物计算：0.001～0.15wt％CaO、0.01～0.12wt％MoO3、0.01～0.08wt％Bi2O3、0.01～0.20wt％Nb2O5、0.01～0.20wt％SnO2、0.01～0.16wt％V2O5。本发明的有益效果是，一、提高功率密度，实现小型化；二、提高电子系统的可靠性。

公开(公告)号：CN112968121B

公开(公告)日：2023-04-18

申请号：CN202110206992.3

申请日：2021-02-24

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李含冬 ,  贺靖 ,  李俊烨 ,  杜绍增 ,  陈治 ,  姬海宁 ,  牛晓滨 ,  王志明

IPC: H10N10/857 ,  H10N10/852 ,  H10N10/01

Abstract: 本发明提供一种硒化铋超晶格结构及其制备，属于拓扑绝缘体与热电材料领域。利用分子束外延技术在衬底表面依次交替外延生长结晶取向为(001)的硒化铋拓扑绝缘体(化学式为：Bi2Se3)单晶薄膜与硒化铟铋普通绝缘体(化学式为：(Bi1‑xInx)2Se3，其中0.20≤x≤0.35)单晶薄膜，从而构建出Bi2Se3/(Bi1‑xInx)2Se3超晶格。与现有硒化铋超晶格结构相比，本发明所述超晶格中Bi2Se3拓扑绝缘体层与(Bi1‑xInx)2Se3普通绝缘体层之间晶格失配小，结构稳定性更好，体电子浓度更低，在拓扑绝缘体以及热电材料领域具有重要应用前景。

公开(公告)号：CN109913945B

公开(公告)日：2021-04-02

申请号：CN201910191834.8

申请日：2019-03-14

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李含冬 ,  徐超凡 ,  李勇 ,  余述鹏 ,  尹锡波 ,  姬海宁 ,  牛晓滨 ,  王志明

IPC: H01L21/02 ,  H01L35/16 ,  H01L35/34 ,  C30B25/18 ,  C30B25/16 ,  C30B29/46

Abstract: 本发明公开了一种在硅(211)衬底上生长硒化铋高指数面单晶薄膜的方法，包括以下操作步骤：1)：对晶面取向为(211)的Si衬底进行闪硅处理或者化学腐蚀处理；2)：升高Bi束流源温度，在步骤1)制得的Si(211)衬底上沉积生长Bi缓冲层；3)：待步骤2)中生长出Bi缓冲层后，调节Bi束流源温度，升高Se裂解束流源温度，开始Bi2Se3形核层的生长；4)：待步骤3)Bi2Se3形核层生长完成后，继续进行Bi2Se3高指数面单晶外延薄膜的生长，即得。本技术方案采用Bi超薄单晶层作为缓冲层，在Bi缓冲层表面上生长厚度为3—5nm的低温Bi2Se3形核层后，再适当提高生长温度进行Bi2Se3高指数面单晶薄膜外延层的生长，就可获得结晶度较好的Bi2Se3高指数面单晶薄膜。

公开(公告)号：CN109913945A

公开(公告)日：2019-06-21

申请号：CN201910191834.8

申请日：2019-03-14

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李含冬 ,  徐超凡 ,  李勇 ,  余述鹏 ,  尹锡波 ,  姬海宁 ,  牛晓滨 ,  王志明

IPC: C30B25/18 ,  C30B25/16 ,  C30B29/46 ,  H01L21/02 ,  H01L35/16 ,  H01L35/34

Abstract: 本发明公开了一种在硅(211)衬底上生长硒化铋高指数面单晶薄膜的方法，包括以下操作步骤：1)：对晶面取向为(211)的Si衬底进行闪硅处理或者化学腐蚀处理；2)：升高Bi束流源温度，在步骤1)制得的Si(211)衬底上沉积生长Bi缓冲层；3)：待步骤2)中生长出Bi缓冲层后，调节Bi束流源温度，升高Se裂解束流源温度，开始Bi2Se3形核层的生长；4)：待步骤3)Bi2Se3形核层生长完成后，继续进行Bi2Se3高指数面单晶外延薄膜的生长，即得。本技术方案采用Bi超薄单晶层作为缓冲层，在Bi缓冲层表面上生长厚度为3—5nm的低温Bi2Se3形核层后，再适当提高生长温度进行Bi2Se3高指数面单晶薄膜外延层的生长，就可获得结晶度较好的Bi2Se3高指数面单晶薄膜。

公开(公告)号：CN106486560B

公开(公告)日：2018-08-21

申请号：CN201610980109.5

申请日：2016-11-08

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 王志明 ,  余鹏 ,  巫江 ,  姬海宁

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种等离子体液滴外延砷化镓量子点太阳电池，涉及太阳能电池制造技术领域。包括从下到上依次设置的衬底层、依附在衬底层上的缓冲层、在缓冲层上生长的第一隔离层、量子点与间隔结构层、第二隔离层、发射层和电极接触层；所述的量子点与间隔结构层包括量子点层和在量子点层上形成的砷化镓间隔层，所述的量子点与间隔结构层至少为两层；在形成的量子点太阳能电池上，耦合贵金属纳米颗粒，并通过化学刻蚀方法，将所述贵金属纳米颗粒往下沉至靠近量子点与间隔结构层。该太阳电池的效率能得到大幅度提高。