公开(公告)号：CN112968121A

公开(公告)日：2021-06-15

申请号：CN202110206992.3

申请日：2021-02-24

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李含冬 ,  贺靖 ,  李俊烨 ,  杜绍增 ,  陈治 ,  姬海宁 ,  牛晓滨 ,  王志明

IPC: H01L35/26 ,  H01L35/16 ,  H01L35/34

Abstract: 本发明提供一种硒化铋超晶格结构及其制备，属于拓扑绝缘体与热电材料领域。利用分子束外延技术在衬底表面依次交替外延生长结晶取向为(001)的硒化铋拓扑绝缘体(化学式为：Bi2Se3)单晶薄膜与硒化铟铋普通绝缘体(化学式为：(Bi1‑xInx)2Se3，其中0.20≤x≤0.35)单晶薄膜，从而构建出Bi2Se3/(Bi1‑xInx)2Se3超晶格。与现有硒化铋超晶格结构相比，本发明所述超晶格中Bi2Se3拓扑绝缘体层与(Bi1‑xInx)2Se3普通绝缘体层之间晶格失配小，结构稳定性更好，体电子浓度更低，在拓扑绝缘体以及热电材料领域具有重要应用前景。

公开(公告)号：CN112968121B

公开(公告)日：2023-04-18

申请号：CN202110206992.3

申请日：2021-02-24

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李含冬 ,  贺靖 ,  李俊烨 ,  杜绍增 ,  陈治 ,  姬海宁 ,  牛晓滨 ,  王志明

IPC: H10N10/857 ,  H10N10/852 ,  H10N10/01

Abstract: 本发明提供一种硒化铋超晶格结构及其制备，属于拓扑绝缘体与热电材料领域。利用分子束外延技术在衬底表面依次交替外延生长结晶取向为(001)的硒化铋拓扑绝缘体(化学式为：Bi2Se3)单晶薄膜与硒化铟铋普通绝缘体(化学式为：(Bi1‑xInx)2Se3，其中0.20≤x≤0.35)单晶薄膜，从而构建出Bi2Se3/(Bi1‑xInx)2Se3超晶格。与现有硒化铋超晶格结构相比，本发明所述超晶格中Bi2Se3拓扑绝缘体层与(Bi1‑xInx)2Se3普通绝缘体层之间晶格失配小，结构稳定性更好，体电子浓度更低，在拓扑绝缘体以及热电材料领域具有重要应用前景。

公开(公告)号：CN118371706A

公开(公告)日：2024-07-23

申请号：CN202410474822.7

申请日：2024-04-19

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李含冬 ,  杜绍增 ,  李俊烨 ,  赵鹏 ,  刘婷 ,  方晨旭 ,  孙雪莹 ,  齐睿 ,  姬海宁 ,  牛晓滨 ,  王志明

IPC: B22F1/0545 ,  B22F9/16

Abstract: 本发明公开了一种低熔点纳米铋合金液滴的可控制备方法，属于纳米结构材料制备领域。属于纳米结构材料制备领域。本发明方法首先制备得到Si(111)‑7×7再构表面；然后在Si(111)‑7×7再构表面沉积20到40个单层(ML)Bi；再在室温下，以0.002～0.003ML/s的沉积速率将铟原子蒸镀到单晶Bi膜上，此时，In原子会通过毛细力扩散破坏单晶铋Bi膜，通过控制In与Bi的原子数之比，可以获得自组装近似球形的合金液滴结构，实现纳米铋合金液滴的可控制备。本发明易于实现，操作简单；同时采用Si晶片衬底，相对于化合物半导体衬底，本发明采用的Si衬底工艺兼容度更好，成本更低，更易获取。

公开(公告)号：CN114574958A

公开(公告)日：2022-06-03

申请号：CN202210069101.9

申请日：2022-01-21

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李含冬 ,  李俊烨 ,  杜绍增

IPC: C30B25/18 ,  C30B25/16 ,  C30B29/46 ,  H01L35/16

Abstract: 本发明涉及一种外延制备片状Bi4Se3微晶的方法，包含如下步骤：1)将单晶云母衬底先用化学试剂清洗，再用胶带剥离解理，得到表面洁净平整的云母衬底；2)将云母衬底传入分子束外延真空系统内并加热除气；3)将温度降低至生长温度范围后，同时打开Bi束流源与Se束流源，在云母表面开始生长Bi4Se3；4)生长完成之后立即停止衬底加热，冷却至室温，即得。本发明利用分子束外延技术在云母衬底表面生长片状Bi4Se3微晶，所需的生长温度低，制备的片状Bi4Se3微晶化学计量比准确，结晶质量高，取向一致，表面平整，厚度尺寸均一，在衬底表面的覆盖度可调，便于大规模重复生产。