热电转换材料层及其制造方法
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113632252A

    公开(公告)日:2021-11-09

    申请号:CN202080024639.7

    申请日:2020-03-26

    Abstract: 本发明提供由热电半导体组合物的涂布膜形成的热电转换材料层中的热电转换材料的电导率得到提高的热电性能高的热电转换材料层及其制造方法,所述热电转换材料层是由热电半导体组合物的涂布膜形成的热电转换材料层,其中,所述热电转换材料层具有空隙部,将所述热电转换材料层的包含中央部的纵剖面的面积中所述热电半导体组合物的面积所占的比例设为填充率时,所述填充率为0.800以上且小于1.000。

    准固态离子型热电转换材料、热电转换器件及其应用

    公开(公告)号:CN112713233A

    公开(公告)日:2021-04-27

    申请号:CN201911025716.6

    申请日:2019-10-25

    Abstract: 本申请涉及一种准固态离子型热电材料,其包括胶凝基体材料、水溶性金属盐、氧化/还原电对和水,其中胶凝基体材料、水溶性金属盐、氧化/还原电对分布在水中。本申请还涉及包括该热电转换材料的热电转换器件、包括该热电转换器件的温差发电装置及包括该温差发电装置的可穿戴装备。本发明的准固态离子型热电材料通过热扩散(Soret)效应和热电化学(thermogalvanic)效应的双效应协同作用,可以从周围环境中获得高的热电势,制作方法简单方便、成本低廉,非常适合制备柔性离子型热电转换器件、柔性温差发电装置和柔性可穿戴装备,在物联网及柔性可穿戴领域将具有巨大的应用前景。

    硅体热电转换材料
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111527613A

    公开(公告)日:2020-08-11

    申请号:CN201880081665.6

    申请日:2018-12-26

    Abstract: 提供一种硅体热电转换材料,该材料通过降低硅的热传导率来使热电性能与现有技术相比得到提高。在该硅体热电转换材料为硅单体中,在室温下仅含硅时ZT超过0.2。该硅体热电转换材料具有:多个硅粒,其尺寸在1-300nm;第一孔,其存在于多个所述硅粒中及所述硅粒表面,且平均尺寸1-30nm以下;以及第二孔,其存在于多个所述硅粒之间,且平均尺寸为100-300nm,所述硅粒的长径比小于10。

    帕尔贴冷却元件及其制造方法

    公开(公告)号:CN107112409B

    公开(公告)日:2020-03-17

    申请号:CN201580069409.1

    申请日:2015-12-24

    Abstract: 本发明提供一种热电性能及弯曲性优异,且能够以低成本简便地制造的帕尔贴冷却元件,所述帕尔贴冷却元件使用了热电转换材料,所述热电转换材料在支撑体上具有由含有热电半导体微粒、耐热性树脂及离子液体的热电半导体组合物形成的薄膜。本发明还提供一种帕尔贴冷却元件的制造方法,所述帕尔贴冷却元件使用了热电转换材料,所述热电转换材料在支撑体上具有由含有热电半导体微粒、耐热性树脂及离子液体的热电半导体组合物形成的薄膜,该制造方法包括:将含有热电半导体微粒、耐热性树脂及离子液体的热电半导体组合物涂布在支撑体上并进行干燥而形成薄膜的工序;对该薄膜进行退火处理的工序。

    热电转换材料及其制造方法

    公开(公告)号:CN110168759A

    公开(公告)日:2019-08-23

    申请号:CN201780076510.9

    申请日:2017-12-07

    Abstract: 本发明提供一种热电性能及弯曲性优异,且能够以低成本简便地制造的热电转换材料及其制造方法;所述热电转换材料在支撑体上具有由热电半导体组合物形成的薄膜,所述热电半导体组合物含有热电半导体微粒、耐热性树脂及无机离子性化合物;所述制造方法是热电转换材料的制造方法,所述热电转换材料在支撑体上具有由热电半导体组合物形成的薄膜,所述热电半导体组合物含有热电半导体微粒、耐热性树脂及无机离子性化合物,该制造方法包括:将含有热电半导体微粒、耐热性树脂及无机离子性化合物的热电半导体组合物涂布在支撑体上并进行干燥而形成薄膜的工序;进一步对该薄膜进行退火处理的工序。

    一种基于自旋塞贝克效应的热电转换器件结构

    公开(公告)号:CN107331765B

    公开(公告)日:2019-05-21

    申请号:CN201710548329.5

    申请日:2017-07-06

    Abstract: 本发明公开一种基于自旋塞贝克效应的热电转换器件结构,包括基本U型结构;基本U型结构包括由下至上或者由上至下依次设置的第一磁性层、电极层和第二磁性层;第一磁性层由第一正自旋塞贝克系数磁性薄膜和第一负自旋塞贝克系数的磁性薄膜连接构成;第二磁性层由第二正自旋塞贝克系数磁性薄膜和第二负自旋塞贝克系数的磁性薄膜连接构成;第一正自旋塞贝克系数磁性薄膜和第二正自旋塞贝克系数磁性薄膜位于基本U型结构的左臂;第一负自旋塞贝克系数的磁性薄膜和第二负自旋塞贝克系数的磁性薄膜位于基本U型结构的右臂。U型结构左右两部分的磁性层由自旋塞贝克系数异号的材料组成,可分别在电极层中产生不同方向的电势差并实现电势差串联叠加效果。

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