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公开(公告)号:CN114868264A
公开(公告)日:2022-08-05
申请号:CN202080087112.9
申请日:2020-12-01
Applicant: 琳得科株式会社
Abstract: 本发明提供电导率高、在用于热电转换组件时能够表现出高热电转换效率、且在制造时不易发生翘曲的热电转换体、其制造方法、以及使用其的热电转换组件。本发明涉及热电转换体、包含该热电转换体的热电转换组件、以及热电转换体的制造方法,所述热电转换体是包含热电半导体材料和耐热性树脂的组合物的烧制体,其中,将所述耐热性树脂升温时在400℃的重量设为100%,其进一步减少5%重量的温度为480℃以下。
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公开(公告)号:CN116368965A
公开(公告)日:2023-06-30
申请号:CN202180073852.1
申请日:2021-10-28
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H10N10/856
Abstract: 本发明提供不具有支撑基材的薄型的热电转换组件,其具备一体化物、第1电极和第2电极,上述一体化物包含绝缘体,该绝缘体以填充由相互隔开的P型热电转换材料的芯片和N型热电转换材料的芯片形成的空隙的方式构成,上述第1电极位于上述一体化物的一面,其是将上述P型热电转换材料的芯片的一面和上述N型热电转换材料的芯片的一面接合的共用的电极,上述第2电极位于上述一体化物的另一面,与上述第1电极对置,其是将上述N型热电转换材料的芯片的另一面和上述P型热电转换材料的芯片的另一面接合的共用的电极,上述P型热电转换材料的芯片和上述N型热电转换材料的芯片通过上述第1电极和上述第2电极而串联电连接,在上述热电转换组件的两面不具有基材。
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公开(公告)号:CN116391458A
公开(公告)日:2023-07-04
申请号:CN202180073854.0
申请日:2021-10-28
Applicant: 琳得科株式会社
Abstract: 本发明提供不需要支撑体及焊接材料、且能够一次性高效地制作多个薄型的热电转换组件的热电转换组件的制造方法,该方法包括下述工序(A)~(D):(A)将P型热电转换材料的芯片和N型热电转换材料的芯片隔开地配置在支撑体上的工序;(B)在P型热电转换材料的芯片与N型热电转换材料的芯片之间填充绝缘体,得到由P型热电转换材料的芯片、N型热电转换材料的芯片及绝缘体形成的一体化物的工序;(C)将上述工序(B)中得到的一体化物从支撑体剥离的工序;(D)在上述工序(C)之后的一体化物中,经由电极将P型热电转换材料的芯片与N型热电转换材料的芯片之间连接的工序。
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公开(公告)号:CN113632252A
公开(公告)日:2021-11-09
申请号:CN202080024639.7
申请日:2020-03-26
Applicant: 琳得科株式会社
Abstract: 本发明提供由热电半导体组合物的涂布膜形成的热电转换材料层中的热电转换材料的电导率得到提高的热电性能高的热电转换材料层及其制造方法,所述热电转换材料层是由热电半导体组合物的涂布膜形成的热电转换材料层,其中,所述热电转换材料层具有空隙部,将所述热电转换材料层的包含中央部的纵剖面的面积中所述热电半导体组合物的面积所占的比例设为填充率时,所述填充率为0.800以上且小于1.000。
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公开(公告)号:CN112823430A
公开(公告)日:2021-05-18
申请号:CN201980064492.1
申请日:2019-10-02
Applicant: 琳得科株式会社
Abstract: 本发明提供无需支撑基板、能够以不具有与电极的接合部的形态进行热电半导体材料的退火处理、并能够以最优的退火温度进行热电半导体材料的退火的热电转换组件用中间体的制造方法,其是包含由热电半导体组合物形成的P型热电元件层及N型热电元件层的热电转换组件用中间体的制造方法,该方法包括:(A)在基板上形成所述P型热电元件层及N型热电元件层的工序;(B)对在所述工序(A)中得到的所述P型热电元件层及N型热电元件层进行退火处理的工序;(C)在所述工序(B)中得到的退火处理后的P型热电元件层及N型热电元件层上形成包含固化性树脂或其固化物的密封材料层的工序;以及(D)将所述密封材料层、以及在所述工序(B)及(C)中得到的P型热电元件层及N型热电元件层从所述基板剥离的工序。
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公开(公告)号:CN115428174A
公开(公告)日:2022-12-02
申请号:CN202180024959.7
申请日:2021-03-18
Applicant: 琳得科株式会社
Abstract: 本发明提供热电性能得到了进一步提高的热电转换模块,该热电转换模块包含基材、以及由热电半导体组合物形成的热电元件层,其中,上述热电半导体组合物包含热电半导体材料、耐热性树脂A、以及离子液体和/或无机离子性化合物,上述基材的热阻为0.35K/W以下。
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公开(公告)号:CN115700061A
公开(公告)日:2023-02-03
申请号:CN202180038636.3
申请日:2021-05-26
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H10N10/817 , H10N10/856 , H10N10/857 , H10N10/01
Abstract: 本发明提供可防止由接合材料引起的电极上的热电转换材料的芯片的位置偏移、抑制邻接的热电转换材料的芯片之间的短路、热电转换材料的芯片与电极的接合不良的热电转换组件及其制造方法。该热电转换组件包含:具有第1电极的第1基板;具有第2电极的第2基板;由热电半导体组合物形成的热电转换材料的芯片;由第1接合材料形成的第1接合材料层,所述第1接合材料层将该热电转换材料的芯片的一面和上述第1电极接合;以及由第2接合材料形成的第2接合材料层,所述第2接合材料层将上述热电转换材料的芯片的另一面和上述第2电极接合,其中,上述第2接合材料的熔点低于上述第1接合材料的熔点,或者上述第2接合材料的熔点低于上述第1接合材料的固化温度。
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公开(公告)号:CN115362566A
公开(公告)日:2022-11-18
申请号:CN202180025830.8
申请日:2021-03-19
Applicant: 琳得科株式会社
Abstract: 本发明提供利用简易的构成而进一步提高了散热性的热电转换模块,其包含:第1电极、P型热电元件层及N型热电元件层、以及与上述第1电极相对地配置的第2电极,该热电转换模块是多对PN结通过上述第1电极和上述第2电极交替串联电连接而成的,该PN结是上述P型热电元件层与上述N型热电元件层经由上述第1电极或上述第2电极进行PN接合而成的,其中,上述第2电极的面积大于上述第1电极的面积。
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公开(公告)号:CN115336017A
公开(公告)日:2022-11-11
申请号:CN202180024577.4
申请日:2021-03-18
Applicant: 琳得科株式会社
Abstract: 本发明提供热电转换材料层中的热电转换材料的电阻率得到了减少的、具有热电性能高的热电转换材料层的热电转换模块,其具有由热电转换材料形成的热电转换材料层,所述热电转换材料至少包含热电半导体粒子,上述热电转换材料层具有空隙,将上述热电转换材料层的包含中央部的纵剖面的面积中上述热电转换材料的面积所占的比例设为填充率时,上述填充率大于0.900且小于1.000。
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