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公开(公告)号：CN114930504A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202080090576.5
申请日：2020-12-25
Applicant: 琳得科株式会社
Abstract: 本发明的课题在于提供能够相对于半导体芯片的凸块形成面及侧面这两者形成包覆性优异的保护膜的固化性树脂膜。作为解决该课题的固化性树脂膜，提供用于在具有凸块形成面的半导体芯片的上述凸块形成面及侧面这两者形成作为保护膜的固化树脂膜，所述凸块形成面具备凸块，该固化性树脂膜满足下述条件(I)。 在温度90℃、频率1Hz的条件下使直径25mm、厚度1mm的上述固化性树脂膜的试验片产生应变并测定上述试验片的储能模量，在将上述试验片的应变为1％时的上述试验片的储能模量设为Gc1、将上述试验片的应变为300％时的上述试验片的储能模量设为Gc300时，通过下述式(i)计算出的X值为19以上且低于10,000。X＝Gc1/Gc300····(i)。
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公开(公告)号：CN112655082A
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN201980058925.2
申请日：2019-09-19
Applicant: 琳得科株式会社
Inventor： 根本拓
IPC: H01L21/683 , B65C1/04 , B65C9/26
Abstract: 本发明提供片材粘贴方法，即使采用通过赋予规定的能量从而伴随规定的变形而变化成规定的状态的片材作为第一片材，形成经由第一片材和第二片材将被粘合体支撑于框架部件而成的一体物，并为了使该第一片材变化成规定的状态而赋予了规定的能量，也不会在第二片材上形成褶皱。该片材粘贴方法实施以下工序：第一片材准备工序，准备第一片材(AS1)，该第一片材(AS1)通过被赋予规定的能量而变化成规定的状态；第二片材准备工序，准备第二片材(AS2)；第一粘贴工序，在被粘合体(WK)的一个面(WK1)上粘贴第一片材(AS1)；第二粘贴工序，在粘贴于被粘合体(WK)的第一片材(AS1)和框架部件(RF)上粘贴第二片材(AS2)，形成经由第一片材(AS1)和第二片材(AS2)将被粘合体(WK)支撑于框架部件(RF)而成的一体物(UP)；以及能量赋予工序，对一体物(UP)赋予能量，使第一片材(AS1)变化成规定的状态，第一片材(AS1)通过被赋予能量从而伴随规定的变形而变化成规定的状态，在第一片材准备工序中，考虑到第一片材(AS1)在能量赋予工序中被赋予能量而引起规定的变形，准备具有不从被粘合体(WK)的一个面(WK1)伸出的形状的第一片材(AS1)，在第一粘贴工序中，考虑到第一片材(AS1)在能量赋予工序中被赋予能量而引起规定的变形，以不从被粘合体(WK)的一个面(WK1)伸出的方式，在该被粘合体(WK)上粘贴该第一片材(AS1)。
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公开(公告)号：CN116918037A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202280018923.2
申请日：2022-02-28
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/301
Abstract: 本发明涉及半导体装置的制造方法，其依次包括下述工序(S1)～(S6)，并进一步在工序(S5)之后包括下述工序(SD)。·工序(S1)：在一面具备凸块的具有凸块形成面的晶片上以包覆其所述凸块及所述凸块形成面的方式形成能够从所述晶片剥离的第一固化性树脂层(X1)的工序，所述晶片具有设置于所述凸块形成面的槽或形成于晶片内部的改性区域；·工序(S2)：将第一固化性树脂层(X1)的与所述凸块形成面为相反侧的表面平坦化的工序；·工序(S3)：使第一固化性树脂层(X1)固化而形成磨削用固化物层(p1)的工序；·工序(S4)：对所述晶片的与所述凸块形成面为相反侧的面进行磨削，将所述晶片沿着所述槽或所述改性区域单片化为多个芯片的工序；·工序(S5)：在所述多个芯片的与所述凸块形成面为相反侧的面粘贴第二固化性树脂膜(x2f)而形成第二固化性树脂层(X2)的工序；·工序(S6)：使第二固化性树脂层(X2)固化而形成保护膜(r)的工序；·工序(SD)：将第二固化性树脂层(X2)或保护膜(r)沿着所述多个芯片间隔切断而分割成与各芯片相对应的形状的工序。
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公开(公告)号：CN115605980A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202180035591.4
申请日：2021-01-27
Applicant: 琳得科株式会社(JP)
IPC: H01L21/301 , H01L23/28 , H01L21/56 , H01L23/00
Abstract: 本发明提供即使用以形成屏蔽层的导电材料绕入到了半导体晶片的凸块形成面侧也能够充分抑制在凸块形成面上形成导电材料的半导体芯片的制造方法。该方法是包括下述工序(A)的半导体装置的制造方法。工序(A)：在设置有凸块的半导体晶片的凸块形成面被由固化性树脂的固化物形成的保护层所保护的半导体芯片形成屏蔽层的工序，其中，在上述凸块及上述凸块形成面中的至少任一者被包覆用片所包覆的状态下，在上述半导体芯片的从上述包覆用片露出的部分中的至少一部分形成屏蔽层。
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公开(公告)号：CN109463007B
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN201780037693.3
申请日：2017-08-02
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L23/12 , H01L21/301 , H01L21/52 , H01L21/56 , H01L23/00 , H01L23/29 , H01L23/31 , C09J201/00
Abstract: 一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包含以下工序：在具有粘接剂层的支承基板(10)的所述粘接剂层上，将具有电路面(W1)和元件背面(W2)的多个半导体元件以元件背面(W2)朝向所述粘接剂层的方式进行贴装的工序；对贴装于支承基板(10)的所述半导体元件进行封装而形成封装体(3)的工序；在封装体(3)上形成外部端子电极，使贴装于支承基板(10)的所述半导体元件与所述外部端子电极电连接的工序；在使所述半导体元件与所述外部端子电极电连接之后，将支承基板(10)从封装体(3)剥离而使所述半导体元件的元件背面(W2)露出的工序；在露出的所述半导体元件的元件背面(W2)形成固化性的保护膜形成层的工序；使所述保护膜形成层固化而形成保护膜的工序。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115244654A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202180020576.2
申请日：2021-03-11
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/301 , H01L23/29 , H01L23/31 , H01L21/60
Abstract: 本发明的课题在于提供能够抑制经窄间距化了的凸块彼此的短路的保护膜形成用片。其中，该课题通过形成下述的保护膜形成用片而得到了解决：所述保护膜形成用片具有固化性树脂膜(x)与支撑片(Y)的层叠结构，其用于在具有多个凸块、且满足表示具有经窄间距化了的凸块的特定要件的半导体晶片的凸块形成面形成保护膜(X)，所述保护膜形成用片满足以拉伸模量E’限定的特定要件。
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公开(公告)号：CN114981928A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202180010325.6
申请日：2021-01-20
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/301 , C09J201/00 , C09J7/38
Abstract: 本发明涉及被粘附物的剥离方法、包括实施所述剥离方法的工序的半导体芯片的制造方法、以及包括实施所述剥离方法的工序的半导体装置的制造方法，所述被粘附物的剥离方法包括：工序(S1)：将多个被粘附物贴合于粘合剂层(X1)的工序；以及，工序(S2)：使贴合有所述多个被粘附物中的一部分被粘附物的区域的所述粘合剂层(X1)的至少一部分升华而产生气体，使所述一部分被粘附物与所述粘合剂层(X1)的粘接力降低的工序。
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公开(公告)号：CN117561588A
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202280045281.5
申请日：2022-06-17
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/301
Abstract: 本发明为一种带保护膜的芯片的制造方法，其具有：在减压环境下，将具备支撑片(11)与设置在支撑片(11)的一个面(11a)上的固化性树脂膜(12)的保护膜形成用片(1)中的固化性树脂膜(12)贴附于具有凸状电极的晶圆的具有凸状电极的面的工序；通过使贴附后的固化性树脂膜(12)固化，从而在上述晶圆的所述面上形成保护膜的工序；及通过将形成所述保护膜后的晶圆分割并切断所述保护膜，从而得到具备芯片与设置在所述芯片上的切断后的所述保护膜的带保护膜的芯片的工序，在晶圆的所述面上形成有成为晶圆的分割位置的沟槽。
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公开(公告)号：CN117099186A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202280026451.5
申请日：2022-03-29
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/301
Abstract: 本发明提供一种带树脂膜的单片化工件加工物(21)的制造方法，通过在线处理来执行：从层叠工序(g)到固化工序(k)，其中，层叠工序(g)在具有电路面的工件或者通过对工件进行加工而得到的工件加工物(14’)的电路面(14a)的相反侧的面(14’b)上层叠能量束固化性的树脂膜形成膜(13)而形成层叠体，固化工序(k)对树脂膜形成膜(13)照射能量束而形成树脂膜(13’)。
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