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发明公开
半导体装置的制造方法审中-实审

公开(公告)号：CN115605980A

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN202180035591.4

申请日：2021-01-27

Applicant: 琳得科株式会社(JP)

Inventor： 篠田智则 , 根本拓 , 田村樱子

IPC: H01L21/301 , H01L23/28 , H01L21/56 , H01L23/00

Abstract: 本发明提供即使用以形成屏蔽层的导电材料绕入到了半导体晶片的凸块形成面侧也能够充分抑制在凸块形成面上形成导电材料的半导体芯片的制造方法。该方法是包括下述工序(A)的半导体装置的制造方法。工序(A)：在设置有凸块的半导体晶片的凸块形成面被由固化性树脂的固化物形成的保护层所保护的半导体芯片形成屏蔽层的工序，其中，在上述凸块及上述凸块形成面中的至少任一者被包覆用片所包覆的状态下，在上述半导体芯片的从上述包覆用片露出的部分中的至少一部分形成屏蔽层。

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