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公开(公告)号：CN104508801A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201380040183.3
申请日：2013-05-02
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/301 , C09J4/00 , C09J7/02 , C09J133/00
CPC classification number: C09J133/00 , C09J4/06 , C09J7/385 , C09J2203/326
Abstract: 本发明提供，切割片1，其为即使装置相关部件的表面，特别是装置相关非平坦面部件的非平坦面为被着面的情形，亦可具有优良的粘着性的粘着剂层，且不容易发生基于粘着剂团聚物的异常的切割片，其包括：基材2；及粘着剂层3，其为层积于所述基材2的至少一个面的切割片1，粘着剂层3，为由含有丙烯酸类聚合物(A)及能量线聚合性化合物(B)的粘着剂组合物所形成者，所述粘着剂层的厚度为25μm以下，在于所述粘着剂层在于能量线照射之前的23℃的储存弹性模数为0.12MPa以下，且将所述粘着剂层3的根据JIS Z0237：2009进行的能量线照射前的保持力的测定试验所测定的保持时间为15000秒以上，亦提供使用该切割片1的装置晶片的制造方法。
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公开(公告)号：CN113453893A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202080015285.X
申请日：2020-03-24
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: B32B27/00 , C09J201/00 , H01L21/304 , H01L21/301 , C09J7/38
Abstract: 本发明提供一种半导体加工用保护片，其为依次具有基材、基材上的中间层和粘着剂层的半导体加工用保护片，其中，在65℃下保持300秒后的中间层的残留应力为300Pa以下。
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公开(公告)号：CN110079224A
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201910106826.9
申请日：2012-11-02
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: C09J7/20 , C09J7/30 , C09J175/14 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种切割片，由厚度20～200μm的基材、位于该基材表面的中间层、以及位于该中间层上厚度8～30μm的粘接剂层所构成，该粘接剂层包括分子内具有能量线硬化性双键的化合物，且该粘接剂层的硬化前的23℃储存弹性率G'为中间层的23℃储存弹性率G'的4倍以上，在高15μm、直径15μm的圆柱型电极以40μm的间距等间隔地形成3行3列所形成的晶片通过该粘接剂层粘贴的情形中，该3行3列所形成的圆柱型电极的中心的电极中，该电极高度7.5μm以下的部分不接触该粘接剂层。本发明提供的切割片在突起状电极(贯通电极)间不残留粘接剂层的残渣、晶片不破损、可切割及提取。
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公开(公告)号：CN119968694A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202380069801.0
申请日：2023-09-13
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种能够减小工件的TTV的工件的加工方法。其为一种工件的加工方法，其具有：在具有表面与背面的工件的表面贴附表面保护片的工序；及对贴附有表面保护片的工件的背面进行磨削的工序，工件的表面具有内周部和围绕内周部的外周部，外周部的高度比内周部的高度低，在贴附表面保护片的工序中，于外周部形成有凸状图案，将内周部的高度与外周部的高度的差设为Hd，并将凸状图案的高度设为H1时，Hd和H1满足Hd/1.2＜H1＜Hd/0.5的关系。
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公开(公告)号：CN104508801B
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：CN201380040183.3
申请日：2013-05-02
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/301 , C09J4/00 , C09J7/02 , C09J133/00
CPC classification number: C09J133/00 , C09J4/06 , C09J7/385 , C09J2203/326
Abstract: 本发明提供，切割片1，其为即使装置相关部件的表面，特别是装置相关非平坦面部件的非平坦面为被着面的情形，亦可具有优良的粘着性的粘着剂层，且不容易发生基于粘着剂团聚物的异常的切割片，其包括：基材2；及粘着剂层3，其为层积于所述基材2的至少一个面的切割片1，粘着剂层3，为由含有丙烯酸类聚合物(A)及能量线聚合性化合物(B)的粘着剂组合物所形成者，所述粘着剂层的厚度为25μm以下，在于所述粘着剂层在于能量线照射之前的23℃的储存弹性模数为0.12MPa以下，且将所述粘着剂层3的根据JIS Z0237：2009进行的能量线照射前的保持力的测定试验所测定的保持时间为15000秒以上，亦提供使用该切割片1的装置晶片的制造方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109463007A
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201780037693.3
申请日：2017-08-02
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L23/12 , H01L21/301 , H01L21/52 , H01L21/56 , H01L23/00 , H01L23/29 , H01L23/31 , C09J201/00
Abstract: 一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包含以下工序：在具有粘接剂层的支承基板(10)的所述粘接剂层上，将具有电路面(W1)和元件背面(W2)的多个半导体元件以元件背面(W2)朝向所述粘接剂层的方式进行贴装的工序；对贴装于支承基板(10)的所述半导体元件进行封装而形成封装体(3)的工序；在封装体(3)上形成外部端子电极，使贴装于支承基板(10)的所述半导体元件与所述外部端子电极电连接的工序；在使所述半导体元件与所述外部端子电极电连接之后，将支承基板(10)从封装体(3)剥离而使所述半导体元件的元件背面(W2)露出的工序；在露出的所述半导体元件的元件背面(W2)形成固化性的保护膜形成层的工序；使所述保护膜形成层固化而形成保护膜的工序。
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公开(公告)号：CN103087644A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201210433531.0
申请日：2012-11-02
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: C09J7/02 , C09J175/14 , H01L21/683 , H01L21/78
CPC classification number: H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L2221/68327 , H01L2221/68336 , H01L2221/68381 , H05K1/02 , H05K1/115 , Y10T428/24942
Abstract: 本发明提供一种切割片，由基材、位于该基材表面的中间层、以及位于该中间层上厚度8～30μm的粘接剂层所构成，该粘接剂层包括分子内具有能量线硬化性双键的化合物，且该粘接剂层的硬化前的23℃储存弹性率G′为中间层的23℃储存弹性率G′的4倍以上，在高15μm、直径15μm的圆柱型电极以40μm的间距等间隔地形成3行3列所形成的晶片通过该粘接剂层粘贴的情形中，该3行3列所形成的圆柱型电极的中心的电极中，该电极高度7.5μm以下的部分不接触该粘接剂层。本发明提供的切割片在突起状电极(贯通电极)间不残留粘接剂层的残渣、晶片不破损、可切割及提取。
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公开(公告)号：CN118743000A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202380024469.6
申请日：2023-03-02
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/304 , B32B3/30 , B32B7/025 , B32B37/14 , C09J5/00 , C09J7/38 , C09J201/00
Abstract: 本发明的技术问题在于提供一种能够降低工件的TTV的工件的加工方法。其解决方式为一种工件的加工方法，所述工件的加工方法具有：将表面保护片贴附到具有表面及背面的工件的表面的工序；及，对贴附有表面保护片的工件的背面进行研磨的工序，工件的表面具有凸块电极，在贴附表面保护片的工序中，在工件的表面的外周部的与形成有凸块电极的区域不同的区域形成有凸状图案，以埋入凸块电极的方式贴附表面保护片，在将凸块电极的高度设为Hb、将凸状图案的高度设为H1时，Hb及H1满足Hb/8
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公开(公告)号：CN109463007B
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN201780037693.3
申请日：2017-08-02
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L23/12 , H01L21/301 , H01L21/52 , H01L21/56 , H01L23/00 , H01L23/29 , H01L23/31 , C09J201/00
Abstract: 一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包含以下工序：在具有粘接剂层的支承基板(10)的所述粘接剂层上，将具有电路面(W1)和元件背面(W2)的多个半导体元件以元件背面(W2)朝向所述粘接剂层的方式进行贴装的工序；对贴装于支承基板(10)的所述半导体元件进行封装而形成封装体(3)的工序；在封装体(3)上形成外部端子电极，使贴装于支承基板(10)的所述半导体元件与所述外部端子电极电连接的工序；在使所述半导体元件与所述外部端子电极电连接之后，将支承基板(10)从封装体(3)剥离而使所述半导体元件的元件背面(W2)露出的工序；在露出的所述半导体元件的元件背面(W2)形成固化性的保护膜形成层的工序；使所述保护膜形成层固化而形成保护膜的工序。
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公开(公告)号：CN113613896A
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202080023259.1
申请日：2020-03-24
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: B32B27/00 , C09J201/02 , H01L21/304 , C09J7/38
Abstract: 本发明提供一种半导体加工用保护片，其为依次具有基材、基材上的中间层与粘着剂层的半导体加工用保护片，其中，基材的拉伸储能模量与基材厚度的乘积为8.0×105N/m以下，在65℃下保持300秒后的中间层的残留应力为10000Pa以下。
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