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公开(公告)号：CN114930503A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202080090569.5
申请日：2020-12-25
Applicant: 琳得科株式会社
Abstract: 本发明的课题在于提供能够使半导体芯片的强度提高、同时能够抑制保护膜的剥落的包含固化性树脂膜的套件。作为解决该课题的套件，提供包含第一固化性树脂膜(x1)和第二固化性树脂膜(x2)的套件，所述第一固化性树脂膜(x1)用于在具有具备凸块的凸块形成面的半导体芯片的所述凸块形成面及侧面这两者形成作为保护膜的第一固化树脂膜(r1)，所述第二固化性树脂膜(x2)用于在所述半导体芯片的与所述凸块形成面为相反侧的面形成作为保护膜的第二固化树脂膜(r2)。
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公开(公告)号：CN114902377A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202080090603.9
申请日：2020-12-25
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/301 , H01L23/29 , H01L23/31
Abstract: 一种半导体芯片的制造方法，其依次包含下述工序(S1)～(S4)，·工序(S1)：准备半导体芯片制作用晶圆的工序，在该半导体芯片制作用晶圆中，在具有带凸块的凸块形成面的半导体晶圆的所述凸块形成面，以未达到背面的方式形成有作为分割预定线的槽部；·工序(S2)：将第一固化性树脂(x1)按压并贴付于所述半导体芯片制作用晶圆的所述凸块形成面，利用第一固化性树脂(x1)覆盖所述半导体芯片制作用晶圆的所述凸块形成面的同时，将所述第一固化性树脂(x1)嵌入在所述半导体芯片制作用晶圆形成的所述槽部的工序；·工序(S3)：使所述第一固化性树脂(x1)固化，得到带有第一固化树脂膜(r1)的半导体芯片制作用晶圆的工序；·工序(S4)：将带有所述第一固化树脂膜(r1)的半导体芯片制作用晶圆沿着所述分割预定线单片化，得到至少所述凸块形成面以及侧面被所述第一固化树脂膜(r1)覆盖的半导体芯片的工序；在所述工序(S2)之后且所述工序(S3)之前、在所述工序(S3)之后且所述工序(S4)之前、或者在所述工序(S4)中，还包含下述工序(S‑BG)，·工序(S‑BG)：研磨所述半导体芯片制作用晶圆的所述背面的工序。
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公开(公告)号：CN113169064A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201980077823.5
申请日：2019-11-05
Applicant: 琳得科株式会社
Inventor： 四宫圭亮
IPC: H01L21/304 , H01L21/60
Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法，该方法包括：在形成有多个凸块(22)的带凸块构件(2)的凸块形成面(2A)形成树脂层(13)的工序；对树脂层(13)实施抛光来除去覆盖了凸块(22)表面的树脂层(13)的工序。
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公开(公告)号：CN111357088B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN201880072999.7
申请日：2018-11-16
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/60 , G01N23/2209 , H01L21/304
Abstract: 本实施方式的带第一保护膜的半导体芯片具备半导体芯片、与形成于所述半导体芯片的具有凸块的面上的第一保护膜，在通过能量色散X射线光谱法对所述凸块的头顶部进行分析，测定碳的检测信号的强度S(C)与锡的检测信号的强度S(Sn)时，S(C)/S(Sn)的值为0.32以下。
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公开(公告)号：CN114930504A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202080090576.5
申请日：2020-12-25
Applicant: 琳得科株式会社
Abstract: 本发明的课题在于提供能够相对于半导体芯片的凸块形成面及侧面这两者形成包覆性优异的保护膜的固化性树脂膜。作为解决该课题的固化性树脂膜，提供用于在具有凸块形成面的半导体芯片的上述凸块形成面及侧面这两者形成作为保护膜的固化树脂膜，所述凸块形成面具备凸块，该固化性树脂膜满足下述条件(I)。 在温度90℃、频率1Hz的条件下使直径25mm、厚度1mm的上述固化性树脂膜的试验片产生应变并测定上述试验片的储能模量，在将上述试验片的应变为1％时的上述试验片的储能模量设为Gc1、将上述试验片的应变为300％时的上述试验片的储能模量设为Gc300时，通过下述式(i)计算出的X值为19以上且低于10,000。X＝Gc1/Gc300····(i)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112868095A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202080005526.2
申请日：2020-02-25
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L23/29 , H01L23/31 , C09J7/35 , C09J201/00 , H01L21/301 , H01L21/60
Abstract: 本发明的热固性树脂膜为通过贴附于工件的具有凸状电极的面上并使其热固化从而用于在所述面上形成第一保护膜的热固性树脂膜，厚度为200μm的一层所述热固性树脂膜、或层叠两层以上厚度小于200μm的所述热固性树脂膜而构成的合计厚度为200μm的层叠膜的波长1342nm的透光率为50％以上。
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公开(公告)号：CN112805824A
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN202080005537.0
申请日：2020-02-25
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L23/29 , C09J7/35 , C09J201/00 , H01L21/301 , H01L21/60 , H01L23/31
Abstract: 本实施方案的热固性树脂膜为通过贴附于工件的具有凸状电极的面上并使其热固化从而用于在所述面上形成第一保护膜的热固性树脂膜，热固性树脂膜含有除具有环氧基的丙烯酸树脂以外的两种以上的热固性成分，热固性树脂膜中的所有种类的所述热固性成分的合计含量相对于热固性树脂膜的总质量的比例为40质量％以上，在对热固性树脂膜所含有的所述热固性成分的每个种类求出X值，并求出所有种类的所述热固性成分的X值的合计值时，所述合计值为400g/eq以下。
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公开(公告)号：CN112805824B
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202080005537.0
申请日：2020-02-25
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L23/29 , C09J7/35 , C09J201/00 , H01L21/301 , H01L21/60 , H01L23/31
Abstract: 本实施方案的热固性树脂膜为通过贴附于工件的具有凸状电极的面上并使其热固化从而用于在所述面上形成第一保护膜的热固性树脂膜，热固性树脂膜含有除具有环氧基的丙烯酸树脂以外的两种以上的热固性成分，热固性树脂膜中的所有种类的所述热固性成分的合计含量相对于热固性树脂膜的总质量的比例为40质量％以上，在对热固性树脂膜所含有的所述热固性成分的每个种类求出X值，并求出所有种类的所述热固性成分的X值的合计值时，所述合计值为400g/eq以下。
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公开(公告)号：CN114728508B
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202180006372.3
申请日：2021-02-25
Applicant: 琳得科株式会社
Inventor： 四宫圭亮
Abstract: 本发明提供一种树脂膜，其中，在温度为90℃、频率为1Hz的条件下，使直径为25mm、厚度为1mm的树脂膜的试验片产生应变并测定所述试验片的储能模量，当将所述试验片的应变为1％时的所述试验片的储能模量设为Gc1、将所述试验片的应变为300％时的所述试验片的储能模量设为Gc300时，通过下述式计算出的X值为19以上且小于10000，X＝Gc1/Gc300。本发明还提供一种复合片，其具备基材、设置在所述基材上的缓冲层及设置在所述缓冲层上的所述树脂膜。
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公开(公告)号：CN114728508A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202180006372.3
申请日：2021-02-25
Applicant: 琳得科株式会社
Inventor： 四宫圭亮
IPC: B32B27/00
Abstract: 本发明提供一种树脂膜，其中，在温度为90℃、频率为1Hz的条件下，使直径为25mm、厚度为1mm的树脂膜的试验片产生应变并测定所述试验片的储能模量，当将所述试验片的应变为1％时的所述试验片的储能模量设为Gc1、将所述试验片的应变为300％时的所述试验片的储能模量设为Gc300时，通过下述式计算出的X值为19以上且小于10000，X＝Gc1/Gc300。本发明还提供一种复合片，其具备基材、设置在所述基材上的缓冲层及设置在所述缓冲层上的所述树脂膜。
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