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    半导体加工用片
    2.
    发明授权
    半导体加工用片 有权

    公开(公告)号：CN108243616B

    公开(公告)日：2022-10-28

    申请号：CN201780003861.7

    申请日：2017-01-05

    Applicant: 琳得科株式会社

    Inventor： 佐藤明德 ,  中村优智 ,  山下茂之

    IPC: C09J7/20 ,  B32B27/00 ,  H01L21/304

    Abstract: 本发明提供一种半导体加工用片1，其至少具备：具有第一面101和第二面102的基材10、具有第一面801和第二面802的半导体贴附层80、及具有第一面301和第二面302的剥离膜30，第一面101的算术平均粗糙度Ra为0.01～0.8μm，第二面302的算术平均粗糙度Ra大于0.05μm且为0.8μm以下，将第二面802与第一面301贴附且在40℃下保管3天后的、在第二面802与第一面301的界面上的剥离力β为10～1000mN/50mm。该半导体加工用片1在具有优异的光线透射性的同时，不容易发生粘连。

    半导体加工用片
    3.
    发明授权
    半导体加工用片 有权

    公开(公告)号：CN108271381B

    公开(公告)日：2022-06-07

    申请号：CN201780003864.0

    申请日：2017-01-05

    Applicant: 琳得科株式会社

    Inventor： 佐藤明德 ,  中村优智 ,  山下茂之

    IPC: C09J7/20 ,  H01L21/304 ,  C09J201/00

    Abstract: 本发明提供一种半导体加工用片1，其至少具备基材10、半导体贴附层80、及剥离膜30，基材10的第一面101的算术平均粗糙度Ra为0.01～0.8μm，在将基材10的第一面101与剥离膜30的第二面302的界面上的剥离力设为α，并将在半导体贴附层80的第二面802与剥离膜30的第一面301的界面上的剥离力设为β时，α比β的比值(α/β)为0以上且小于1.0，剥离力β为10～1000mN/50mm。该半导体加工用片1在具有优异的光线透射性的同时、不容易发生粘连。

    切割片及使用该切割片的芯片制造方法
    7.
    发明授权
    切割片及使用该切割片的芯片制造方法 有权

    公开(公告)号：CN106104759B

    公开(公告)日：2019-05-17

    申请号：CN201580014857.1

    申请日：2015-03-12

    Applicant: 琳得科株式会社

    Inventor： 西田卓生 ,  佐藤明德

    IPC: H01L21/683 ,  H01L23/544 ,  C09J7/38 ,  C09J4/00 ,  C08F220/18

    Abstract: 本发明涉及一种切割片(1)，其具备基材(2)和层叠于基材(2)的至少一面上的粘着剂层(3)；该粘着剂层(3)由含有能量聚合性化合物(B)的粘着剂组合物形成；粘着剂层(3)在照射能量线之前，在23℃下的储能模量为135,000Pa以下；对于对粘着剂层(3)照射能量线之前的切割片(1)，依据JIS Z0237:2009进行相对于不锈钢试验板的180°粘着力试验时，测定的粘着力为10N/25mm以上；即使在向切割片(1)的粘着剂层(3)照射能量线后，利用Gardner式芯轴弯曲实验仪，并根据ASTM‑D522，将芯轴的直径设为2mm后对该切割片(1)进行弯曲试验，照射能量线后的粘着剂层(3)也不发生破裂。

    固化性树脂膜及第1保护膜形成用片
    8.
    发明公开
    固化性树脂膜及第1保护膜形成用片 有权

    公开(公告)号：CN108260356A

    公开(公告)日：2018-07-06

    申请号：CN201680060831.5

    申请日：2016-11-02

    Applicant: 琳得科株式会社

    Inventor： 山岸正宪 ,  佐藤明德

    IPC: C09J7/10 ,  C09J163/00

    CPC classification number: C09J7/00 ,  C09J7/20 ,  C09J163/00 ,  H01L2224/11

    Abstract: 本发明涉及一种固化性树脂膜，其包含重均分子量为200～4000的环氧类热固性成分，将该固化性树脂膜粘贴在具有平均顶部高度(h1)为50～400μm、平均直径(D)为60～500μm、平均间距为100～800μm的多个凸块(51)的半导体晶片(5)的表面(5a)，使其于100～200℃加热固化0.5～3小时而形成第1保护膜(1a)，并利用扫描电子显微镜对其纵向剖面进行观察时，凸块(51)间的中心位置处的第1保护膜(1a)的平均厚度(h3)和凸块(51)的平均顶部高度(h1)之比(h3/h1)、及与凸块(51)接触的位置处的第1保护膜(1a)的平均厚度(h2)和凸块(51)的平均顶部高度(h1)之比(h2/h1)满足下式[{(h2/h1)－(h3/h1)}≤0.1]所示的关系。

    切割片、切割片的制造方法与模具芯片的制造方法
    9.
    发明公开
    切割片、切割片的制造方法与模具芯片的制造方法 有权

    公开(公告)号：CN107078038A

    公开(公告)日：2017-08-18

    申请号：CN201580060026.8

    申请日：2015-10-20

    Applicant: 琳得科株式会社

    Inventor： 西田卓生 ,  佐藤明德

    IPC: H01L21/301 ,  C09J4/02 ,  C09J7/02 ,  C09J133/00 ,  C09J175/04

    Abstract: 本发明涉及一种切割片、切割片的制造方法及模具芯片的制造方法，切割片具有基材与层叠于基材至少一面上的粘着剂层；粘着剂层在23℃时的储能模量在照射能量线前的状态中为50kPa以上80kPa以下，在照射能量线后的状态中为5.0MPa以上120MPa以下，粘着剂层厚度小于20μm，粘着剂层的面在能量线照射前的状态下，在JIS Z0237:1991记载的方法中，通过将剥离速度变更为1mm/分钟的条件，使用试验仪所测定的能量的量为0.10mJ/5mmφ以上0.8mJ/5mmφ以下；切割片在切割工序中难以发生不良状况以及与模具芯片印字清晰度的问题。通过使用该切割片可制造出印字清晰度、品质优异，在成本上有利的模具芯片。

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