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公开(公告)号：CN115132671A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202210081725.2
申请日：2022-01-24
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L23/544
Abstract: 本发明提供一种保护膜形成用膜，其用于良好地探测处于收纳于载带中的状态的半导体芯片。所述保护膜形成用膜相对于在以CIE1976L*a*b*表色系规定的坐标中明度L*为37.9、色度a*为‑0.36、色度b*为‑2.6的颜色的、以下述式表示的色差ΔE*ab为17以上。ΔE*ab＝[(ΔL*)2+(Δa*)2+(Δb*)2]1/2。
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公开(公告)号：CN110832620A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201880044028.1
申请日：2018-02-02
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/301 , C09J7/20 , C09J201/00 , H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种隐形切割用粘着片1，其至少用于将在内部形成有改质层的半导体晶圆，在-20℃以上、10℃以下的环境下切断并分离成各个芯片，其具备：基材11与层叠在所述基材11的一面侧的粘着剂层12，经由粘着剂层12将隐形切割用粘着片1贴附在硅晶圆上时，粘着剂层12与所述硅晶圆的界面在0℃下的剪切力为190N/(3mm×20mm)以上、400N/(3mm×20mm)以下。即使所得到的芯片尺寸小时，该隐形切割用粘着片1也可通过冷却扩展良好地将半导体晶圆单片化成芯片。
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公开(公告)号：CN109997218A
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201780067345.0
申请日：2017-10-18
Applicant: 琳得科株式会社
Inventor： 山下茂之
IPC: H01L21/683 , C09J133/04
Abstract: 本发明提供一种隐形切割用粘着片，其具备基材与层叠在所述基材的单面侧的粘着剂层，所述基材在23℃下的拉伸弹性模量为50MPa以上、450MPa以下，所述粘着剂层由含有丙烯酸类共聚物的能量射线固化性粘着剂构成，所述丙烯酸类共聚物含有丙烯酸正丁酯、丙烯酸2‑羟基乙酯及烷基的碳原子数为2以下的(甲基)丙烯酸烷基酯作为结构单体。该隐形切割用粘着片的耐溶剂性及热收缩性优异。
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公开(公告)号：CN108701598A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201780012808.3
申请日：2017-01-25
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/301
Abstract: 本发明提供一种半导体加工片用基材膜，其为用于具备基材膜、以及层叠于基材膜的至少一面侧的粘着剂层的半导体加工片的半导体加工片用基材膜，其特征在于，含有氯乙烯类树脂，并进一步含有对苯二甲酸酯、己二酸酯及硬脂酸钡。本发明还提供一种具备该基材膜的半导体加工片。根据所述半导体加工片用基材膜以及半导体加工片，即使将邻苯二甲酸烷基酯的代替物质用作增塑剂，也能够显示充分的扩展性且具有良好的拾取性能，进一步能够抑制该拾取性能的经时性降低，并且能够在从被粘物上剥离时抑制残渣物的产生。
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公开(公告)号：CN105492558A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201480047439.8
申请日：2014-08-29
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: C09J7/02 , C09J9/02 , C09J11/06 , C09J133/00 , H01L21/301 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/6836 , C08K5/0025 , C08K5/0075 , C08L2312/06 , C09J7/385 , C09J9/02 , C09J133/14 , C09J2201/122 , C09J2201/606 , C09J2203/326 , C09J2205/102 , C09J2205/31 , C09J2433/00 , H01L2221/68327 , H01L2221/68336 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381 , H01L2221/68386 , C09J133/08 , C08L33/14 , C08L75/16
Abstract: 本发明提供一种半导体加工用片材。本发明的半导体加工用片材(1)具备基材(2)及层积于所述基材的至少一个面上的粘着剂层(3)，其中，粘着剂层(3)由粘着剂组合物形成，所述粘着剂组合物含有：具有盐及能量线固化性基团的聚合物、以及除上述聚合物以外的能量线固化性粘着成分。该半导体加工用片材(1)，能够发挥充分的抗静电性，并且在能量线照射后剥离时抑制被粘物的污染。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109997218B
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN201780067345.0
申请日：2017-10-18
Applicant: 琳得科株式会社
Inventor： 山下茂之
IPC: H01L21/683 , C09J133/04
Abstract: 本发明提供一种隐形切割用粘着片，其具备基材与层叠在所述基材的单面侧的粘着剂层，所述基材在23℃下的拉伸弹性模量为50MPa以上、450MPa以下，所述粘着剂层由含有丙烯酸类共聚物的能量射线固化性粘着剂构成，所述丙烯酸类共聚物含有丙烯酸正丁酯、丙烯酸2‑羟基乙酯及烷基的碳原子数为2以下的(甲基)丙烯酸烷基酯作为结构单体。该隐形切割用粘着片的耐溶剂性及热收缩性优异。
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公开(公告)号：CN116239923A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202211262176.5
申请日：2022-10-14
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: C09D133/08 , C09D163/00 , C09D7/61 , C09D7/62 , H01L21/683 , H01L21/78
Abstract: 本发明提供一种带保护膜的工件的分割性良好且能够抑制分割后的保护膜的外观不良的保护膜形成膜、具备该保护膜形成膜的保护膜形成用片及保护膜形成用复合片、以及半导体装置等装置的制造方法。所述保护膜形成膜为固化后成为保护膜的保护膜形成膜，其中，在23℃下，对固化后的保护膜形成膜实施直角撕裂试验时，直角撕裂强度为10N/mm以上，且在该直角撕裂试验中，固化后的保护膜形成膜断裂时的伸长率为10％以下。
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公开(公告)号：CN115851144A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202210884756.1
申请日：2022-07-26
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: C09J7/10 , C09J7/30 , C09J133/08 , C09J163/00 , C09J11/04 , C09J11/06 , H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种即使在对贴附后产生了损伤的保护膜形成膜实施返工的情况下返工性也良好的保护膜形成膜、具备该保护膜形成膜的保护膜形成用片及保护膜形成用复合片、以及返工方法及半导体装置等装置的制造方法。所述保护膜形成膜为用于形成保护膜的保护膜形成膜，直角撕裂试验中保护膜形成膜断裂时的伸长率在23℃下为200％以下，在硅晶圆的#2000抛光面上贴附保护膜形成膜1小时后，该保护膜形成膜对硅晶圆的粘着力在23℃下为20N/25mm以下。
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公开(公告)号：CN108243616B
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN201780003861.7
申请日：2017-01-05
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: C09J7/20 , B32B27/00 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种半导体加工用片1，其至少具备：具有第一面101和第二面102的基材10、具有第一面801和第二面802的半导体贴附层80、及具有第一面301和第二面302的剥离膜30，第一面101的算术平均粗糙度Ra为0.01～0.8μm，第二面302的算术平均粗糙度Ra大于0.05μm且为0.8μm以下，将第二面802与第一面301贴附且在40℃下保管3天后的、在第二面802与第一面301的界面上的剥离力β为10～1000mN/50mm。该半导体加工用片1在具有优异的光线透射性的同时，不容易发生粘连。
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公开(公告)号：CN108271381B
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN201780003864.0
申请日：2017-01-05
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: C09J7/20 , H01L21/304 , C09J201/00
Abstract: 本发明提供一种半导体加工用片1，其至少具备基材10、半导体贴附层80、及剥离膜30，基材10的第一面101的算术平均粗糙度Ra为0.01～0.8μm，在将基材10的第一面101与剥离膜30的第二面302的界面上的剥离力设为α，并将在半导体贴附层80的第二面802与剥离膜30的第一面301的界面上的剥离力设为β时，α比β的比值(α/β)为0以上且小于1.0，剥离力β为10～1000mN/50mm。该半导体加工用片1在具有优异的光线透射性的同时、不容易发生粘连。
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