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公开(公告)号:CN110249414A
公开(公告)日:2019-09-17
申请号:CN201880010303.8
申请日:2018-01-26
Applicant: 琳得科株式会社
Inventor: 山岸正宪
IPC: H01L21/60 , C09J7/20 , H01L21/301 , H01L21/304 , H01L21/52
Abstract: 本发明提供一种固化性树脂膜,该固化性树脂膜为通过贴附于半导体晶圆的具有凸块的表面并固化,从而用于在所述表面上形成第一保护膜的膜,固化前的该固化性树脂膜的可见光透射率为45%以下,固化前的该固化性树脂膜的红外线透射率为33%以上。本发明还提供一种第一保护膜形成用片,其具备第一支撑片,并在第一支撑片的一个面上具备该固化性树脂膜。
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公开(公告)号:CN108260356A
公开(公告)日:2018-07-06
申请号:CN201680060831.5
申请日:2016-11-02
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: C09J7/10 , C09J163/00
CPC classification number: C09J7/00 , C09J7/20 , C09J163/00 , H01L2224/11
Abstract: 本发明涉及一种固化性树脂膜,其包含重均分子量为200~4000的环氧类热固性成分,将该固化性树脂膜粘贴在具有平均顶部高度(h1)为50~400μm、平均直径(D)为60~500μm、平均间距为100~800μm的多个凸块(51)的半导体晶片(5)的表面(5a),使其于100~200℃加热固化0.5~3小时而形成第1保护膜(1a),并利用扫描电子显微镜对其纵向剖面进行观察时,凸块(51)间的中心位置处的第1保护膜(1a)的平均厚度(h3)和凸块(51)的平均顶部高度(h1)之比(h3/h1)、及与凸块(51)接触的位置处的第1保护膜(1a)的平均厚度(h2)和凸块(51)的平均顶部高度(h1)之比(h2/h1)满足下式[{(h2/h1)-(h3/h1)}≤0.1]所示的关系。
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公开(公告)号:CN108140567B
公开(公告)日:2023-08-08
申请号:CN201680061570.9
申请日:2016-11-02
Applicant: 琳得科株式会社
Abstract: 本发明涉及一种固化性树脂膜,其用于粘贴在半导体晶片的具有凸块的表面且通过进行固化而在上述表面形成第1保护膜,其中,该固化性树脂膜的固化物的杨氏模量为0.02MPa以上、且在80℃下通过探针粘性试验测定的载荷的峰值为500g以下。本发明的第1保护膜形成用片具备第1支撑片,且在第1支撑片的一侧表面上具备该固化性树脂膜。
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公开(公告)号:CN108140622B
公开(公告)日:2021-03-05
申请号:CN201680060998.1
申请日:2016-11-02
Applicant: 琳得科株式会社
Abstract: 本发明涉及热固性树脂膜和第2保护膜形成膜的套件、热固性树脂膜、第1保护膜形成用片及半导体晶片用第1保护膜的形成方法,其中,热固性树脂膜(1)及第2保护膜形成膜(2)至少包含热固性成分,通过差示扫描量热法测定的热固性树脂膜(1)的放热开始温度为第2保护膜形成膜(2)的放热开始温度以上,热固性树脂膜(1)及第2保护膜形成膜(2)的放热峰值温度分别为100~200℃,且热固性树脂膜(1)与第2保护膜形成膜(2)的放热峰值温度之差小于35℃。
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公开(公告)号:CN108140622A
公开(公告)日:2018-06-08
申请号:CN201680060998.1
申请日:2016-11-02
Applicant: 琳得科株式会社
Abstract: 本发明涉及热固性树脂膜和第2保护膜形成膜的套件、热固性树脂膜、第1保护膜形成用片及半导体晶片用第1保护膜的形成方法,其中,热固性树脂膜(1)及第2保护膜形成膜(2)至少包含热固性成分,通过差示扫描量热法测定的热固性树脂膜(1)的放热开始温度为第2保护膜形成膜(2)的放热开始温度以上,热固性树脂膜(1)及第2保护膜形成膜(2)的放热峰值温度分别为100~200℃,且热固性树脂膜(1)与第2保护膜形成膜(2)的放热峰值温度之差小于35℃。
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公开(公告)号:CN108138012A
公开(公告)日:2018-06-08
申请号:CN201680060922.9
申请日:2016-11-02
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: C09J7/30 , B32B27/00 , C09J5/00 , C09J201/00 , H01L21/304 , H01L21/56 , H01L23/29 , H01L23/31
CPC classification number: B32B27/00 , C09J5/00 , C09J7/20 , C09J201/00 , H01L21/304 , H01L21/56 , H01L23/29 , H01L23/31
Abstract: 本发明涉及第1保护膜形成用片,其是在第1基材上层叠第1粘合剂层、在上述第1粘合剂层上层叠固化性树脂层而成的,上述固化性树脂层是用于粘贴在半导体晶片的具有凸块的表面并通过进行固化而在上述表面形成第1保护膜的层,上述固化性树脂层的厚度与上述第1粘合剂层的厚度之和为110μm以上,且上述固化性树脂层的厚度为20μm~100μm。
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公开(公告)号:CN109791887B
公开(公告)日:2023-04-28
申请号:CN201780061254.6
申请日:2017-09-08
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/301
Abstract: 本发明提供一种第一保护膜形成用片,其具备第一基材、形成于第一基材上的缓冲层以及形成于缓冲层上的固化性树脂膜,将缓冲层及固化性树脂膜分别制作成直径为8mm、厚度为1mm的试验片,以90℃、1Hz的条件使这些试验片发生应变,进行测定这些试验片的剪切弹性模量G’的应变分布测量时,缓冲层的试验片的应变为300%时的缓冲层的试验片的剪切弹性模量Gb300’与固化性树脂膜的试验片的应变为300%时的固化性树脂膜的试验片的剪切弹性模量Gc300’满足Gb300’≥Gc300’的关系。
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公开(公告)号:CN110249414B
公开(公告)日:2023-04-04
申请号:CN201880010303.8
申请日:2018-01-26
Applicant: 琳得科株式会社
Inventor: 山岸正宪
IPC: H01L21/60 , C09J7/20 , H01L21/301 , H01L21/304 , H01L21/52
Abstract: 本发明提供一种固化性树脂膜,该固化性树脂膜为通过贴附于半导体晶圆的具有凸块的表面并固化,从而用于在所述表面上形成第一保护膜的膜,固化前的该固化性树脂膜的可见光透射率为45%以下,固化前的该固化性树脂膜的红外线透射率为33%以上。本发明还提供一种第一保护膜形成用片,其具备第一支撑片,并在第一支撑片的一个面上具备该固化性树脂膜。
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公开(公告)号:CN108243614B
公开(公告)日:2021-10-22
申请号:CN201680062173.3
申请日:2016-11-02
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: C09J7/30 , C09J133/08 , C09J163/00 , C09J11/04 , H01L21/304
Abstract: 本发明涉及固化性树脂膜及第1保护膜形成用片,该固化性树脂膜用于粘贴在半导体晶片的具有凸块的表面并通过进行固化而在所述表面形成第1保护膜,该固化性树脂膜在通过于160℃加热1小时而固化时的黄度指数(YI1)为45以下,或在通过于照度230mW/cm2、光量510mJ/cm2的条件下照射紫外线而固化时的黄度指数(YI2)为45以下。第1保护膜形成用片具备第1支撑片,并在第1支撑片的一侧表面上具备该固化性树脂膜。
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公开(公告)号:CN108138012B
公开(公告)日:2021-08-10
申请号:CN201680060922.9
申请日:2016-11-02
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: C09J7/30 , B32B27/00 , C09J5/00 , C09J201/00 , H01L21/304 , H01L21/56 , H01L23/29 , H01L23/31
Abstract: 本发明涉及第1保护膜形成用片,其是在第1基材上层叠第1粘合剂层、在上述第1粘合剂层上层叠固化性树脂层而成的,上述固化性树脂层是用于粘贴在半导体晶片的具有凸块的表面并通过进行固化而在上述表面形成第1保护膜的层,上述固化性树脂层的厚度与上述第1粘合剂层的厚度之和为110μm以上,且上述固化性树脂层的厚度为20μm~100μm。
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