公开(公告)号：CN106298557B

公开(公告)日：2019-08-02

申请号：CN201510267705.4

申请日：2015-05-22

申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

发明人： 沈文江

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L2224/11

摘要： 本发明公开一种基于Au/In等温凝固的低温键合方法，包括：在第一基片的键合面上形成第一金图案层；在第二基片的键合面上形成凸点图案层；在第二基片的键合面上依次形成覆盖所述凸点图案层的第二金图案层和铟图案层；将所述第一基片的键合面与所述第二基片的键合面对准并固定，以进行键合。本发明使用了在金属薄膜底层增加凸点图案层，此凸点图案层不仅降低了键合对准精度，同时也增强了键合过程中的接触力，可以大大提高键合质量。

公开(公告)号：CN104701197B

公开(公告)日：2019-07-16

申请号：CN201410539418.X

申请日：2014-09-16

申请人： 半导体元件工业有限责任公司

发明人： R·D·莫叶丝 ,  萨德哈玛·C·沙斯特瑞

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/485

CPC分类号： H01L24/94 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/78 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/02126 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/11019 ,  H01L2224/1191 ,  H01L2224/13013 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13562 ,  H01L2224/13611 ,  H01L2224/81805 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2224/11

摘要： 本发明涉及半导体器件的制造方法及其结构。在一个实施例中，导体凸块形成在半导体器件的凸块下导体上，从凸块下导体的表面延伸第一距离，包括在导体凸块外表面上形成保护层，其中多个半导体管芯随后通过用刻蚀剂刻蚀贯通半导体衬底切单，以及其中保护层保护导体凸块不受刻蚀剂刻蚀。

公开(公告)号：CN106252247B

公开(公告)日：2019-07-05

申请号：CN201610801672.1

申请日：2016-09-05

申请人： 江苏纳沛斯半导体有限公司

发明人： 杨雪松 ,  谢志峰

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/488

CPC分类号： H01L2224/11

摘要： 一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：基底，所述基底表面具有凹槽，所述凹槽暴露出金属层表面；位于所述金属层表面以及部分基底表面的金属凸块，所述金属凸块的横截面形状与凹槽的横截面形状相同，且所述金属凸块的各个侧壁与凹槽侧壁之间的垂直距离相等。上述半导体结构中的金属凸块不易断裂或脱落。

公开(公告)号：CN109791894A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201780057483.0

申请日：2017-09-18

申请人： 德卡科技公司

发明人： 克拉格·必绍普 ,  克里斯多佛·M·斯坎伦

IPC分类号： H01L21/66

CPC分类号： H01L22/20 ,  H01L21/31 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/32 ,  H01L2224/02377 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/2101 ,  H01L2224/211 ,  H01L2224/221 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01074

摘要： 本发明公开一种半导体装置及方法可包括：测量在嵌入式晶粒面板内的多个半导体晶粒的各自的真实位置。确定多个半导体晶粒中的每个的总径向位移。通过根据优先级列表将总径向位移的一部分分步至每个层，将多个半导体晶粒的每个总径向位移分步至每个半导体晶粒的两个或更多层，以形成用于每一层的分布径向位移。可使用每一层的分布径向位移来变换用于多个半导体晶粒的每一层的变换。在多个半导体晶粒的每个上可形成单元特定图案，该单元特定图案含有用于多个层的每个的变换。

公开(公告)号：CN109670377A

公开(公告)日：2019-04-23

申请号：CN201710953667.7

申请日：2017-10-13

申请人： 南昌欧菲生物识别技术有限公司

发明人： 陈楠 ,  赵彦鼎 ,  黄鑫源 ,  陈孝培

IPC分类号： G06K9/00 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L2224/11 ,  G06K9/00013 ,  H01L23/481

摘要： 本发明涉及一种指纹模组及设有该指纹模组的电子设备，指纹模组包括：电路板；芯片；盖板，覆盖于芯片远离电路板一侧；其中，芯片包括芯片主体、引脚、焊盘及焊球，引脚嵌设于芯片主体，焊盘设于芯片主体面向电路板一侧，焊球设于焊盘上且电连接焊盘与电路板，芯片主体上开设有连接孔，连接孔自引脚延伸至芯片主体设有焊盘一侧，引脚与焊盘通过连接孔电连接；芯片还包括布线层，布线层电连接引脚，并经过连接孔延伸至芯片主体设有焊盘一侧与焊盘电连接。上述指纹模组，芯片主体上的引脚通过经过连接孔的布线层连接于焊盘，进而通过焊球连接电路板，从而使芯片主体与电路板电连接，而无需设置用于电连接于引脚的基板，从而减小了指纹模组的厚度。

公开(公告)号：CN109037160A

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201810154963.5

申请日：2018-02-23

申请人： 日月光半导体制造股份有限公司

发明人： 陈建桦 ,  陈明宏 ,  施旭强

IPC分类号： H01L23/13 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L23/49827 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/486 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/49894 ,  H01L23/5389 ,  H01L2224/11 ,  H05K1/162 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L23/13

摘要： 半导体装置封装包含衬底、第一绝缘层、支撑膜及互连结构。所述衬底具有第一侧壁、第一表面及与所述第一表面相对的第二表面。所述第一绝缘层处于所述衬底的所述第一表面上并且具有第二侧壁。所述第一绝缘层具有第一表面及邻近于所述衬底且与所述第一绝缘层的所述第一表面相对的第二表面。所述支撑膜处于所述衬底的所述第二表面上并且具有第三侧壁。所述支撑膜具有邻近于所述衬底的第一表面及与所述支撑膜的所述第一表面相对的第二表面。所述互连结构通过所述第一绝缘层及所述支撑膜从所述第一绝缘层的所述第一表面延伸到所述支撑膜的所述第二表面。所述互连结构覆盖所述第一、第二及第三侧壁。

公开(公告)号：CN106158818B

公开(公告)日：2018-11-30

申请号：CN201610221935.1

申请日：2016-04-11

申请人： 联发科技股份有限公司

发明人： 蔡宪聪

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/48

CPC分类号： H01L25/16 ,  H01L21/4832 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L21/568 ,  H01L23/293 ,  H01L23/31 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/03 ,  H01L24/06 ,  H01L24/14 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/24 ,  H01L24/25 ,  H01L24/43 ,  H01L24/46 ,  H01L24/82 ,  H01L24/96 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/02381 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/24146 ,  H01L2224/24195 ,  H01L2224/24225 ,  H01L2224/2512 ,  H01L2224/25174 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/82101 ,  H01L2224/96 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06506 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/18165 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19104 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/82

摘要： 本发明公开了一种半导体封装及其制作方法。其中该半导体封装包含有半导体晶粒、多个I/O垫、模封材和多个打印的内连结构。其中该多个I/O垫分布在该半导体晶粒的主动面上。其中，该模封材覆盖该半导体晶粒的主动面，并且该模封材的下表面与该半导体晶粒的下表面齐平。其中，该多个内连结构嵌入于该模封材中，并电连接该多个I/O垫。其中各个该打印的内连结构包含导电接线以及导电接垫，其中该导电接线与该导电接垫是一体成型的。该半导体封装，利用打印技术(如3D打印)来形成内连结构，因此可以提高半导体封装的良品率。

公开(公告)号：CN103887187B

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201410061904.5

申请日：2014-02-24

申请人： 通富微电子股份有限公司

发明人： 夏鑫 ,  丁万春 ,  高国华

IPC分类号： H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L23/31 ,  H01L23/488

CPC分类号： H01L2224/11 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

摘要： 一种半导体封装结构的形成方法，包括：提供半导体芯片，在芯片的焊盘上依次形成耐热金属层和金属浸润层，在金属浸润层上依次形成附着层和阻挡层，在阻挡层上形成焊料后回流，形成柱状凸点；提供引线框架，将形成有柱状凸点的芯片倒装于引线框架上，所述柱状凸点与引线框架的内引脚电连接；形成密封所述芯片、柱状凸点和引线框架，并裸露出所述外引脚的塑封层。本发明使得封装结构占据的横向的面积减小，整个封装结构的体积相应减小，提高了封装结构的集成度。

公开(公告)号：CN108701680A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201680082975.0

申请日：2016-03-31

申请人： 英特尔公司

发明人： V.K.奈尔 ,  D.劳拉内

IPC分类号： H01L23/552 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L23/552 ,  H01L21/78 ,  H01L21/82 ,  H01L23/48 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06537 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/03

摘要： 本文描述了一种带有使用金属层和通孔的电磁屏蔽的半导体封装。在一个示例中，封装包含具有前侧和背侧的硅衬底，前侧包含有源电路和用于附接到衬底的触点阵列，在管芯的背侧上方的用于防护有源电路不受通过背侧的干扰的敷金属层，以及在一端耦合到背侧敷金属并且在另一端耦合到连接盘阵列的前侧连接盘的用于防护有源电路不受通过管芯的侧面的干扰的多个硅通孔。

公开(公告)号：CN106449561B

公开(公告)日：2018-09-28

申请号：CN201611058184.2

申请日：2016-11-27

申请人： 乐清市风杰电子科技有限公司

发明人： 王汉清

IPC分类号： H01L23/367 ,  H01L23/552 ,  H01L23/488

CPC分类号： H01L2224/11

摘要： 本发明提供了一种具有散热结构的晶圆封装，包括：半导体衬底，具有相对的上表面和下表面；位于所述上表面的多个焊盘；位于所述多个焊盘上的多个焊球；覆盖所述上表面的阻焊层，所述阻焊层露出所述多个焊球并且未覆盖所述上表面的边缘位置；环绕所述阻焊层的金属导热层，所述金属导热层仅位于所述上表面的边缘位置；位于所述下表面的散热层；以及连接所述金属导热层和所述散热层的多个导热通孔；所述金属导热层的厚度小于所述阻焊层的厚度。