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    一种功率芯片封装结构及其制备方法、印制电路板组件
    1.
    发明公开
    一种功率芯片封装结构及其制备方法、印制电路板组件

    公开(公告)号：CN118969642A

    公开(公告)日：2024-11-15

    申请号：CN202410726928.1

    申请日：2024-06-05

    申请人： 深南电路股份有限公司

    发明人： 朱凯 ,  王泽东 ,  方明亮

    IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L21/56 ,  H01L21/50 ,  H01L21/48 ,  H01L23/13 ,  H01L23/14 ,  H01L23/31 ,  H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L23/488 ,  H05K1/18 ,  H05K1/02

    摘要： 本发明涉及芯片封装技术领域，特别涉及一种功率芯片封装结构及其制备方法、印制电路板组件。本发明的功率芯片封装结构的制备方法先将功率芯片固定在具有框架导电部和框架散热部的金属框架中，并利用第一介质层将框架导电部、框架散热部和功率芯片之间相互绝缘，并将功率芯片封装结构的三个电极制备在功率芯片封装结构的同一侧，本发明的制备方法，将功率芯片的电极通过框架导电部引至共面电极侧与功率芯片封装结构的共面电极连接，无需额外引入引线对芯片进行键合，降低封装的寄生电感的同时，极大的减小了功率芯片封装结构的体积，同时，本发明的制备方法设置了用于功率芯片散热的框架散热部，显著提升了功率芯片封装结构的散热性能。

    功率放大芯片、功率放大系统和电子设备
    2.
    发明公开
    功率放大芯片、功率放大系统和电子设备 审中-公开

    公开(公告)号：CN118943108A

    公开(公告)日：2024-11-12

    申请号：CN202410975878.0

    申请日：2024-07-19

    申请人： 维沃移动通信有限公司

    发明人： 李乐乐 ,  李伟

    IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L23/498 ,  H01L23/13 ,  H01L23/48 ,  H03F3/181 ,  H03F3/20

    摘要： 本申请公开了一种功率放大芯片、功率放大系统和电子设备，所述功率放大芯片包括：壳体、连接层和至少两个裸芯片，所述壳体和所述连接层中至少一者开设有安装腔；所述连接层与所述壳体层叠设置，且所述连接层与所述壳体连接，所述裸芯片朝向所述连接层一侧的表面设有功率放大电路，且所述连接层背对所述壳体的第一端面的一侧设有焊盘；每个裸芯片包括的功率放大电路通过所述连接层与所述焊盘中对应的引脚电连接。

    电子封装件及其制法
    4.
    发明公开
    电子封装件及其制法 审中-实审

    公开(公告)号：CN118748174A

    公开(公告)日：2024-10-08

    申请号：CN202411141518.7

    申请日：2024-08-20

    申请人： 芯爱科技(南京)有限公司

    发明人： 陈盈儒 ,  陈敏尧 ,  林松焜 ,  张垂弘

    IPC分类号： H01L23/15 ,  H01L23/14 ,  H01L23/13 ,  H01L23/498 ,  H01L21/48 ,  H01L21/52

    摘要： 一种电子封装件及其制法，包括于核心板上形成容置槽及凹槽，且将第一电子元件与第二电子元件分别设于该容置槽与该凹槽中，并将第一介电层形成于该核心板上并填入该容置槽及凹槽中以包覆该第一表面与第二电子元件，使第一线路层设于该第一介电层上且电性连接该第一表面与第二电子元件，借由该核心板与该第一或第二电子元件之间的热膨胀系数(CTE)相匹配，以利于分散热应力，因而于工艺中不会发生翘曲、变形等问题。

    半导体结构的制备方法及半导体结构
    6.
    发明公开
    半导体结构的制备方法及半导体结构 审中-实审

    公开(公告)号：CN118692927A

    公开(公告)日：2024-09-24

    申请号：CN202410790704.7

    申请日：2024-06-19

    申请人： 长电集成电路(绍兴)有限公司

    发明人： 李慧 ,  李宗怿 ,  潘波 ,  张章龙 ,  陶佳强 ,  张诺琦 ,  江斐

    IPC分类号： H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L23/13 ,  H01L23/31 ,  H01L23/488 ,  H01L23/498

    摘要： 本发明涉及一种半导体结构的制备方法及半导体结构。半导体结构的制备方法包括：提供基板，基板的顶面键合有布线层，布线层远离基板的一侧倒装有器件层；于布线层远离基板的表面形成填充层，填充层包覆器件层的外表面；去除部分基板，以形成支撑结构；支撑结构内具有多个通孔，通孔暴露出布线层靠近基板的部分表面；于多个通孔内形成多个凸台结构，凸台结构与布线层电连接；凸台结构的厚度小于支撑结构的厚度；去除部分填充层以形成包封层，包封层包覆器件层的侧表面，并暴露出器件层远离基板的表面。上述半导体结构的制备方法能够有效避免倒装封装工艺中的结构翘曲。

    腔体式封装结构及封装方法
    7.
    发明授权
    腔体式封装结构及封装方法 有权

    公开(公告)号：CN112582350B

    公开(公告)日：2024-09-24

    申请号：CN201910935695.5

    申请日：2019-09-29

    申请人： 江苏长电科技股份有限公司

    发明人： 张益青 ,  刘怡 ,  刘庭 ,  金华 ,  刘燚

    IPC分类号： H01L23/04 ,  H01L23/13 ,  H01L21/52

    摘要： 本发明涉及的一种腔体式封装结构及封装方法，所述腔体式封装结构包括热沉，所述热沉上设有下层芯片及金属柱，所述金属柱上设有金属隔层板，所述金属隔层板上设有与所述金属隔层板下的所述金属柱数量匹配且位置对应的上层芯片。通过上述设置，可解决目前腔体式封装结构需要进一步高密度、集成化排布设计的需要。

    布线基板、电子装置以及电子模块
    9.
    发明公开
    布线基板、电子装置以及电子模块 审中-实审

    公开(公告)号：CN118661475A

    公开(公告)日：2024-09-17

    申请号：CN202380020911.8

    申请日：2023-02-22

    申请人： 京瓷株式会社

    发明人： 竹岛祐城 ,  细井义博

    IPC分类号： H05K1/03 ,  H01L23/13 ,  H01L23/15 ,  H05K1/09 ,  H05K3/18

    摘要： 布线基板具有基体，所述基体具有第一面和位于第一面的相反侧的第二面，基体具有：第一层粒子，位于第一面侧的表层；第二层粒子，与第一层粒子在第二面侧相邻；金属层，至少位于第一层粒子与第二层粒子之间；第一粘接层，位于第一层粒子与金属层之间，并与第一层粒子和金属层相接；以及第二粘接层，位于第二层粒子与金属层之间，并与第二层粒子和金属层相接。

    陶瓷布线基板、电子装置和电子模块
    10.
    发明公开
    陶瓷布线基板、电子装置和电子模块 审中-实审

    公开(公告)号：CN118661252A

    公开(公告)日：2024-09-17

    申请号：CN202380020912.2

    申请日：2023-02-22

    申请人： 京瓷株式会社

    发明人： 山本诚

    IPC分类号： H01L23/13 ,  H05K1/03

    摘要： 本发明提供虽然薄但韧性更高且与布线的连接强度更高的陶瓷布线基板、电子装置和电子模块。陶瓷布线基板(21)具有：陶瓷烧结体(211)，氧化铝结晶相和氧化锆结晶相是主要成分，并且包含作为副成分的氧化锰和二氧化硅；以及布线(212)，该布线(212)位于陶瓷烧结体(211)的表面和内部中的至少一者，并且以钼为主要成分。氧化锆结晶相包含第一结晶粒子(211a)以及粒径比该第一结晶粒子(211a)大的第二结晶粒子(211b)，位于陶瓷烧结体(211)与布线(212)的界面的第二结晶粒子(211b)包括进入布线(212)的凹部的粒子。