公开(公告)号：CN118866837A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202411337873.1

申请日：2024-09-25

申请人： 长电集成电路(绍兴)有限公司

发明人： 郑芳 ,  沈思涛 ,  张章龙 ,  吴红儒 ,  张诺琦 ,  李宗怿 ,  潘波

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L23/538 ,  H01L21/56 ,  H01L21/48

摘要： 本公开涉及一种封装层及其制备方法、半导体器件、电子设备，包括：衬底；目标金属层，位于所述衬底上，所述目标金属层包括底边和向上倾斜的两个侧边，所述底边与所述衬底贴合，两个侧边分别与所述衬底形成预设夹角；封装层，位于目标金属层上，所述封装层的顶部尺寸大于所述目标金属层的底边尺寸。本公开至少能够避免封装层形成上小下大的梯形，提升封装层的电性数据。

公开(公告)号：CN118234150A

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN202410465775.X

申请日：2024-04-18

申请人： 长电集成电路(绍兴)有限公司

发明人： 滕玉超 ,  林煜斌 ,  许祥辉 ,  魏朋忠 ,  赵文翰 ,  杨世杰 ,  张诺琦 ,  张玉润

IPC分类号： H05K3/40 ,  H05K1/18 ,  H05K1/11

摘要： 本申请公开了一种用于翘曲基板的印刷网板及印刷植球方法，包括以下步骤：S10、获取基板的等高拟合图；S20、将等高拟合图中Z轴数据最小的区域划分为A区，Z轴数据最大的区域划分为D区，将Z轴数据在A与D之间的区域划分成n个过渡区；S30、在网板上打孔形成网孔，网板上对应基板不同区域的网孔大小不同，A区的网孔面积最小，D区的网孔面积最大；S40、在网板上通过刮刀涂覆锡膏，以涂覆于基板的各焊盘上形成焊球。根据基板各处与网板各处距离的不同，即基板各处翘曲程度的不同，针对对应基板不同区的网板网孔进行缩孔或扩孔设计，使得各处网孔在基板上的形成的焊球面积、体积几乎相同，且焊球之间不会发生融合和桥接。从而提高了植球质量。

公开(公告)号：CN118841337A

公开(公告)日：2024-10-25

申请号：CN202410980809.9

申请日：2024-07-22

申请人： 长电集成电路(绍兴)有限公司

发明人： 夏江 ,  张诺琦 ,  李宗怿 ,  张章龙

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/488

摘要： 本发明涉及一种凸点的制作方法，涉及半导体封装技术领域，该凸点的制作方法中，由于形成的填充层将半导体结构的边缘区域填平，使边缘区域在第一方向上的厚度与中间区域的厚度平齐，再在半导体结构的一侧形成导电材料层时，由于不存在台阶，所以导电材料层可以实现全覆盖，不再出现断连的情况，此时将电镀端子搭接在导电材料层一侧，就可以在半导体结构上电镀凸点，这种电镀凸点的方法可以保证凸点的形成，提高了半导体结构的成品率。

公开(公告)号：CN118507430A

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202410694267.9

申请日：2024-05-31

申请人： 长电集成电路(绍兴)有限公司

发明人： 张章龙 ,  张诺琦 ,  方佳浩 ,  杨文豪 ,  杨盼盼

IPC分类号： H01L21/78 ,  B23K26/364

摘要： 本申请公开了一种封装结构及其制备方法，该方法包括：提供正面形成有应力层的晶圆，所述晶圆包括器件区和划片区，所述划片区用于隔离相邻所述器件区；采用激光烧蚀工艺，沿预设路径于所述划片区形成应力缓冲槽，所述应力缓冲槽至少贯穿所述应力层；沿所述预设路径切割所述晶圆，以将所述晶圆分裂成与所述器件区对应的封装结构，形成贯穿所述晶圆的切割槽；其中，所述切割槽与所述应力缓冲槽相连通。降低划片裂纹的产生及蔓延，提高良品率。

公开(公告)号：CN118156160A

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202410246462.5

申请日：2024-03-05

申请人： 长电集成电路(绍兴)有限公司

发明人： 刘新 ,  李宗怿 ,  潘波 ,  罗富铭 ,  唐彬杰 ,  李健 ,  张诺琦

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/488

摘要： 本公开涉及一种半导体结构及其制备方法。该半导体结构的制备方法包括：提供晶圆，晶圆具有位于其中心的镂空区和位于其边缘的电镀区；电镀区包括靠近镂空区的第一目标区域和远离镂空区的第二目标区域；于晶圆的一侧形成光刻胶层；刻蚀光刻胶层，形成位于第一目标区域内的多个第一通孔，以及位于第二目标区域内的多个第二通孔；第一通孔和第二通孔呈阵列排布；第一通孔的孔径大于第二通孔的孔径；于各通孔内同步电镀金属材料，以形成填充各第一通孔的第一金属柱以及填充各第二通孔的第二金属柱；第一金属柱的高度等于第二金属柱的高度。本公开有利于提高电镀形成的金属柱的高度均匀性，从而有利于提升半导体结构中金属柱的连接可靠性。

公开(公告)号：CN118692927A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202410790704.7

申请日：2024-06-19

申请人： 长电集成电路(绍兴)有限公司

发明人： 李慧 ,  李宗怿 ,  潘波 ,  张章龙 ,  陶佳强 ,  张诺琦 ,  江斐

IPC分类号： H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L23/13 ,  H01L23/31 ,  H01L23/488 ,  H01L23/498

摘要： 本发明涉及一种半导体结构的制备方法及半导体结构。半导体结构的制备方法包括：提供基板，基板的顶面键合有布线层，布线层远离基板的一侧倒装有器件层；于布线层远离基板的表面形成填充层，填充层包覆器件层的外表面；去除部分基板，以形成支撑结构；支撑结构内具有多个通孔，通孔暴露出布线层靠近基板的部分表面；于多个通孔内形成多个凸台结构，凸台结构与布线层电连接；凸台结构的厚度小于支撑结构的厚度；去除部分填充层以形成包封层，包封层包覆器件层的侧表面，并暴露出器件层远离基板的表面。上述半导体结构的制备方法能够有效避免倒装封装工艺中的结构翘曲。

公开(公告)号：CN118676009A

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202410856813.4

申请日：2024-06-28

申请人： 长电集成电路(绍兴)有限公司

发明人： 张章龙 ,  杨文豪 ,  张诺琦 ,  陶佳强 ,  潘波 ,  李宗怿

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/498

摘要： 本公开实施例涉及一种芯片封装方法和芯片封装结构。该方法包括：提供形成有多个间隔设置的导电插塞的基底；采用溅射工艺于基底的第一表面形成支撑保护层，支撑保护层靠近基底的表面与述基底贴合，支撑保护层远离基底的表面的平整度小于预设值；去除基底的第二表面的部分基底，以露出各导电插塞，第二表面与第一表面相对设置；将基底键合于载板上，基底的第二表面靠近载板；去除基底的第一表面的支撑保护层；将芯片倒装于基底的第一表面，芯片与导电插塞连接。实现对各导电插塞长度的精确控制，节约了耗材，提高了芯片封装结构的良率。

公开(公告)号：CN118299279A

公开(公告)日：2024-07-05

申请号：CN202410686313.0

申请日：2024-05-30

申请人： 长电集成电路(绍兴)有限公司

发明人： 李慧 ,  李宗怿 ,  潘波 ,  张章龙 ,  张诺琦 ,  唐彬杰 ,  沈思涛

IPC分类号： H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L23/31

摘要： 本申请公开了芯片封装方法和芯片封装结构，芯片封装方法包括：提供载板，载板包括邻接的芯片区和连接区；将芯片置于芯片区上；于芯片上形成塑封层，塑封层至少沿芯片的侧壁延伸至连接区；于塑封层上形成光刻胶图案，光刻胶图案中形成有用于定义导电结构形成位置的多个第一开口；于连接区，以第一开口自对准形成至少贯穿所述塑封层的若干通孔；于通孔中形成导电结构。制程简单，成本低。

公开(公告)号：CN221935622U

公开(公告)日：2024-11-01

申请号：CN202420532679.8

申请日：2024-03-19

申请人： 长电集成电路(绍兴)有限公司

发明人： 李京智 ,  林煜斌 ,  宁瑞强 ,  渠立松 ,  李猛猛 ,  张小鹏 ,  张诺琦 ,  单一航 ,  王木远

IPC分类号： B23K3/08

摘要： 本申请涉及除锡装置的技术领域，尤其是涉及一种用于去除基板表面锡球的装置，包括机台，所述机台设置有用于固定基板的固定夹具，所述机台上且位于固定夹具上侧设有热风组件，所述热风组件包括架设于固定夹具上方的热风箱、设置于热风箱上的热源，所述机台上沿水平方向滑移设置有柔性擦除件。本申请具有以下效果：固定夹具将基板本体进行固定，在基板上侧涂覆一层助焊剂，在擦除前，通过热风组件对基板整体进行加热，热源提供热量，热风箱将热风输送至基板上侧，从而使得基板的温度上升，继而通过滑动的柔性擦除件将残锡直接拖除，较为方便，且柔性的部分不会损伤基板以及其他部件。