公开(公告)号：CN118156160A

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202410246462.5

申请日：2024-03-05

申请人： 长电集成电路(绍兴)有限公司

发明人： 刘新 ,  李宗怿 ,  潘波 ,  罗富铭 ,  唐彬杰 ,  李健 ,  张诺琦

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/488

摘要： 本公开涉及一种半导体结构及其制备方法。该半导体结构的制备方法包括：提供晶圆，晶圆具有位于其中心的镂空区和位于其边缘的电镀区；电镀区包括靠近镂空区的第一目标区域和远离镂空区的第二目标区域；于晶圆的一侧形成光刻胶层；刻蚀光刻胶层，形成位于第一目标区域内的多个第一通孔，以及位于第二目标区域内的多个第二通孔；第一通孔和第二通孔呈阵列排布；第一通孔的孔径大于第二通孔的孔径；于各通孔内同步电镀金属材料，以形成填充各第一通孔的第一金属柱以及填充各第二通孔的第二金属柱；第一金属柱的高度等于第二金属柱的高度。本公开有利于提高电镀形成的金属柱的高度均匀性，从而有利于提升半导体结构中金属柱的连接可靠性。

公开(公告)号：CN219419015U

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN202320477445.3

申请日：2023-03-06

申请人： 长电集成电路(绍兴)有限公司

发明人： 张章龙 ,  梁新夫 ,  李宗怿 ,  潘波 ,  罗富铭 ,  陶佳强 ,  唐彬杰 ,  李健 ,  郝俊峰

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L23/544 ,  H01L23/498

摘要： 本实用新型提供一种半导体封装结构，包括：重布线结构；芯片，位于重布线结构的一侧；位于重布线结构和芯片之间的导电连接结构；底填胶层，位于芯片和重布线结构之间且包围导电连接结构的侧壁；重布线结构包括：介质层；第一布线层至第N布线层，第一布线层至第N布线层在介质层的厚度方向上排布且逐渐远离芯片；位于介质层中的基础标记部以及底层标记单元，基础标记部与芯片在介质层表面的正投影无重合；底层标记单元至少包括一个底层标记部，基础标记部朝向芯片的表面被介质层暴露；在介质层的厚度方向上，基础标记部全部覆盖底层标记单元，N为大于或等于2的整数。本实用新型的半导体封装结构能够减小底填胶层的用量测试误差。

公开(公告)号：CN217222214U

公开(公告)日：2022-08-19

申请号：CN202220851180.4

申请日：2022-04-13

申请人： 长电集成电路(绍兴)有限公司

发明人： 张章龙 ,  吴明 ,  罗富铭 ,  李健 ,  唐彬杰 ,  吴子恺 ,  王嘉炜

IPC分类号： B05C11/10

摘要： 本实用新型涉及晶圆封装设备领域，尤其涉及一种光刻胶出胶量控制系统，目的是实现在半导体封装时，光刻胶出胶量的动态控制，达到节省人工以及提升效率的目的；包括：出胶泵，内部设置有用于容纳光刻胶的第一腔室，在所述第一腔室内部设置有用于推动光刻胶朝向出胶管方向运动的活塞部；进胶管，一端与所述第一腔室连通，另一端连接光刻胶供应设备；出胶管，一端与所述第一腔室连通，另一端朝向晶圆转台；活塞泵，设置于出胶泵外部，与活塞部动力连接，用于带动活塞部在所述第一腔室内往复运动；行程调节模块，与活塞泵动力连接，用于控制活塞泵的输出参数；流量计，并联于出胶管上，用于控制出胶管的流量；控制器，电性连接流量计与行程调节模块。