本公开涉及一种半导体结构及其制备方法。该半导体结构的制备方法包括：提供晶圆，晶圆具有位于其中心的镂空区和位于其边缘的电镀区；电镀区包括靠近镂空区的第一目标区域和远离镂空区的第二目标区域；于晶圆的一侧形成光刻胶层；刻蚀光刻胶层，形成位于第一目标区域内的多个第一通孔，以及位于第二目标区域内的多个第二通孔；第一通孔和第二通孔呈阵列排布；第一通孔的孔径大于第二通孔的孔径；于各通孔内同步电镀金属材料，以形成填充各第一通孔的第一金属柱以及填充各第二通孔的第二金属柱；第一金属柱的高度等于第二金属柱的高度。本公开有利于提高电镀形成的金属柱的高度均匀性，从而有利于提升半导体结构中金属柱的连接可靠性。