发明公开
CN118507430A 封装结构及其制备方法
审中-实审
- 专利标题： 封装结构及其制备方法
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申请号： CN202410694267.9申请日： 2024-05-31
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公开(公告)号： CN118507430A公开(公告)日： 2024-08-16
- 发明人: 张章龙 , 张诺琦 , 方佳浩 , 杨文豪 , 杨盼盼
- 申请人： 长电集成电路(绍兴)有限公司
- 申请人地址： 浙江省绍兴市越城区临江路500号
- 专利权人： 长电集成电路(绍兴)有限公司
- 当前专利权人： 长电集成电路(绍兴)有限公司
- 当前专利权人地址： 浙江省绍兴市越城区临江路500号
- 代理机构： 华进联合专利商标代理有限公司
- 代理商 姚姝娅
- 主分类号： H01L21/78
- IPC分类号： H01L21/78 ; B23K26/364
摘要：
本申请公开了一种封装结构及其制备方法，该方法包括：提供正面形成有应力层的晶圆，所述晶圆包括器件区和划片区，所述划片区用于隔离相邻所述器件区；采用激光烧蚀工艺，沿预设路径于所述划片区形成应力缓冲槽，所述应力缓冲槽至少贯穿所述应力层；沿所述预设路径切割所述晶圆，以将所述晶圆分裂成与所述器件区对应的封装结构，形成贯穿所述晶圆的切割槽；其中，所述切割槽与所述应力缓冲槽相连通。降低划片裂纹的产生及蔓延，提高良品率。
IPC分类:
