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公开(公告)号：CN118943115A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202410467725.5
申请日：2024-04-18
申请人： 安华高科技股份有限公司
IPC分类号： H01L23/498 , H01L23/15 , H01L23/14 , H01L21/48
摘要： 本发明针对于无核心衬底及其制造方法。根据实施例，本发明提供包含耦合到衬底的电路的半导体装置。所述衬底包括多个层，所述多个层中的一些层包括有机材料。在一些实施方案中，所述衬底可为不含核心材料的无核心衬底。还存在其它实施例。
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公开(公告)号：CN118919530A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202411012772.7
申请日：2024-07-26
申请人： 臻驱科技(上海)有限公司
IPC分类号： H01L25/18 , H01L23/495 , H01L21/66 , H01L23/29 , H01L23/48 , H01L23/15 , H01L23/498
摘要： 本发明提供了一种功率半导体模块衬底和功率半导体模块，包括沿第一方向设置的第一功率金属敷层、第二功率金属敷层，其侧边至少部分相邻，第一辅助功率金属敷层设于第一功率金属敷层、第二功率金属敷层之间，且与第一功率金属敷层、第二功率金属敷层相邻。第一功率金属敷层、第二功率金属敷层贯穿功率半导体模块衬底的第二方向，第二方向与第一方向垂直。功率端子设于模块衬底的上侧，信号端子设于模块衬底的下侧；AC端子与第一辅助功率金属敷层连接，DC正极端子与第二功率金属敷层连接，DC负极端子与第一辅助功率金属敷层连接；第一功率金属敷层、第二功率金属敷层上分别设有至少两个功率半导体芯片，功率半导体芯片包括IGBT芯片、MOSFET芯片和快恢复二极管芯片。
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公开(公告)号：CN114242665B
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202111455958.6
申请日：2021-12-01
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： H01L23/15 , H01L23/58 , H01L23/49 , H01L23/488
摘要： 本发明提供了一种基于BGA焊球的差分传输结构，属于陶瓷封装技术领域，包括：HITCE上基板；两条间隔设置的上差分传输线，均自HITCE上基板的上表面贯穿至下表面，且在HITCE上基板的上表面形成上测试点；HITCE下基板，与HITCE上基板层叠设置；两条间隔设置的下差分传输线，均自HITCE下基板的上表面在HITCE下基板的厚度方向折弯延伸，并从HITCE下基板的上表面穿出形成下测试点；信号传输焊球，设于HITCE上基板和HITCE下基板之间，上差分传输线和下差分传输线通过信号传输焊球连接；以及多个接地焊球，绕信号传输焊球设置，且与HITCE上基板和HITCE下基板中的回流地层连接。
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公开(公告)号：CN118866832A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410519828.1
申请日：2024-04-28
申请人： 力特保险丝公司
IPC分类号： H01L23/31 , H01L23/15 , H01L23/498 , H01L23/367 , H01L23/373
摘要： 本发明公开了具有高性能陶瓷衬底的电隔离分立封装。一种衬底封装装置可以包括衬底，该衬底包含陶瓷主体、设置在陶瓷主体的顶侧上的顶部金属层、以及设置在陶瓷主体的与顶部表面相对的底侧上的底部金属层。衬底封装装置可以进一步包括引线结构，该引线结构电连接到顶部金属层，并且与底部金属层电隔离，其中衬底和引线结构被布置在分立封装中，并且其中陶瓷主体由高热导率材料形成。
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公开(公告)号：CN118841329A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202410918944.0
申请日：2024-07-10
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： H01L21/48 , H01L23/498 , H01L23/15
摘要： 本发明提供了一种基于HTCC及AMB的多层氮化硅陶瓷基板及制备方法，属于陶瓷封装技术领域，所述方法包括：采用HTCC工艺加工多层氮化硅陶瓷基板，进行多层布线、印刷图形并制作垂直互连孔；采用AMB工艺在所述多层氮化硅陶瓷基板的表面进行覆铜处理；在覆铜层上的刻蚀图形；刻蚀的图形经垂直互连孔与多层氮化硅陶瓷基板内埋层的钨导体层互连。本发明为HTCC和AMB工艺相结合，陶瓷基板加工采用HTCC工艺，表层导体图形加工采用AMB工艺，不仅具有HTCC多层陶瓷垂直互连的优点，又有AMB工艺表面可焊厚铜的优点，既可满足高密度布线的要求，又可满足大功率器件低电阻的要求，工作可靠性高。
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公开(公告)号：CN118824983A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410447628.X
申请日：2024-04-15
申请人： 罗伯特·博世有限公司
发明人： A·布格哈特
IPC分类号： H01L23/498 , H01L23/15 , H01L21/48 , H01L23/373
摘要： 本发明涉及一种具有陶瓷基底(101)的装置(100)，所述陶瓷基底具有第一侧和第二侧，所述第一侧与第二侧相对，在第一侧上区域地布置有第一硬钎料层(102)并且在第一硬钎料(102)上布置有第一铜层(103)，在第二侧上布置有第二硬钎料层(104)并且在第二硬钎料层(104)上布置有第二铜层(105)，第一铜层(103)具有从第一铜层(103)的表面延伸至第一侧的第一沟槽，第二铜层(105)具有从第二铜层(105)的表面至少延伸至第二硬钎料层(104)的表面的第二沟槽，第二铜层(105)能与热沉(106)传导连接。根据本发明，第一沟槽具有第一沟槽底部，第二沟槽具有第二沟槽底部，第一沟槽底部比第二沟槽底部宽。本发明还涉及一种相应的制造方法。
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公开(公告)号：CN118658849A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202411141517.2
申请日：2024-08-20
申请人： 芯爱科技(南京)有限公司
IPC分类号： H01L23/498 , H01L23/15 , H01L23/14 , H01L21/48
摘要： 一种封装基板及其制法，该封装基板包括核心板体，其形成有连通该核心板体的相对两侧的多个开槽；第一绝缘层，其形成于该核心板体的相对两侧上并填入该开槽中，且该开槽的第一绝缘层中形成有连通至该核心板体的相对两侧的第一绝缘层表面的多个通孔；线路结构，其包含形成于该核心板体的相对两侧上的第一绝缘层表面的线路层及分别形成于各该通孔中的多个电性连接该线路层的导电柱；以及形成于该线路结构上的布线结构。本发明借由在开槽中的绝缘材料中制作通孔和导电柱，可依设计需求调整通孔孔径，制作可符合高密度及细线路结构的基板。
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公开(公告)号：CN110137141B
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN201910364622.5
申请日：2019-04-30
申请人： 华南理工大学 , 广东祥新光电科技有限公司 , 深圳市良机自动化设备有限公司
摘要： 本发明公开了一种具有表面毛细微槽结构的去金属化陶瓷基板及其焊接方法。所述陶瓷基板的两侧面和上表面刻有两条不相连通的毛细微槽，用于驱动焊料上升，实现芯片与印制电路板的电气连接。本发明提供的一种具有表面毛细微槽结构的去金属化陶瓷基板，其结构设计简单合理，相比于传统的低温共烧陶瓷基板以及目前应用比较广泛的直接镀铜陶瓷基板，免去光刻覆铜以及金属化过孔的工艺，减少了整体制造工艺的复杂性，并降低了成本。
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公开(公告)号：CN118629876A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202411097154.7
申请日：2024-08-12
申请人： 天津伍嘉联创科技发展股份有限公司
IPC分类号： H01L21/48 , H01L21/67 , H01L21/673 , H01L21/677 , H01L21/683 , H01L21/66 , H01L23/15
摘要： 本发明涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种陶瓷封装基座的可伐环与陶瓷基座板贴合设备，包括分度圆盘机构及围绕分度圆盘机构设置的料斗上料机构、吸嘴下压机构、点胶移载机构、收纳平台机构、基座板吸取移载机构、基座板取放机构及提篮机构，料斗上料机构对可伐环供料，吸嘴下压机构将分度圆盘吸嘴组件下压，分度圆盘机构将可伐环位置转移，点胶移载机构在陶瓷基座板上点胶，收纳平台机构将陶瓷基座板位置转移并调整点胶贴环位置，基座板吸取移载机构将陶瓷基座板放置到收纳平台机构上，基座板取放机构取放陶瓷基座板，提篮机构储存陶瓷基座板。本发明提供的设备结构简单，布局紧凑，贴合精度高且生产效率高。
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