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公开(公告)号：CN118919417A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202410956208.4
申请日：2024-07-17
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供了一种共烧陶瓷外壳的制备方法，包括以下步骤：制作HTCC生瓷件与LTCC生瓷件，LTCC生瓷件的尺寸包括用于补偿烧结收缩量的补偿量；以第一温度烧结HTCC生瓷件并冷却至室温，获得HTCC熟瓷件；在HTCC熟瓷件的上表面局部印刷浆料，并将LTCC生瓷件装配在HTCC熟瓷件的浆料印刷区域，获得装配体；以低于第一温度的第二温度烧结装配体，获得HTCC和LTCC的共烧熟瓷件；对共烧熟瓷件镀装配层获得共烧陶瓷外壳并进行气密封装。本发明提供的共烧陶瓷外壳的制备方法，能够简化制备工艺，避免HTCC与LTCC结合后出现开缝，在满足高频传输的情况下结构强度高、散热性好的同时为后续成品的气密性封装工艺提供更多选择。
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公开(公告)号：CN114242665B
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202111455958.6
申请日：2021-12-01
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L23/15 , H01L23/58 , H01L23/49 , H01L23/488
Abstract: 本发明提供了一种基于BGA焊球的差分传输结构，属于陶瓷封装技术领域，包括：HITCE上基板；两条间隔设置的上差分传输线，均自HITCE上基板的上表面贯穿至下表面，且在HITCE上基板的上表面形成上测试点；HITCE下基板，与HITCE上基板层叠设置；两条间隔设置的下差分传输线，均自HITCE下基板的上表面在HITCE下基板的厚度方向折弯延伸，并从HITCE下基板的上表面穿出形成下测试点；信号传输焊球，设于HITCE上基板和HITCE下基板之间，上差分传输线和下差分传输线通过信号传输焊球连接；以及多个接地焊球，绕信号传输焊球设置，且与HITCE上基板和HITCE下基板中的回流地层连接。
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公开(公告)号：CN118841331A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202410956209.9
申请日：2024-07-17
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/48
Abstract: 本发明提供了一种基于高温共烧陶瓷的高深径比DPC基板的制备方法，属于电子封装技术领域，包括：在生瓷片上按预设位置进行激光打孔，形成通孔；在通孔内填满金属浆料；在生瓷片的背面利用真空吸盘将所述通孔内的金属浆料吸出，在通孔侧壁挂浆形成一层浆料覆膜；将形成浆料覆膜的生瓷片堆叠层压成型，放入高温烧结炉进行高温共烧形成熟瓷片，此时通孔侧壁的浆料覆膜形成金属种子层；利用抛光机将熟瓷片的正背两表面抛光处理；经贴合干膜、光刻显影，完成金属化线路层的制作；去除干膜，经干燥后，完成DPC基板的制作。采用本发明制备的高深径比填充的DPC基板，由于通孔侧壁上能够形成完整的金属种子层，大大提升了DPC基板工作的可靠性。
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公开(公告)号：CN117894756A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202311699257.6
申请日：2023-12-11
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L23/10 , H01L23/053 , H01L21/48
Abstract: 本发明提供了一种适用于大尺寸陶瓷封装的组合式封装结构，属于陶瓷封装技术领域，包括陶瓷管座、组合封口环和盖板，组合封口环设于所述陶瓷管座上，为多个不同材质的封口环结构组合形成，多个所述封口环结构呈层叠状设置；多个所述封口环结构中靠近所述陶瓷管座的所述封口环结构的热膨胀系数与陶瓷的热膨胀系数相同；盖板设于所述组合封口环上，多个所述封口环结构中靠近所述盖板的所述封口环结构的热膨胀系数与所述盖板的热膨胀系数相同。本发明提供的一种适用于大尺寸陶瓷封装的组合式封装结构，具有能使组合封口环的热膨胀系数接近陶瓷和盖板，封装变形量小，避免因热膨胀系数差异过大导致的磁裂问题，提高封装可靠性的技术效果。
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公开(公告)号：CN116230662A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310146545.2
申请日：2023-02-21
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L23/367 , H01L23/31 , H01L25/16
Abstract: 本发明提供一种系统级的封装结构，包括一基板，位于基板的第一表面的第一散热盖板，以及位于基板的第二表面的第二盖板；基板上至少设有一贯通基板上下表面的空腔，空腔内设有一金属热沉，金属热沉的一面用于固定键合类芯片的键合面，金属热沉的另一面通过导热胶与第一散热盖板连接，第二盖板封装在基板的第二表面的空腔的开口处；基板的第一表面上还至少设有一倒装类芯片安装区，倒装类芯片安装区内的倒装类芯片的电气面靠近基板的第一表面，倒装类芯片的非电气面通过导热胶与第一散热盖板连接。本发明提供的系统级的封装结构极大的简化了散热结构，从而满足封装小型化的需求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116047272A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202310123354.4
申请日：2023-02-16
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供一种陶瓷封装外壳S参数的测试装置及测试设备。该测试装置包括：第一测试板和第二测试板，第一测试板的内部设有连接第一阵列焊盘和第二阵列焊盘的内部电路。其中，第一阵列焊盘的间距与外部测试探针的间距相同，第二阵列焊盘与陶瓷封装外壳的上表面焊盘的分布相同。第二测试板的内部设有连接第三阵列焊盘和第四阵列焊盘的内部电路。其中，第三阵列焊盘与陶瓷封装外壳的下表面焊盘的分布相同，第四阵列焊盘的间距与外部测试探针的间距相同。本发明通过设置两个测试板，可采用朝向同一方向的探针组连接第一测试板和第二测试板的上表面实现测试，测试方式简单，避免采用双向探针设备，对测试设备的结构要求低。
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公开(公告)号：CN114325116A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111657416.7
申请日：2021-12-30
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R27/20
Abstract: 本发明提供一种陶瓷外壳电源地电阻的测试方法，陶瓷外壳包括一陶瓷底座，其中陶瓷底座上设有一密封腔，在密封腔内设有多个键合指、陶瓷底座的下表面设有与键合指对应电连接的焊盘，陶瓷外壳电源地电阻的测试方法包括以下步骤：选取其中的2个以上键合指作为测试用键合指，并将测试用键合指电连接至一第一金属片表面；选取与测试用键合指相对应电连接的焊盘植锡球，并将锡球与第二金属片表面键合；测试第一金属片和第二金属片之间的电阻，得到电源地电阻。从而可以实现毫欧级电源地电阻的测试，且测试方法简单，无须采用专用的测试工具即可进行测试，可作为小电阻20mΩ以下的电源地电阻的测试。
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公开(公告)号：CN111128925B
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN201911372577.4
申请日：2019-12-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L23/367 , H01L25/16
Abstract: 本发明提供了一种数字电路的封装结构及封装方法，属于集成电路封装技术领域，包括设有上下贯通的通腔的基板，其正面设有金属热沉，金属热沉的底面位于通腔内部并用于连接键合芯片；基板的正面还设有键合芯片安装区域及第一无源元件安装区域，基板背面设有倒装芯片安装区域、第二无源元件安装区域及针引线安装区域；基板正面设有位于键合芯片安装区域、第一无源元件安装区域外围的第一封口环；第一封口环上封装有底面与金属热沉的顶面粘接的第一盖板；基板的背面设有位于倒装芯片安装区域、第二无源元件安装区域外围的第二封口环，针引线安装区域位于第二封口环的外围；第二封口环上封装有顶面用于与倒装芯片粘接的第二盖板。
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公开(公告)号：CN118335625A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410461675.X
申请日：2024-04-17
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/48 , C04B41/61 , H01L23/055 , H01L23/08
Abstract: 本发明提供了一种陶瓷外壳的制备方法及陶瓷外壳，属于陶瓷封装技术领域，本发明提供的方法包括流延制作陶瓷阻焊层，并在陶瓷阻焊层上按照预设焊盘图形位置制作隔离窗口；将陶瓷阻焊层与所述陶瓷片叠片层压形成陶瓷外壳；或者，在需要制作阻焊的陶瓷片上采用丝网印刷印制陶瓷阻焊图形形成隔离窗口，然后叠片层压形成陶瓷外壳；在隔离窗口内制作植球焊盘，并使植球焊盘不凸出于陶瓷阻焊层的表面；在隔离窗口内的焊盘上植球，并使植球部分沉于隔离窗口内。本发明提供的陶瓷外壳，通过增加陶瓷阻焊层，可有效限制焊料/焊膏的流散，提高装配互连可靠性；可大幅减小装配安全间距，实现高密度集成。
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公开(公告)号：CN117062358A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202310954052.1
申请日：2023-07-31
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供一种电源模块的陶瓷封装外壳及其制备方法，该方法包括：制备多层共烧结构的陶瓷基板；在陶瓷基板表面活性焊接第一铜层；图形化刻蚀第一铜层，制备得到电路图形；采用电镀工艺，在电路图形上电镀第二铜层，制备得到电源模块的陶瓷封装外壳，其中，第二铜层的厚度大于第一铜层的厚度。本发明通过在陶瓷基板上先活性焊接较薄的第一铜层，刻蚀出电路图形，再电镀较厚的第二铜层。先在较薄铜层上刻蚀电路图形、再在刻蚀后的电路图形上电镀较厚铜层，减少了侧面刻蚀量、减少了电路图形失真、提升了图形线宽精确度。
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