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公开(公告)号：CN118841329A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202410918944.0
申请日：2024-07-10
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/48 , H01L23/498 , H01L23/15
Abstract: 本发明提供了一种基于HTCC及AMB的多层氮化硅陶瓷基板及制备方法，属于陶瓷封装技术领域，所述方法包括：采用HTCC工艺加工多层氮化硅陶瓷基板，进行多层布线、印刷图形并制作垂直互连孔；采用AMB工艺在所述多层氮化硅陶瓷基板的表面进行覆铜处理；在覆铜层上的刻蚀图形；刻蚀的图形经垂直互连孔与多层氮化硅陶瓷基板内埋层的钨导体层互连。本发明为HTCC和AMB工艺相结合，陶瓷基板加工采用HTCC工艺，表层导体图形加工采用AMB工艺，不仅具有HTCC多层陶瓷垂直互连的优点，又有AMB工艺表面可焊厚铜的优点，既可满足高密度布线的要求，又可满足大功率器件低电阻的要求，工作可靠性高。
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公开(公告)号：CN112374899B
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202011133321.0
申请日：2020-10-21
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: C04B35/632 , C04B35/634 , C04B35/626
Abstract: 本发明涉及电子材料技术领域，具体公开一种流延浆料，包括以下质量百分比的组分：陶瓷粉58～63％，丁酮10～12％，乙醇7～8％，鱼油0.1～0.5％，粘结剂15～20％，邻苯二甲酸丁卞酯1.5～2％；所述粘结剂包括以下质量百分比的组分：聚碳酸酯20～35％，丁酮40～50％，乙醇15～40％。所述流延浆料可用于制备低碳残留量的流延带料。本发明提供的流延浆料通过优化粘结剂树脂体系，结合特定的三段式流延带料制备工艺，可制备得到一种非氧化气氛烧结后碳残留量低、高机械强度和高尺寸稳定性的流延带料。
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公开(公告)号：CN105845581B
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201610191264.9
申请日：2016-03-30
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/48 , H01L23/055
Abstract: 本发明公开了一种高频高速陶瓷封装外壳用陶瓷件、外壳、层压模具及烧结模具，涉及半导体微电子器件制备技术领域。所述陶瓷件至少包括第一陶瓷件和第二陶瓷件，所述第一陶瓷件包括第一水平陶瓷件和第二水平陶瓷件，所述第一水平陶瓷件与所述第二水平陶瓷件之间通过第一过渡陶瓷件连接，第二陶瓷件包括第三水平陶瓷件和第四水平陶瓷件，所述第三水平陶瓷件与所述第四水平陶瓷件之间通过第二过渡陶瓷件连接，所述第二陶瓷件整体贴合于所述第一陶瓷件的上表面。通过使用所述陶瓷件将位于外壳内芯片的引脚引出外壳，降低了射频传输损耗，可获得无波动的RF射频信号传输。
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公开(公告)号：CN105810591B
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201610247561.0
申请日：2016-04-20
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/48 , H01L23/053
Abstract: 本发明公开了一种高频、高速陶瓷封装外壳用封闭腔结构陶瓷件的制作方法，涉及半导体微电子器件制备技术领域。所述方法包括如下步骤：制备生瓷带料；用打孔设备在裁切好的生瓷带料上需要打孔和形成腔体的位置进行打孔并形成腔体；在生瓷片表面和侧壁相应位置通过丝网印刷方法印制需要的金属化图形；在形成的腔体内部填入牺牲材料；对叠片后的生瓷片进行层压处理，通过工艺参数调整控制层间致密度和腔体形状；将制备出的生瓷件进行烧结处理，在生瓷件烧结过程中，牺牲材料烧失，制备出具有封闭腔结构的陶瓷件。通过所述方法制备的陶瓷件的封闭腔体内部具有良好的形貌，并通过在封闭腔底部侧面布线的方式，满足更高频率的信号传输要求。
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公开(公告)号：CN117062358A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202310954052.1
申请日：2023-07-31
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供一种电源模块的陶瓷封装外壳及其制备方法，该方法包括：制备多层共烧结构的陶瓷基板；在陶瓷基板表面活性焊接第一铜层；图形化刻蚀第一铜层，制备得到电路图形；采用电镀工艺，在电路图形上电镀第二铜层，制备得到电源模块的陶瓷封装外壳，其中，第二铜层的厚度大于第一铜层的厚度。本发明通过在陶瓷基板上先活性焊接较薄的第一铜层，刻蚀出电路图形，再电镀较厚的第二铜层。先在较薄铜层上刻蚀电路图形、再在刻蚀后的电路图形上电镀较厚铜层，减少了侧面刻蚀量、减少了电路图形失真、提升了图形线宽精确度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112374899A
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN202011133321.0
申请日：2020-10-21
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: C04B35/632 , C04B35/634 , C04B35/626
Abstract: 本发明涉及电子材料技术领域，具体公开一种流延浆料，包括以下质量百分比的组分：陶瓷粉58～63％，丁酮10～12％，乙醇7～8％，鱼油0.1～0.5％，粘结剂15～20％，邻苯二甲酸丁卞酯1.5～2％；所述粘结剂包括以下质量百分比的组分：聚碳酸酯20～35％，丁酮40～50％，乙醇15～40％。所述流延浆料可用于制备低碳残留量的流延带料。本发明提供的流延浆料通过优化粘结剂树脂体系，结合特定的三段式流延带料制备工艺，可制备得到一种非氧化气氛烧结后碳残留量低、高机械强度和高尺寸稳定性的流延带料。
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公开(公告)号：CN109467415A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201811416262.0
申请日：2018-11-26
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: C04B35/10 , C04B35/622 , C03C14/00 , C03C3/064 , C03C3/089
Abstract: 本发明提供了一种低温共烧陶瓷材料复合基板的制备方法，涉及微波器件用材料技术领域，包括制备玻璃原粉、制备不同介电常数的低温共烧陶瓷材料、制备流延浆料、流延、制作基板和烧结工序。本发明提供的低温共烧陶瓷材料复合基板的制备方法，利用钙硼硅玻璃作为主玻璃相制得玻璃原粉，制得不同介电常数的LTCC材料，进而制得流延浆料和基板，最终将其层叠制得复合基板，该加工方法采用相同的钙硼硅玻璃作为多种低温共烧陶瓷材料的主玻璃相，结合不同功能相形成介电常数、抗弯强度等性能不同的LTCC粉料，实现不同层选择不同的LTCC带料的效果，产品具有收缩率一致，具有翘曲度小的优点。
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公开(公告)号：CN105810591A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201610247561.0
申请日：2016-04-20
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/48 , H01L23/053
CPC classification number: H01L21/4807 , H01L23/053
Abstract: 本发明公开了一种高频、高速陶瓷封装外壳用封闭腔结构陶瓷件的制作方法，涉及半导体微电子器件制备技术领域。所述方法包括如下步骤：制备生瓷带料；用打孔设备在裁切好的生瓷带料上需要打孔和形成腔体的位置进行打孔并形成腔体；在生瓷片表面和侧壁相应位置通过丝网印刷方法印制需要的金属化图形；在形成的腔体内部填入牺牲材料；对叠片后的生瓷片进行层压处理，通过工艺参数调整控制层间致密度和腔体形状；将制备出的生瓷件进行烧结处理，在生瓷件烧结过程中，牺牲材料烧失，制备出具有封闭腔结构的陶瓷件。通过所述方法制备的陶瓷件的封闭腔体内部具有良好的形貌，并通过在封闭腔底部侧面布线的方式，满足更高频率的信号传输要求。
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公开(公告)号：CN112679220A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202011609179.2
申请日：2020-12-30
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: C04B37/02
Abstract: 本发明提供了一种氮化硅陶瓷覆铜基板及其制备方法，属于功率模块用陶瓷覆铜基板技术领域，制备方法包括以下步骤：采用化学溶液对氮化硅陶瓷裸板、铜箔片、焊料片进行预处理；采用还原气氛对经过预处理的氮化硅陶瓷裸板、铜箔片、焊料片进行还原处理；按照铜箔片、焊料片、氮化硅陶瓷裸板、焊料片、铜箔片的叠设顺序装夹在工装夹具中；将工装夹具放置于真空炉中；采用AMB工艺使铜箔片与氮化硅陶瓷裸板焊接为一体化基板，得到氮化硅陶瓷覆铜基板。技术效果：可以活化、还原出原材料的新鲜表面，避免由于杂质元素的存在而影响氮化硅陶瓷裸板与焊料片之间的反应润湿，减少覆接面空洞的产生，提高可靠性，满足大功率模块的高可靠封装要求。
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公开(公告)号：CN105845581A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201610191264.9
申请日：2016-03-30
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/48 , H01L23/055
CPC classification number: H01L23/055 , H01L21/48
Abstract: 本发明公开了一种高频高速陶瓷封装外壳用陶瓷件、外壳、层压模具及烧结模具，涉及半导体微电子器件制备技术领域。所述陶瓷件至少包括第一陶瓷件和第二陶瓷件，所述第一陶瓷件包括第一水平陶瓷件和第二水平陶瓷件，所述第一水平陶瓷件与所述第二水平陶瓷件之间通过第一过渡陶瓷件连接，第二陶瓷件包括第三水平陶瓷件和第四水平陶瓷件，所述第三水平陶瓷件与所述第四水平陶瓷件之间通过第二过渡陶瓷件连接，所述第二陶瓷件整体贴合于所述第一陶瓷件的上表面。通过使用所述陶瓷件将位于外壳内芯片的引脚引出外壳，降低了射频传输损耗，可获得无波动的RF射频信号传输。
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