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公开(公告)号：CN118610186A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410758408.9
申请日：2024-06-13
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L23/498 , H01L23/13 , H01L23/04 , H01L21/48
Abstract: 本发明提供了一种小尺寸双面BGA双面腔陶瓷封装外壳及制作方法，属于陶瓷外壳制备技术领域，其中一种小尺寸双面BGA双面腔陶瓷封装外壳包括陶瓷基板和BGA焊盘；陶瓷基板的正反两面上分别开设有正面腔槽和反面腔槽，正面腔槽与反面腔槽交错设置；BGA焊盘均匀分布于正面腔槽和反面腔槽的周围。本发明提供的小尺寸双面BGA双面腔陶瓷封装外壳，该陶瓷基板的正面和反面均开设有腔槽，使芯片可安装于陶瓷基板的正反两侧，以提高外壳上可安装的芯片数量，提高了空间利用率；而BGA焊盘均匀分布在正反两面，可实现上下安装面的堆叠，提高空间利用率；同时正面腔槽和反面腔槽交错设置，减少了腔体重叠导致的基底较薄的问题，保证了结构强度。
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公开(公告)号：CN114242662A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111458597.0
申请日：2021-12-01
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L23/04 , H01L23/13 , H01L23/15 , H01L23/488 , H01L21/48
Abstract: 本发明提供一种陶瓷封装外壳及陶瓷封装外壳的制备方法。该陶瓷封装外壳，包括：陶瓷基座与陶瓷基座一体烧制的陶瓷腔体，其中，陶瓷腔体由陶瓷侧墙围成中部为空腔的腔体结构，在空腔内用于装配待封装芯片，陶瓷侧墙的外轮廓为八棱柱结构；陶瓷基座与陶瓷侧墙的外轮廓适配、且陶瓷基座相间隔的侧壁上均设有用于外接引线的第二金属化层。本发明制备的八边形的陶瓷外壳侧壁金属化可阵列批量生产，可提高陶瓷外壳的生产效率和产品的一致性。
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公开(公告)号：CN111599788A
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN202010387515.7
申请日：2020-05-09
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L23/495 , H01L23/31 , H01L21/66 , H01L23/544
Abstract: 本发明提供了一种0.5mm节距的高频无引线陶瓷外壳及测试方法，属于陶瓷封装技术领域，壳体外侧面设有金属化空心孔，金属化空心孔的直径为0.2mm，金属化空心孔包括接地空心孔和射频引出空心孔，接地空心孔沿壳体的外侧面的高度方向贯通设置；射频引出空心孔延伸至壳体的腔体内；壳体的背面还设有与接地焊盘连接的直通焊盘，封口区通过接地空心孔经直通焊盘与接地焊盘连接；直通焊盘与射频焊盘之间的节距为0.5mm。本发明提供的0.5mm节距的高频无引线陶瓷外壳及测试方法，能够使空心孔处达到了良好的阻抗匹配；并通过侧面的金属化空心孔与封口区的直接相连，保证封口区的接地良好，抑制谐振。
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公开(公告)号：CN114113691A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111401750.6
申请日：2021-11-24
Applicant: 电子科技大学 , 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明公开了一种可实现校准和去嵌入技术的波导端口测试夹具，包括结构相同的第一测试夹具和第二测试夹具，第一测试夹具和第二测试夹具的上表面和一个侧面上分别设有法兰盘，每个测试夹具上表面和侧面的法兰盘通过测试夹具内部的L型波导连接；第一测试夹具和第二测试夹具的法兰盘用于连接矢量网络分析仪或被测件。本发明将校准和去嵌入应用到波导端口测试夹具，通过校准的方法将测试端面移动到被测件的端面，或者通过去嵌入的方法去掉夹具的影响，就可以得到被测件的真实测试结果。同时将波导端口测试夹具分为两个部分，同一组夹具可应用到处于同一平面不同位置的波导端口被测件。
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公开(公告)号：CN113937087A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202111107317.1
申请日：2021-09-22
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L23/498 , H01L23/08 , H01L23/15
Abstract: 本发明提供了一种基于HTCC技术的布线结构及其制备方法、陶瓷外壳，属于高频高速陶瓷封装技术领域，基于HTCC技术的布线结构包括：下层陶瓷件；以及上层陶瓷件，与所述下层陶瓷件共同围合形成空气腔；其中，在所述下层陶瓷件构成所述空气腔的上表面形成有至少一条的平面GCPW传输线，在所述下层陶瓷件于所述空气腔之外部分的上表面、所述上层陶瓷件的上表面及侧表面共同形成有至少一条的立式GCPW传输线，所述立式GCPW传输线在所述下层陶瓷件上的投影与所述平面GCPW传输线交叉设置。本发明提供的基于HTCC技术的布线结构，相较于具有相同特性阻抗的埋层GCPW结构，中心导带线宽加宽，更加方便加工制造，减小工艺生产难度，且易于实现。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105845581B
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201610191264.9
申请日：2016-03-30
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/48 , H01L23/055
Abstract: 本发明公开了一种高频高速陶瓷封装外壳用陶瓷件、外壳、层压模具及烧结模具，涉及半导体微电子器件制备技术领域。所述陶瓷件至少包括第一陶瓷件和第二陶瓷件，所述第一陶瓷件包括第一水平陶瓷件和第二水平陶瓷件，所述第一水平陶瓷件与所述第二水平陶瓷件之间通过第一过渡陶瓷件连接，第二陶瓷件包括第三水平陶瓷件和第四水平陶瓷件，所述第三水平陶瓷件与所述第四水平陶瓷件之间通过第二过渡陶瓷件连接，所述第二陶瓷件整体贴合于所述第一陶瓷件的上表面。通过使用所述陶瓷件将位于外壳内芯片的引脚引出外壳，降低了射频传输损耗，可获得无波动的RF射频信号传输。
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公开(公告)号：CN116207048A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202310145566.2
申请日：2023-02-21
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L23/08 , H01L23/488 , H01L21/48
Abstract: 本发明提供了一种无引线陶瓷外壳及加工方法，属于陶瓷外壳加工技术领域，其中无引线陶瓷外壳包括陶瓷主体、封口焊盘和侧面焊盘结构；陶瓷主体的背面的边缘均匀分布有多个背面焊盘；封口焊盘设于陶瓷主体的封口面，封口焊盘的外侧边缘与陶瓷主体的外侧边缘之间具有内缩间隙；侧面焊盘结构包括焊盘内缩槽、连接凹槽以及侧面焊盘；焊盘内缩槽开设于陶瓷主体的外侧壁上；连接凹槽开设于焊盘内缩槽的槽底且宽度小于焊盘内缩槽的宽度，连接凹槽的内侧壁上镀有金属镀层形成侧面焊盘，侧面焊盘与背面焊盘一一对应连接。本发明提供的无引线陶瓷外壳，避免了侧面焊盘和封口焊盘有毛刺甚至卷边的现象，提高了无引线陶瓷外壳的美观性和可靠性。
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公开(公告)号：CN112679220A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202011609179.2
申请日：2020-12-30
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: C04B37/02
Abstract: 本发明提供了一种氮化硅陶瓷覆铜基板及其制备方法，属于功率模块用陶瓷覆铜基板技术领域，制备方法包括以下步骤：采用化学溶液对氮化硅陶瓷裸板、铜箔片、焊料片进行预处理；采用还原气氛对经过预处理的氮化硅陶瓷裸板、铜箔片、焊料片进行还原处理；按照铜箔片、焊料片、氮化硅陶瓷裸板、焊料片、铜箔片的叠设顺序装夹在工装夹具中；将工装夹具放置于真空炉中；采用AMB工艺使铜箔片与氮化硅陶瓷裸板焊接为一体化基板，得到氮化硅陶瓷覆铜基板。技术效果：可以活化、还原出原材料的新鲜表面，避免由于杂质元素的存在而影响氮化硅陶瓷裸板与焊料片之间的反应润湿，减少覆接面空洞的产生，提高可靠性，满足大功率模块的高可靠封装要求。
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公开(公告)号：CN111146150A
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201911226773.0
申请日：2019-12-04
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L23/02 , H01L23/043 , H01L21/48
Abstract: 本发明提供了一种封装功率金氧半场效晶体管的陶瓷外壳及其制备方法，属于陶瓷封装技术领域，包括多层陶瓷板层叠而成的陶瓷件、固接于陶瓷件背面的背面电极、固接于陶瓷件顶面的金属墙体，以及固接于金属墙体顶面的封盖；其中，每层陶瓷板上均印刷有金属埋层，且各金属埋层之间以并联方式导通；陶瓷件上设有内部键合指，内部键合指与金属埋层一体成型，且用于与功率金氧半场效晶体管电连接；背面电极与金属埋层电连接；封盖与金属墙体、陶瓷件共同围成用于容纳功率金氧半场效晶体管的气密腔体。本发明提供的一种封装功率金氧半场效晶体管的陶瓷外壳，导通电阻低，背面电极焊接所需焊接空间小，能够满足功率金氧半场效晶体管的小型化封装要求。
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公开(公告)号：CN105845581A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201610191264.9
申请日：2016-03-30
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/48 , H01L23/055
CPC classification number: H01L23/055 , H01L21/48
Abstract: 本发明公开了一种高频高速陶瓷封装外壳用陶瓷件、外壳、层压模具及烧结模具，涉及半导体微电子器件制备技术领域。所述陶瓷件至少包括第一陶瓷件和第二陶瓷件，所述第一陶瓷件包括第一水平陶瓷件和第二水平陶瓷件，所述第一水平陶瓷件与所述第二水平陶瓷件之间通过第一过渡陶瓷件连接，第二陶瓷件包括第三水平陶瓷件和第四水平陶瓷件，所述第三水平陶瓷件与所述第四水平陶瓷件之间通过第二过渡陶瓷件连接，所述第二陶瓷件整体贴合于所述第一陶瓷件的上表面。通过使用所述陶瓷件将位于外壳内芯片的引脚引出外壳，降低了射频传输损耗，可获得无波动的RF射频信号传输。
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