基于HTCC技术的布线结构及其制备方法、陶瓷外壳

    公开(公告)号:CN113937087A

    公开(公告)日:2022-01-14

    申请号:CN202111107317.1

    申请日:2021-09-22

    Abstract: 本发明提供了一种基于HTCC技术的布线结构及其制备方法、陶瓷外壳,属于高频高速陶瓷封装技术领域,基于HTCC技术的布线结构包括:下层陶瓷件;以及上层陶瓷件,与所述下层陶瓷件共同围合形成空气腔;其中,在所述下层陶瓷件构成所述空气腔的上表面形成有至少一条的平面GCPW传输线,在所述下层陶瓷件于所述空气腔之外部分的上表面、所述上层陶瓷件的上表面及侧表面共同形成有至少一条的立式GCPW传输线,所述立式GCPW传输线在所述下层陶瓷件上的投影与所述平面GCPW传输线交叉设置。本发明提供的基于HTCC技术的布线结构,相较于具有相同特性阻抗的埋层GCPW结构,中心导带线宽加宽,更加方便加工制造,减小工艺生产难度,且易于实现。

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