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公开(公告)号：CN118841330A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202410918945.5
申请日：2024-07-10
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/48 , H01L23/055
Abstract: 本发明提供一种高温共烧陶瓷封装外壳及其制备方法，属于陶瓷封装外壳技术领域。方法包括：在高温共烧后的陶瓷基板中，制备贯穿陶瓷基板的通孔。在通孔制备后的陶瓷基板表面制备第一种子层和第二种子层。在陶瓷基板的正面覆盖开槽干膜，并采用激光在开槽干膜中进行开槽、去除槽内干膜，制备凹槽。基于凹槽底部暴露的第二种子层，以及通孔侧壁的第一种子层和通孔上端的第二种子层，电镀填充凹槽和通孔，得到电镀填充后的基板。将电镀填充后的基板去胶，制备得到带铜围坝的高温共烧陶瓷封装外壳。本发明将铜围坝制备工艺与陶瓷基板制备工艺相结合，利用陶瓷基板的通孔电镀填充步骤，同时制备铜围坝。提升了高温共烧陶瓷封装外壳的制备效率。
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公开(公告)号：CN118380328A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410276800.X
申请日：2024-03-12
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Inventor： 杨振涛 , 刘林杰 , 张会欣 , 于斐 , 李娜 , 段强 , 余希猛 , 张倩 , 刘洋 , 郭志伟 , 刘冰倩 , 陈江涛 , 刘瑶瑶 , 淦作腾 , 刘旭 , 任赞 , 赵继晓 , 樊荣
IPC: H01L21/48 , H01L23/04 , H01L23/498
Abstract: 本发明提供了一种四边引线平直引出的扁平外壳及其制备方法，属于陶瓷封装外壳技术领域，包括：在生瓷上，按预设的成型外壳尺寸划出网格线；沿网格线制作空心孔；沿所述网格线对生瓷的上下面进行预切割，且不切透；将生瓷四周的半圆孔与电镀线相连，在生瓷上同时电镀形成金属化图形，进行烧结；沿预切割线裂片分开，形成瓷件单体；在瓷件单体上焊接引线，引线平直引出，制备外壳。本发明提供的四边引线平直引出的扁平外壳的制备方法，引线无需折弯，直接从瓷件上平直引出，能够提升制备器件的工作高可靠性能；而且，采用此种方式可以实现引线与外壳焊接焊盘的尺寸在0.8mm以下，利于器件的小型化。
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公开(公告)号：CN118073211A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410114515.8
申请日：2024-01-26
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/56 , H01L21/48 , H01L23/29 , H01L23/373 , H01L23/498
Abstract: 本发明提供了一种IC载板的制备工艺及IC载板，属于IC载板技术领域，IC载板的制备工艺包括以下步骤：在陶瓷基板上加工多个第一通孔；在陶瓷基板的上下两面分别沉积第一导电金属层；并在第一通孔的内壁上沉积第二导电金属层；将第一导电金属层划分为刻蚀部分和预留部分，在刻蚀部分上设置感光干膜层，以暴露出预留部分；在预留部分内电镀铜层，并形成多对环形铜层；在第二导电金属层围设的柱形区域内填充铜柱，并使铜柱上下延伸；去除感光干膜层，并对感光干膜层覆盖的刻蚀部分进行刻蚀和清洁处理；在陶瓷基板的上下两侧分别叠加线路覆盖层。本发明提供的IC载板的制备工艺及IC载板具有可靠性高，热传导效率高，且上下层电气互联稳定的优点。
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公开(公告)号：CN117912960A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202311737089.5
申请日：2023-12-15
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/48 , H01L23/498 , C25D5/10 , C25D7/00 , C04B41/88
Abstract: 本发明提供一种直接镀铜陶瓷基板及其制备方法，该方法包括：在设有通孔的陶瓷基板的表面及通孔侧壁溅射第一种子层；基于第一种子层，对陶瓷基板的表面及通孔侧壁进行电镀铜，填充通孔得到铜通孔；去除陶瓷基板表面的电镀铜及第一种子层，得到去镀层的陶瓷基板；在陶瓷基板去镀层的表面及对应的铜通孔的端面溅射第二种子层；在第二种子层的表面进行图形化电镀，制备得到直接镀铜陶瓷基板。本发明一方面，第二种子层可完全封堵通孔的两端，确保铜填充通孔的气密性。另一方面，通孔两端的第二种子层在陶瓷基板表面连续无间断，承受拉应力时整个第二种子层表面均匀分散拉应力，避免单点所受应力过大导致开裂，进一步确保了铜填充通孔的气密性。
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公开(公告)号：CN116092947A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202310080712.8
申请日：2023-02-06
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供一种嵌入式陶瓷封装组件及制备方法、金属陶瓷封装外壳。该制备方法包括：制备多层陶瓷基板层叠结构的单个生瓷件，其中，生瓷件的嵌入端的横截面形状与通孔的横截面形状相对应，生瓷件的嵌入端的横截面尺寸大于等于通孔的对应尺寸与收缩率下限的比值。对生瓷件进行第一高温烧结，得到熟瓷件。将熟瓷件的嵌入端的横截面尺寸磨削至与通孔的对应尺寸相同，得到嵌入式陶瓷封装组件。本发明通过在烧结前将生瓷件的尺寸设置为大于等于通孔尺寸与收缩率下限的比值，在烧结后将熟瓷件尺寸磨削至与通孔尺寸相同，一方面避免熟瓷件尺寸过小、避免密封性差，另一方面在熟瓷件尺寸过大时通过磨削确保陶瓷封装组件的尺寸匹配度，提升了生产良率。
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公开(公告)号：CN115799181A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211247005.5
申请日：2022-10-12
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供一种芯片的立式封装外壳及其制备方法。该芯片的立式封装外壳包括：陶瓷件和封口环；在陶瓷件的上表面设置金属图形，在金属图形的上表面设有封口环，陶瓷件的上表面用于设置目标芯片；在陶瓷件的上表面相邻的侧面上设有焊盘，使用时焊盘与印制线路板进行焊接。本发明能够实现使芯片的立式封装外壳与后续装配所需的印制线路板的垂直安装，对封装的芯片起到良好的缓冲作用。
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公开(公告)号：CN115583837A
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN202211223331.2
申请日：2022-10-08
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: C04B35/622
Abstract: 本发明提供了一种光电陶瓷外壳侧壁通腔制备方法，属于陶瓷封装技术领域，包括根据光电陶瓷外壳侧壁通腔的Z向高度及陶瓷Z向的生瓷收缩系数，确定需要的生瓷料片的总厚度，即生瓷料片的Z向尺寸；根据获得的生瓷料片的Z向尺寸，对所述生瓷料片进行分层，获得多个生瓷片；确定侧壁通腔所在的层数，并在侧壁通腔所在层数冲制矩形孔；将分层的生瓷片定位层叠，再进行层压成型、热切、烧结，获得具有侧壁通腔的陶瓷外壳。本发明制备方法，通过对生瓷料片进行分层，并对分层的生瓷片进行冲孔，在生瓷片上沿Z向设置ZX或ZY或ZX和ZY方向设置矩形孔，再层压热切等工艺形成具有侧壁通腔的陶瓷外壳，扩大了陶瓷外壳侧壁通腔的制作方式。
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公开(公告)号：CN115547842A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211130097.9
申请日：2022-09-16
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供一种陶瓷外壳制备方法及陶瓷外壳。该方法包括：制备目标陶瓷瓷件的第一引线框和第二引线框；将目标陶瓷瓷件放置在第一引线框的框内，并将第一引线框连接的打弯引线焊接在目标陶瓷瓷件的第一组对边上；裁去第一引线框上未连接打弯引线的一组对边；将目标陶瓷瓷件放置在第二引线框的框内，并将第二引线框连接的打弯引线焊接在目标陶瓷瓷件相应的第二组对边上；裁去第二引线框上未连接打弯引线的一组对边，得到陶瓷外壳。本发明能够在陶瓷瓷件的四个侧面精准焊接打弯引线。
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公开(公告)号：CN113345842A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202110425537.2
申请日：2021-04-20
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L23/04 , H01L23/053
Abstract: 本发明提供了一种陶瓷四边扁平封装外壳及陶瓷四边扁平封装器件。陶瓷四边扁平封装外壳包括陶瓷壳体及多个引线，陶瓷壳体用于承载芯片，引线从所述陶瓷壳体的底部向四周引出，陶瓷壳体的底部还设有向下延伸的凸台，凸台的底部平面到引线的最低点的高度差为0～0.15mm。由于凸台的底部平面到引线的最低点的高度差为0～0.15mm，而现有封装外壳与PCB板的间隙为0.50～1.0mm左右，故陶瓷四边扁平封装外壳与PCB板的间隙减小，使得用于加固的胶层厚度变小，使得板级加固可靠，可以有效地减小了引线受力，从而避免引线变形或者损坏，以保证安装后器件具有较高的可靠性。
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公开(公告)号：CN112820710A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202011619849.9
申请日：2020-12-30
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L23/495
Abstract: 本申请公开了一种三维立体封装外壳，属于高密度陶瓷封装技术领域。所述三维立体封装外壳，包括：陶瓷件，所述陶瓷件为横截面呈多边形的柱状结构，在所述陶瓷件的上表面设有用于安装芯片的芯片腔及对应的多个键合指，在所述陶瓷件的下表面间隔设置多个引出端，在所述陶瓷件的侧壁开设有用于安装元器件的凹槽；多个焊盘，分设在所述凹槽内，所述焊盘通过设置在所述陶瓷件内的导通结构与对应的所述键合指以及所述引出端电连接。本发明所述的三维立体封装外壳，通过结合SIP技术，采用HTCC工艺技术制作多层三维结构，从而实现电路元器件的三维堆叠结构设计，有效提高了空间利用率，减小了封装外壳体积。
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