陶瓷封装结构和陶瓷封装方法
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116314148A

    公开(公告)日:2023-06-23

    申请号:CN202310080665.7

    申请日:2023-02-06

    Inventor: 张会欣 杨振涛

    Abstract: 本申请适用于陶瓷封装技术领域,提供了一种陶瓷封装结构和陶瓷封装方法,该陶瓷封装结构包括:陶瓷基底、隔离盖板、可伐环和平封盖板;陶瓷基底的上表面开口;隔离盖板设于陶瓷基底上表面开口处,用于密封陶瓷基底;陶瓷基底和隔离盖板之间具有第一密封容纳腔,第一密封容纳腔用于放置芯片;平封盖板通过可伐环与陶瓷基底上表面连接;平封盖板与陶瓷基底上表面间具有第二密封容纳腔,第二密封容纳腔用于放置变压器。本发明提供的陶瓷封装结构通过多层隔离封装,改善了变压器隔离封装中气密性差,屏蔽电磁干扰能力低的问题,且实现了较小的整体封装尺寸。

    一种双层交错排列的CQFP陶瓷外壳
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116705706A

    公开(公告)日:2023-09-05

    申请号:CN202310507807.3

    申请日:2023-05-08

    Abstract: 本发明提供了一种双层交错排列的CQFP陶瓷外壳,属于陶瓷封装外壳技术领域,包括陶瓷件和多个引线,陶瓷件具有陶瓷外壳,所述陶瓷外壳背面设置有凸台结构;多个引线均为翼型引线结构,沿所述陶瓷件高度方向上多个所述引线在所述陶瓷件每侧均布设成两层,位于上层的所述引线定义为上排引线,位于下层的所述引线定义为下排引线,所述上排引线和所述下排引线在竖向平面内交错排列,且相互组合形成双排引线结构;与所述引线对应连接的PCB板的上端面设置为腔体结构。本发明提供的一种双层交错排列的CQFP陶瓷外壳,引出端数量大幅提升,用户选择性强,引脚的数量有了极大扩展,不仅限于CQFP形式,还可扩展到FP/CSOP等引出形式。

    侧面插装式红外探测器外壳
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119584721A

    公开(公告)日:2025-03-07

    申请号:CN202411100990.6

    申请日:2024-08-12

    Abstract: 本发明提供了一种侧面插装式红外探测器外壳,属于陶瓷封装外壳技术领域,包括金属座和连接组件,金属座包括纵向间隔设置的两个同轴设置的金属环,连接组件位于两个金属环之间,连接组件伸入金属座内的一端设有输入端,连接组件伸出金属座的一端设有输出端,输出端的引线朝向垂直于金属座的轴向。本发明提供的侧面插装式红外探测器外壳,连接组件位于两个金属环之间,且连接组件的输入端伸入上侧的金属环内,用于电连接红外探测器;连接组件的输出端伸出金属环的外侧,输出端的引线为横向延伸,将原有的上下连接结构改变为横向连接结构,通过改变其输出端的连接方向,方便零件插装操作,并缩小杜瓦组件的整体安装尺寸过大的问题。

    数组隔离器用陶瓷外壳
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118919510A

    公开(公告)日:2024-11-08

    申请号:CN202411100988.9

    申请日:2024-08-12

    Abstract: 本发明提供了一种数组隔离器用陶瓷外壳,属于陶瓷封装外壳技术领域,包括壳体和隔离结构,壳体的两侧分别设置有输入部和输出部;隔离结构包括设于输入部和输出部之间的隔离墙和/或隔离腔,隔离墙为凸出壳体表面的条形凸起,隔离腔为凹入壳体表面的条形凹槽。本发明提供的数组隔离器用陶瓷外壳,将陶瓷外壳制成矩形结构,陶瓷外壳的两侧分别设有向外侧延伸的输入部和输出部,输入部和输出部通过键合等方式与外界电路连接;输入部和输出部之间增加隔离结构,该隔离结构通过在壳体的表面增加条形的凸起或者条形的凹陷,以增加输入部和输出部之间的电流击穿路径长度,从而提高外壳隔离耐压值。

    一种热测试芯片
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN114566337B

    公开(公告)日:2024-04-16

    申请号:CN202210076042.8

    申请日:2022-01-23

    Abstract: 本发明提供一种热测试芯片。该热测试芯片包括:盖板陶瓷层和至少两层电阻陶瓷层;各电阻陶瓷层与盖板陶瓷层相向的一面设有电阻布线层;电阻布线层包括输入端、输出端和电阻布线;各下层电阻布线层的输入端与相邻上层电阻布线层的输出端之间通过第一通孔串联;第一通孔贯穿对应电阻陶瓷层;最上层电阻布线层的输入端通过贯穿盖板陶瓷层的第二通孔与外部连接;最下层电阻布线层的输出端通过第三通孔与外部连接;第三通孔贯穿盖板陶瓷层以及除最下层之外的电阻陶瓷层。本发明能够通过采用多层电阻布线和耐高温陶瓷,多层电阻布线之间通过通孔串联,多层布线结构实现芯片尺寸减小,增加了单位面积的发热量,提高了热测试芯片的热流密度。

    光电陶瓷外壳侧壁通腔制备方法

    公开(公告)号:CN115583837A

    公开(公告)日:2023-01-10

    申请号:CN202211223331.2

    申请日:2022-10-08

    Abstract: 本发明提供了一种光电陶瓷外壳侧壁通腔制备方法,属于陶瓷封装技术领域,包括根据光电陶瓷外壳侧壁通腔的Z向高度及陶瓷Z向的生瓷收缩系数,确定需要的生瓷料片的总厚度,即生瓷料片的Z向尺寸;根据获得的生瓷料片的Z向尺寸,对所述生瓷料片进行分层,获得多个生瓷片;确定侧壁通腔所在的层数,并在侧壁通腔所在层数冲制矩形孔;将分层的生瓷片定位层叠,再进行层压成型、热切、烧结,获得具有侧壁通腔的陶瓷外壳。本发明制备方法,通过对生瓷料片进行分层,并对分层的生瓷片进行冲孔,在生瓷片上沿Z向设置ZX或ZY或ZX和ZY方向设置矩形孔,再层压热切等工艺形成具有侧壁通腔的陶瓷外壳,扩大了陶瓷外壳侧壁通腔的制作方式。

    一种薄膜与氧化铝陶瓷基板的结合工艺

    公开(公告)号:CN118344188A

    公开(公告)日:2024-07-16

    申请号:CN202410448097.6

    申请日:2024-04-15

    Abstract: 本发明提供了一种薄膜与氧化铝陶瓷基板的结合工艺,属于厚薄膜结合技术领域,包括以下步骤制备多层氧化铝陶瓷基板;对多层氧化铝陶瓷基板的表面进行研磨抛光处理;在多层氧化铝陶瓷基板的表面溅射金属层;对金属层进行多次光刻和镀覆形成薄膜结构。本发明提供的一种薄膜与氧化铝陶瓷基板的结合工艺,将多层氧化铝陶瓷基板与溅射在氧化铝陶瓷基板表面的金属层结合,形成厚膜结合薄膜的结构,利用薄膜自身的特性弥补多层氧化铝陶瓷基板的缺陷。薄膜工艺线宽线间距最小20μm,薄厚金区域布局不受限,且金属化平整度较高,微波传输损耗小,因此,本专利采用薄膜与氧化铝陶瓷基板的结合工艺,实现了提高布线密度和集成度,降低微波传输损耗的目标。

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