公开(公告)号：CN118197925A

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202410159248.6

申请日：2024-02-04

Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所

Inventor： 杨欢 ,  张鹤 ,  杨振涛 ,  刘林杰

IPC: H01L21/48 ,  H01L23/10 ,  H01L23/498 ,  B23K26/36 ,  B23K26/70 ,  C25D5/54 ,  C25D7/00 ,  C25D3/38 ,  B23K101/42

Abstract: 本发明提供了一种电镀陶瓷基板围坝制备方法及具有围坝的陶瓷基板结构，属于电子封装技术领域，制备方法包括：通过在陶瓷基板围坝位置预先激光制作一定深度的围坝盲槽，利用溅射沉积和电镀工艺制作平面陶瓷基板图形后，贴覆多层干膜并曝光固化，然后激光开槽做出围坝图形，接着电镀增厚，最终完成围坝制作。这种围坝制作方法制作的陶瓷基板结构，增大了陶瓷基板与围坝的接触面积，保证了围坝与陶瓷基板的结合力，提高气密可靠性；通过激光开槽结合一次电镀达到围坝高度，图形垂直度高，并且避免多次光刻和电镀，制作时间短，制作效率高，产品精度高。

公开(公告)号：CN118063243A

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202410149497.7

申请日：2024-02-02

Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所

Inventor： 张鹤 ,  杨欢 ,  杨振涛 ,  刘林杰

IPC: C04B41/90 ,  C04B41/91

Abstract: 本发明提供一种高散热高温共烧陶瓷基板的制备方法及陶瓷基板。该方法包括：在预处理后的陶瓷基板的上表面和下表面分别沉积金属种子，得到陶瓷基板上表面的第一金属种子层和下表面的第二金属种子层；在第一金属种子层和第二金属种子层的第一预设位置处电镀铜，得到镀铜层；对第一金属种子层和第二金属种子层的第二预设位置进行刻蚀，并在陶瓷基板的上表面和下表面分别制作表面阻焊，得到陶瓷基板的阻焊层；其中，第二预设位置为第一金属种子层和第二金属种子层的除第一预设位置外的剩余位置；在阻焊层之间露出的镀铜层上制作表面金属图形，并对制作完成的陶瓷基板进行退火处理，得到高散热高温共烧陶瓷基板。本发明能够提高陶瓷基板的散热能力。

公开(公告)号：CN118280953A

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202410244125.2

申请日：2024-03-04

Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所

Inventor： 杨振涛 ,  刘林杰 ,  段强 ,  李含 ,  张鹤 ,  李娜 ,  于斐 ,  余希猛 ,  张倩 ,  刘洋 ,  郭志伟 ,  张会欣 ,  陈江涛 ,  刘瑶瑶 ,  杨鑫 ,  杨欢 ,  谢岳

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/48 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明提供了一种具有高板级可靠性的多层陶瓷外壳及制备方法，属于陶瓷封装技术领域，包括，陶瓷基板，在陶瓷基板的背面阵列有焊盘底盘，焊盘底盘的表面依次设置有镀铜层、镀镍层和镀金层，构成焊接植球的焊盘，焊盘的周围设置有阻焊层，焊盘的下表面凸伸在阻焊层的外面。本发明提供的具有高板级可靠性的多层陶瓷外壳，焊盘采用了镀铜结构，利用金属铜屈服应力较低，容易发生弹塑性变形的特点，可以及时释放掉互连结构中因热循环过程而产生的热应力，使得器件焊点在温度循环过程中的抗剪切能力大大增强，同时通过增加阻焊层及调整加工顺序对焊盘的微观形貌进行了优化，从而提高了CBGA器件的可靠性。

公开(公告)号：CN118919420A

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202410990958.3

申请日：2024-07-23

Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所

Inventor： 杨鑫 ,  张鹤 ,  杨欢 ,  杨振涛 ,  刘林杰

IPC: H01L21/48 ,  H01L23/498

Abstract: 本发明提供了一种DPC基板结合有机粘结层的三维异构堆叠基板制备方法，属于半导体技术领域，包括以下步骤：利用激光在有机粘结层上打多个通孔；对带有通孔的有机粘结层进行超声波清洗；利用金属浆料对机粘结膜上的通孔进行塞孔填充；将N+1片单层DPC基板和N片有机粘结层自上而下交替堆叠，任一有机粘结层的塞孔和相邻两个单层DPC基板均电气连接；利用真空压膜机对堆叠的DPC基板进行真空压合；将压合成型的复合DPC基板升温固化。本发明提供的一种DPC基板结合有机粘结层的三维异构堆叠基板制备方法不仅能够高效、低成本地进行DPC基板的层间粘结，还能实现DPC基板的上下电气互连。

公开(公告)号：CN118841330A

公开(公告)日：2024-10-25

申请号：CN202410918945.5

申请日：2024-07-10

Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所

Inventor： 杨欢 ,  张鹤 ,  杨振涛 ,  刘林杰

IPC: H01L21/48 ,  H01L23/055

Abstract: 本发明提供一种高温共烧陶瓷封装外壳及其制备方法，属于陶瓷封装外壳技术领域。方法包括：在高温共烧后的陶瓷基板中，制备贯穿陶瓷基板的通孔。在通孔制备后的陶瓷基板表面制备第一种子层和第二种子层。在陶瓷基板的正面覆盖开槽干膜，并采用激光在开槽干膜中进行开槽、去除槽内干膜，制备凹槽。基于凹槽底部暴露的第二种子层，以及通孔侧壁的第一种子层和通孔上端的第二种子层，电镀填充凹槽和通孔，得到电镀填充后的基板。将电镀填充后的基板去胶，制备得到带铜围坝的高温共烧陶瓷封装外壳。本发明将铜围坝制备工艺与陶瓷基板制备工艺相结合，利用陶瓷基板的通孔电镀填充步骤，同时制备铜围坝。提升了高温共烧陶瓷封装外壳的制备效率。

公开(公告)号：CN117912960A

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202311737089.5

申请日：2023-12-15

Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所

Inventor： 张鹤 ,  杨欢 ,  杨振涛 ,  曹正宇

IPC: H01L21/48 ,  H01L23/498 ,  C25D5/10 ,  C25D7/00 ,  C04B41/88

Abstract: 本发明提供一种直接镀铜陶瓷基板及其制备方法，该方法包括：在设有通孔的陶瓷基板的表面及通孔侧壁溅射第一种子层；基于第一种子层，对陶瓷基板的表面及通孔侧壁进行电镀铜，填充通孔得到铜通孔；去除陶瓷基板表面的电镀铜及第一种子层，得到去镀层的陶瓷基板；在陶瓷基板去镀层的表面及对应的铜通孔的端面溅射第二种子层；在第二种子层的表面进行图形化电镀，制备得到直接镀铜陶瓷基板。本发明一方面，第二种子层可完全封堵通孔的两端，确保铜填充通孔的气密性。另一方面，通孔两端的第二种子层在陶瓷基板表面连续无间断，承受拉应力时整个第二种子层表面均匀分散拉应力，避免单点所受应力过大导致开裂，进一步确保了铜填充通孔的气密性。