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公开(公告)号：CN117062358A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202310954052.1
申请日：2023-07-31
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供一种电源模块的陶瓷封装外壳及其制备方法，该方法包括：制备多层共烧结构的陶瓷基板；在陶瓷基板表面活性焊接第一铜层；图形化刻蚀第一铜层，制备得到电路图形；采用电镀工艺，在电路图形上电镀第二铜层，制备得到电源模块的陶瓷封装外壳，其中，第二铜层的厚度大于第一铜层的厚度。本发明通过在陶瓷基板上先活性焊接较薄的第一铜层，刻蚀出电路图形，再电镀较厚的第二铜层。先在较薄铜层上刻蚀电路图形、再在刻蚀后的电路图形上电镀较厚铜层，减少了侧面刻蚀量、减少了电路图形失真、提升了图形线宽精确度。
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公开(公告)号：CN109467415A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201811416262.0
申请日：2018-11-26
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: C04B35/10 , C04B35/622 , C03C14/00 , C03C3/064 , C03C3/089
Abstract: 本发明提供了一种低温共烧陶瓷材料复合基板的制备方法，涉及微波器件用材料技术领域，包括制备玻璃原粉、制备不同介电常数的低温共烧陶瓷材料、制备流延浆料、流延、制作基板和烧结工序。本发明提供的低温共烧陶瓷材料复合基板的制备方法，利用钙硼硅玻璃作为主玻璃相制得玻璃原粉，制得不同介电常数的LTCC材料，进而制得流延浆料和基板，最终将其层叠制得复合基板，该加工方法采用相同的钙硼硅玻璃作为多种低温共烧陶瓷材料的主玻璃相，结合不同功能相形成介电常数、抗弯强度等性能不同的LTCC粉料，实现不同层选择不同的LTCC带料的效果，产品具有收缩率一致，具有翘曲度小的优点。
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公开(公告)号：CN113345842A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202110425537.2
申请日：2021-04-20
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L23/04 , H01L23/053
Abstract: 本发明提供了一种陶瓷四边扁平封装外壳及陶瓷四边扁平封装器件。陶瓷四边扁平封装外壳包括陶瓷壳体及多个引线，陶瓷壳体用于承载芯片，引线从所述陶瓷壳体的底部向四周引出，陶瓷壳体的底部还设有向下延伸的凸台，凸台的底部平面到引线的最低点的高度差为0～0.15mm。由于凸台的底部平面到引线的最低点的高度差为0～0.15mm，而现有封装外壳与PCB板的间隙为0.50～1.0mm左右，故陶瓷四边扁平封装外壳与PCB板的间隙减小，使得用于加固的胶层厚度变小，使得板级加固可靠，可以有效地减小了引线受力，从而避免引线变形或者损坏，以保证安装后器件具有较高的可靠性。
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公开(公告)号：CN113345842B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202110425537.2
申请日：2021-04-20
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L23/04 , H01L23/053
Abstract: 本发明提供了一种陶瓷四边扁平封装外壳及陶瓷四边扁平封装器件。陶瓷四边扁平封装外壳包括陶瓷壳体及多个引线，陶瓷壳体用于承载芯片，引线从所述陶瓷壳体的底部向四周引出，陶瓷壳体的底部还设有向下延伸的凸台，凸台的底部平面到引线的最低点的高度差为0～0.15mm。由于凸台的底部平面到引线的最低点的高度差为0～0.15mm，而现有封装外壳与PCB板的间隙为0.50～1.0mm左右，故陶瓷四边扁平封装外壳与PCB板的间隙减小，使得用于加固的胶层厚度变小，使得板级加固可靠，可以有效地减小了引线受力，从而避免引线变形或者损坏，以保证安装后器件具有较高的可靠性。
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公开(公告)号：CN114050127A
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN202111129988.8
申请日：2021-09-26
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L23/053 , H01L21/48
Abstract: 本发明提供了一种芯腔局部厚金封装外壳、封装器件及制备方法，属于陶瓷封装技术领域，包括具有芯腔的陶瓷件，芯腔的底部划分为至少一个芯片安装区和至少一个无源器件安装区；芯片安装区设有下沉腔，下沉腔的底部与无源器件安装区处于不同的水平面；其中，下沉腔内的为厚金区，无源器件安装区为薄金区；下沉腔的底部设有第一镀金层，无源器件安装区设有第二镀金层，第一镀金层的厚度大于第二镀金层的厚度。本发明采取了将厚金部位的键合指在陶瓷件垂直方向下沉，使其低于薄金部位，从而实现了同一陶瓷件内部不同区域不同镀层厚度的效果，满足低温焊料烧结和金丝键合的使用需求，并满足电流及功耗逐渐增大的电源类SIP产品高可靠性能的要求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117260929A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311129699.7
申请日：2023-09-04
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供了一种背面带凸台的陶瓷外壳制备方法，属于陶瓷外壳制备技术领域，所述方法包括：在上模板的下表面上制作与生瓷片正面阵列的封装腔配合的上凸台；在下模板的上表面上制作与生瓷片背面的阵列凸台配合的下凹槽，下凹槽的四周则形成下凸台，与生瓷片上的阵列凸台四周的下腔体形成配合；将若干层叠的生瓷片夹持在上模板与下模板之间构成三明治结构，将层叠的生瓷片压合为生瓷体。本发明提供的背面带凸台的陶瓷外壳制备方法，上模板、生瓷片、下模板相互配合，相互支撑并相互补偿，在生瓷片等静压的过程中，确保生瓷片凸台的周围不会发生下榻变形，从而避免了封口环表面平面度无法满足指标要求，而导致成品报废的问题。
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公开(公告)号：CN115274567A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210793297.6
申请日：2022-07-05
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L23/04 , H01L23/08 , H01L23/488 , H01L21/48
Abstract: 本发明提供了一种陶瓷外壳及陶瓷外壳制备方法，该陶瓷外壳包括内侧芯腔面、外侧非芯腔面以及处于内侧芯腔面与外侧非芯腔面之间的四个侧面；陶瓷外壳制备有用于连通内侧芯腔面中的每个孤立金属化区域与目标侧面的第一连通结构，以及用于连通外侧非芯腔面上的引脚与目标侧面的第二连通结构；其中，目标侧面为四个侧面中的至少一个。通过设置第一连通结构和第二连通结构，能够在不占用芯区的前提下，经目标侧面实现引脚与孤立金属化区域的连接，从而对孤立金属化区域进行镀覆，解决了现有技术中高集成度的陶瓷外壳难以实现镀覆的技术问题。
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公开(公告)号：CN114050130A
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN202111131596.5
申请日：2021-09-26
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L23/15 , H01L23/13 , H01L23/06 , H01L23/49 , H01L23/495 , H01L23/498 , H01L25/16 , H01L21/50 , H01L21/52 , H01L21/60 , H03H9/05 , H03H9/10
Abstract: 本发明提供了一种CSOP型陶瓷外壳、放大滤波器及制作方法，属于陶瓷封装技术领域，包括陶瓷基板、金属墙体、金属底盘以及引线框架，陶瓷基板上设有互连孔，互连孔内设有金属钨柱；金属墙体设置于陶瓷基板的正面，与陶瓷基板构成封装腔体；金属底盘设于陶瓷基板的背面；引线框架连接于陶瓷基板的背面，且与金属钨柱连接；陶瓷基板采用氧化铝高温共烧陶瓷制作。本实施例提供的CSOP型陶瓷外壳，采用高温共烧陶瓷替代低温共烧陶瓷，焊接时先将高温共烧陶瓷基板和引线框架焊接到一起，然后再采用高温焊料将陶瓷基板和金属底盘以及金属墙体焊接到一起，降低了加工成本和加工难度，可以实现高密度布线、批量化、小型化和低成本、组装工艺高可靠等方面的要求。
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公开(公告)号：CN113707634A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202110812455.3
申请日：2021-07-19
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供了一种片式封装外壳，包括陶瓷体和引线；陶瓷体形成用于容置芯片的容置腔，陶瓷体底部设有焊盘；引线的上表面与焊盘连接，引线具有从上至下顺次连接的引线上部、引线中部和引线下部，引线中部的宽度小于引线上部的宽度，且引线中部的宽度小于引线下部的宽度。本发明提供的片式封装外壳，当环境温度发生变化时，更容易发生变形，更有利于释放应力，缓解应力带来的不良效果，避免板级焊接焊点产生裂缝，有效提高了板级组装的可靠性。
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公开(公告)号：CN204294902U
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201420781264.0
申请日：2014-12-12
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本实用新型公开了一种氮化铝覆铝基板压力铸铝工艺用模具，涉及陶瓷基板技术领域；包括模体和压头，所述模体包括左半模和与左半模对称的右半模；所述左半模包括底板和垂直于底板一侧的模壁，所述左半模和右半模的模壁对应连接后形成上部开口的模腔；所述模腔内的左半模和右半模的底板的中部均固定有垫块，所述垫块与左右两侧的模壁之间设有空隙，垫块上部的模腔为熔池，所述压头与熔池匹配。本实用新型能够保证实现在氮化铝陶瓷基板表面的覆铝，能够使得氮化铝陶瓷基板与铝覆接良好、界面空洞少，铝冷却后无气泡、电路结构完整、纯度高。
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