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公开(公告)号：CN115348740A
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202210943298.4
申请日：2022-08-08
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供一种陶瓷基板的制造方法、陶瓷基板及陶瓷外壳，该方法包括：获取熟瓷片；在熟瓷片上生长种子层；在种子层上生长导电导热层，以得到具有互连薄膜电路的陶瓷基板；导电导热层与种子层的金属成分相同。本发明通过在熟瓷片上生长导电导热层，不需要将金属与陶瓷一起进行烧结，可以选取钨、钼、锰之外不耐高温但是导电导热性较好的金属作为导电导热层，从而提高陶瓷基板的导电导热性能。
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公开(公告)号：CN114050127A
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN202111129988.8
申请日：2021-09-26
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L23/053 , H01L21/48
Abstract: 本发明提供了一种芯腔局部厚金封装外壳、封装器件及制备方法，属于陶瓷封装技术领域，包括具有芯腔的陶瓷件，芯腔的底部划分为至少一个芯片安装区和至少一个无源器件安装区；芯片安装区设有下沉腔，下沉腔的底部与无源器件安装区处于不同的水平面；其中，下沉腔内的为厚金区，无源器件安装区为薄金区；下沉腔的底部设有第一镀金层，无源器件安装区设有第二镀金层，第一镀金层的厚度大于第二镀金层的厚度。本发明采取了将厚金部位的键合指在陶瓷件垂直方向下沉，使其低于薄金部位，从而实现了同一陶瓷件内部不同区域不同镀层厚度的效果，满足低温焊料烧结和金丝键合的使用需求，并满足电流及功耗逐渐增大的电源类SIP产品高可靠性能的要求。
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公开(公告)号：CN114050130A
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN202111131596.5
申请日：2021-09-26
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L23/15 , H01L23/13 , H01L23/06 , H01L23/49 , H01L23/495 , H01L23/498 , H01L25/16 , H01L21/50 , H01L21/52 , H01L21/60 , H03H9/05 , H03H9/10
Abstract: 本发明提供了一种CSOP型陶瓷外壳、放大滤波器及制作方法，属于陶瓷封装技术领域，包括陶瓷基板、金属墙体、金属底盘以及引线框架，陶瓷基板上设有互连孔，互连孔内设有金属钨柱；金属墙体设置于陶瓷基板的正面，与陶瓷基板构成封装腔体；金属底盘设于陶瓷基板的背面；引线框架连接于陶瓷基板的背面，且与金属钨柱连接；陶瓷基板采用氧化铝高温共烧陶瓷制作。本实施例提供的CSOP型陶瓷外壳，采用高温共烧陶瓷替代低温共烧陶瓷，焊接时先将高温共烧陶瓷基板和引线框架焊接到一起，然后再采用高温焊料将陶瓷基板和金属底盘以及金属墙体焊接到一起，降低了加工成本和加工难度，可以实现高密度布线、批量化、小型化和低成本、组装工艺高可靠等方面的要求。
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公开(公告)号：CN110233110A
公开(公告)日：2019-09-13
申请号：CN201910461458.X
申请日：2019-05-30
Applicant: 同辉电子科技股份有限公司 , 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/48 , H01L21/60 , H01L23/488
Abstract: 本发明涉及一种GaN倒装芯片的焊接方法，该方法的具体步骤包括，A、减少基板在化学镀镍钯浸金过程中Ni层厚度；B、在倒装芯片上植入第一层的锡球或者铜柱；C、在倒装芯片上的第一层的锡球或铜柱上使用点胶的方式涂抹助焊剂，利用真空吸附治具吸附第二层的锡球，将第二层的锡球放置在第一层的锡球或铜柱的助焊剂上，助焊剂将两层锡球或锡球与铜柱粘结，第二层的锡球的成分为SnAgCu；D、将粘结第二层的锡球的倒装芯片贴装在基板上，放入真空回流焊中进行焊接，该方法使倒装芯片的焊锡球与基板之间的焊接更为牢固，有效的避免了锡球与基板之间断裂情况的发生。
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公开(公告)号：CN110233110B
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN201910461458.X
申请日：2019-05-30
Applicant: 同辉电子科技股份有限公司 , 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/48 , H01L21/60 , H01L23/488
Abstract: 本发明涉及一种GaN倒装芯片的焊接方法，该方法的具体步骤包括，A、减少基板在化学镀镍钯浸金过程中Ni层厚度；B、在倒装芯片上植入第一层的锡球或者铜柱；C、在倒装芯片上的第一层的锡球或铜柱上使用点胶的方式涂抹助焊剂，利用真空吸附治具吸附第二层的锡球，将第二层的锡球放置在第一层的锡球或铜柱的助焊剂上，助焊剂将两层锡球或锡球与铜柱粘结，第二层的锡球的成分为SnAgCu；D、将粘结第二层的锡球的倒装芯片贴装在基板上，放入真空回流焊中进行焊接，该方法使倒装芯片的焊锡球与基板之间的焊接更为牢固，有效的避免了锡球与基板之间断裂情况的发生。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110277383A
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201910461457.5
申请日：2019-05-30
Applicant: 同辉电子科技股份有限公司 , 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L25/16
Abstract: 本发明涉及一种减小GaN HEMT功率模块封装寄生电感的DBC板布局方法，属于半导体封装技术领域，其中在DBC板上贴覆有电路设计布局的元器件，该元器件包括GaN芯片、MOS芯片、门极电阻及功率端子，DBC板上包括源极区、漏极区、门极区，GaN芯片、MOS芯片、门极电阻与DBC板之间通过锡膏回流焊接，GaN芯片、MOS芯片、门极电阻及功率端子之间留有的闲置空间为DBC板上的覆铜，本发明通过对DBC板的合理布局，通过改善DBC板表面覆铜的寄生电感，减小了因为GaN器件高频由于封装形式寄生过大而造成的损耗，实现了高频率GaN功率模块结构封装的方法。
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公开(公告)号：CN218159835U
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202222330624.2
申请日：2022-09-01
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本实用新型提供了一种对称封接引线陶瓷绝缘子密封结构，属于电子封装技术领域，包括陶瓷绝缘子、引线和两个密封圈，引线安装于封接孔内，两个所述密封圈分别同轴套设于所述引线外圆周且分别贴于所述陶瓷绝缘子内外两端面，所述陶瓷绝缘子内端面和外端面均覆满有金属化层，两端所述金属化层和两端所述密封圈以所述陶瓷绝缘子为对称轴形成对称结构，所述金属化层、所述密封圈和所述引线相互连接，该密封结构的封接应力小，封接强度高，封接应力均匀分布到陶瓷绝缘子两端，有利于降低陶瓷绝缘子及焊接部位在后续使用过程中开裂的风险，从而提高产品的一致性与长期可靠性。
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公开(公告)号：CN218159834U
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202222330326.3
申请日：2022-09-01
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01B17/38
Abstract: 本实用新型提供了一种低应力引线陶瓷绝缘子密封结构，属于电子封装技术领域，包括陶瓷绝缘子、引线和两个密封圈，引线安装于封接孔内，两个所述密封圈分别同轴套设于所述引线外圆周且分别贴于所述陶瓷绝缘子内外两端面，所述陶瓷绝缘子内端面和外端面均设有第一金属化层，所述陶瓷绝缘子封接孔内靠近两端部处均设有第二金属化层，所述第一金属化层、所述第二金属化层、所述密封圈和所述引线相互连接，通过陶瓷绝缘子端部和封接孔内局部金属化进行封接，降低了焊接过程中的封接应力，封接强度高，避免出现因引线与陶瓷绝缘子焊接应力产生的不可控的裂纹缺陷，气密性良好，从而提高产品的一致性与长期可靠性。
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公开(公告)号：CN218159833U
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202222330290.9
申请日：2022-09-01
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本实用新型提供了一种引线陶瓷绝缘子密封结构，属于电子封装技术领域，包括陶瓷绝缘子、引线、内密封圈和外密封圈，陶瓷绝缘子封接孔内无金属化层，引线安装于封接孔内，陶瓷绝缘子内端面和外端面均设有金属化层且金属化层与引线连接，内密封圈和外密封圈均套设于引线外圆周，内密封圈贴于陶瓷绝缘子内端面，外密封圈贴于陶瓷绝缘子外端面，通过两端金属化层与引线焊接实现密封，避免出现因引线与陶瓷绝缘子焊接应力产生的裂纹缺陷，进而保证产品在后续使用时的长期可靠性，将内密封圈和外密封圈焊接于内外端面，一方面将钎焊应力分散到陶瓷绝缘子与密封圈、密封圈与引线上，提高引线与陶瓷绝缘子焊接强度。
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公开(公告)号：CN204204829U
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201420718716.0
申请日：2014-11-26
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L23/049 , H01L23/08
Abstract: 本实用新型公开了一种系统级封装用超大腔体陶瓷针栅阵列外壳，涉及陶瓷封装外壳技术领域，它包括陶瓷件、封口环和第一盖板，陶瓷件具有多层布线结构，陶瓷件设有用于容纳基板的第一腔体，第一腔体内设有用于使陶瓷件与基板电连接的键合区，陶瓷件的底部设有引线，第一盖板用于从顶部封闭陶瓷件，封口环位于第一盖板与陶瓷件之间，它用于系统级封装，具有重量轻、体积小、引线排列方式自由多样、气密性和可靠性高的特点，非常实用。
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