公开(公告)号：CN115348740A

公开(公告)日：2022-11-15

申请号：CN202210943298.4

申请日：2022-08-08

Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所

Inventor： 杨振涛 ,  刘林杰 ,  于斐 ,  武伯贤 ,  段强 ,  刘洋 ,  张志庆 ,  路聪阁 ,  马栋栋 ,  刘旭 ,  刘彤

IPC: H05K3/02 ,  H05K3/00

Abstract: 本发明提供一种陶瓷基板的制造方法、陶瓷基板及陶瓷外壳，该方法包括：获取熟瓷片；在熟瓷片上生长种子层；在种子层上生长导电导热层，以得到具有互连薄膜电路的陶瓷基板；导电导热层与种子层的金属成分相同。本发明通过在熟瓷片上生长导电导热层，不需要将金属与陶瓷一起进行烧结，可以选取钨、钼、锰之外不耐高温但是导电导热性较好的金属作为导电导热层，从而提高陶瓷基板的导电导热性能。

公开(公告)号：CN114050127A

公开(公告)日：2022-02-15

申请号：CN202111129988.8

申请日：2021-09-26

Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所

Inventor： 杨振涛 ,  高岭 ,  于斐 ,  刘林杰 ,  张志庆 ,  毕大鹏 ,  王东生 ,  刘旭 ,  路聪阁 ,  马栋栋

IPC: H01L23/053 ,  H01L21/48

Abstract: 本发明提供了一种芯腔局部厚金封装外壳、封装器件及制备方法，属于陶瓷封装技术领域，包括具有芯腔的陶瓷件，芯腔的底部划分为至少一个芯片安装区和至少一个无源器件安装区；芯片安装区设有下沉腔，下沉腔的底部与无源器件安装区处于不同的水平面；其中，下沉腔内的为厚金区，无源器件安装区为薄金区；下沉腔的底部设有第一镀金层，无源器件安装区设有第二镀金层，第一镀金层的厚度大于第二镀金层的厚度。本发明采取了将厚金部位的键合指在陶瓷件垂直方向下沉，使其低于薄金部位，从而实现了同一陶瓷件内部不同区域不同镀层厚度的效果，满足低温焊料烧结和金丝键合的使用需求，并满足电流及功耗逐渐增大的电源类SIP产品高可靠性能的要求。

公开(公告)号：CN117727842A

公开(公告)日：2024-03-19

申请号：CN202311736681.3

申请日：2023-12-15

Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所

Inventor： 张倩 ,  杨振涛 ,  马栋栋 ,  刘林杰 ,  曹正宇

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/60 ,  H01L33/54 ,  H01L33/56

Abstract: 本发明提供一种深紫外LED封装用陶瓷外壳及其制备方法，该方法包括：采用激光倾斜于生瓷片表面、贯穿生瓷片进行切割，制备得到带异形腔的第一生瓷层，异形腔的纵截面形状为等腰梯形。等腰梯形的高大于深紫外LED的厚度。制备得到内部多层布线的第二生瓷层。将第一生瓷层置于第二生瓷层上表面后进行烧结，制备得到陶瓷外壳，其中，等腰梯形较短的一条底边朝向第二生瓷层。本发明通过激光倾斜切割得到异形腔结构的第一生瓷层。制备得到内部布线的第二生瓷层。再将第一生瓷层与第二生瓷层层叠后烧结得到陶瓷外壳。陶瓷外壳的腔体侧壁无台阶结构、表面更加平整，提升了对深紫外LED侧向光的反射性能，提升了封装后深紫外LED的出光效率。