公开(公告)号：CN118231385A

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN202311730745.9

申请日：2023-12-15

申请人： 安华高科技股份有限公司

发明人： J·S·崔 ,  全炫锡 ,  S·卡里卡兰 ,  曾国祥 ,  黄文显 ,  王玺惟 ,  游家源

IPC分类号： H01L23/552

摘要： 一种用于半导体封装的电磁EM屏蔽结构嵌入在所述半导体封装的核心层的通孔中。所述EM屏蔽结构可包含通过铜电镀操作形成的多个通路。另外，金属路径环绕所述EM屏蔽结构且与介电材料一起防止不想要的EM辐射(通过了所述通路)从整个所述半导体封装中发出。所述EM屏蔽结构也可采用在所述核心层的通孔处粘合到所述核心层的插入件的形式。

公开(公告)号：CN118943115A

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN202410467725.5

申请日：2024-04-18

申请人： 安华高科技股份有限公司

发明人： 曾国祥 ,  王玺惟 ,  黄文显 ,  游家源

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L23/15 ,  H01L23/14 ,  H01L21/48

摘要： 本发明针对于无核心衬底及其制造方法。根据实施例，本发明提供包含耦合到衬底的电路的半导体装置。所述衬底包括多个层，所述多个层中的一些层包括有机材料。在一些实施方案中，所述衬底可为不含核心材料的无核心衬底。还存在其它实施例。