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公开(公告)号：CN104867859B
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201510133063.9
申请日：2015-02-17
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/683
CPC分类号： H01L21/6835 , H01L21/268 , H01L21/304 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L21/76251 , H01L21/78 , H01L23/3114 , H01L24/02 , H01L24/24 , H01L24/82 , H01L24/97 , H01L2221/68318 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381 , H01L2224/0231 , H01L2224/04105 , H01L2224/24011 , H01L2224/24105 , H01L2224/24226 , H01L2224/245 , H01L2224/82106 , H01L2224/96 , H01L2224/97 , H01L2924/06 , H01L2924/0665 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , H01L2924/201 , H01L2924/20108 , H01L2924/20109 , H01L2924/2011 , H01L2924/20111 , H01L2924/2064 , H01L2924/20641 , H01L2924/20642 , H01L2924/00 , H01L2224/82 , H05K3/467 , H01L2224/03 , H01L2924/01029
摘要： 本发明涉及包括电介质材料的半导体器件。一种用于制造半导体器件的方法，包括提供载体及具有第一侧和与该第一侧相对的第二侧的半导体晶片。该方法包括向该载体或该半导体晶片施加电介质材料并通过该电介质材料将该半导体晶片接合至该载体。该方法包括处理半导体晶片并从该半导体晶片移除该载体，以使该电介质材料保留在该半导体晶片上以提供包括该电介质材料的半导体器件。
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公开(公告)号：CN103325746B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201310088580.X
申请日：2013-03-19
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H01L23/31 , H01L23/495 , H01L21/56
CPC分类号： H01L23/49562 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L23/3107 , H01L23/49513 , H01L23/49551 , H01L23/49579 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/29 , H01L24/33 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/97 , H01L2224/114 , H01L2224/116 , H01L2224/13124 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/16225 , H01L2224/29116 , H01L2224/29124 , H01L2224/29139 , H01L2224/29144 , H01L2224/29147 , H01L2224/29155 , H01L2224/29164 , H01L2224/29166 , H01L2224/29169 , H01L2224/29171 , H01L2224/2929 , H01L2224/29339 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/33181 , H01L2224/37147 , H01L2224/40137 , H01L2224/73253 , H01L2224/81805 , H01L2224/83801 , H01L2224/83805 , H01L2224/83862 , H01L2924/0132 , H01L2924/01322 , H01L2924/07802 , H01L2924/07811 , H01L2924/12042 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2924/20104 , H01L2924/20105 , H01L2924/20106 , H01L2924/20107 , H01L2924/20108 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/0665 , H01L2924/0105 , H01L2924/01082 , H01L2924/00014 , H01L2924/01023 , H01L2924/01013 , H01L2924/01032 , H01L2924/01079 , H01L2924/01049 , H01L2924/01029
摘要： 在一个实施例中，半导体封装包括具有第一夹的夹框架，所述第一夹具有第一支撑结构、第一杆、以及设置在半导体封装的正面上的第一接触部分。第一支撑结构邻近半导体封装的相对背面。第一杆连接第一接触部分与第一支撑结构。第一晶圆设置在第一夹的第一支撑结构之上。第一晶圆具有位于半导体封装的正面上的第一接触焊盘。密封剂材料包围第一晶圆和第一夹。
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公开(公告)号：CN106058024A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201510598352.6
申请日：2015-09-18
申请人： 南茂科技股份有限公司
CPC分类号： H01L24/11 , C23C18/1653 , C25D3/60 , C25D3/62 , C25D5/02 , C25D5/505 , C25D7/123 , G02F1/1333 , H01L21/324 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/742 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L33/62 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/03462 , H01L2224/03464 , H01L2224/05139 , H01L2224/05144 , H01L2224/05155 , H01L2224/05164 , H01L2224/05166 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/05666 , H01L2224/06102 , H01L2224/1145 , H01L2224/11452 , H01L2224/11462 , H01L2224/1147 , H01L2224/11849 , H01L2224/13006 , H01L2224/13007 , H01L2224/13013 , H01L2224/13014 , H01L2224/1308 , H01L2224/13082 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/1403 , H01L2224/14051 , H01L2224/16227 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/81203 , H01L2224/81447 , H01L2224/81815 , H01L2224/83104 , H01L2224/92125 , H01L2924/00015 , H01L2924/01029 , H01L2924/01047 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/12041 , H01L2924/20107 , H01L2924/20108 , H01L2924/2064 , H01L2924/351 , H01L2924/0105 , H01L2224/48 , H01L2924/00014 , H01L2924/01074 , H01L2924/00012 , H01L2224/81411 , H01L2924/0665 , H01L33/007 , H01L2933/0066
摘要： 本发明提供了一种半导体封装，其包括一半导体芯片，其中包含：一主动面，其上有传导垫；在主动面上方的电镀金-锡(Au-Sn)合金凸块；以及(玻璃)基板，其包括与电镀金-锡合金凸块电耦合的导线，其中电镀金-锡合金凸块具有重量百分比约Au0.85Sn0.15至约Au0.75Sn0.25的组成成分，从接近所述主动面的一端均匀分布至接近基板的一端。本发明还提供了一种制造半导体封装的方法，包括：在半导体芯片的主动面上形成传导垫的图案；在传导垫上方电镀金-锡合金凸块；以及藉由回焊程序或热压程序，将半导体芯片接合在基板上相对应的导线上。
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公开(公告)号：CN105745356A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201380081083.5
申请日：2013-11-21
申请人： 贺利氏德国有限两合公司
CPC分类号： B23K35/40 , B23K20/007 , B23K20/10 , B23K35/0261 , B23K35/0272 , B23K35/30 , B23K35/3006 , B23K35/302 , B23K35/322 , B23K35/404 , B23K2101/42 , C22F1/08 , C23C14/14 , C23C18/08 , C23C28/00 , C23C30/00 , C23F17/00 , C25D5/34 , C25D7/0607 , H01B1/026 , H01L24/43 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/745 , H01L24/85 , H01L2224/05124 , H01L2224/05624 , H01L2224/4321 , H01L2224/43823 , H01L2224/43825 , H01L2224/43826 , H01L2224/43848 , H01L2224/45015 , H01L2224/45139 , H01L2224/45147 , H01L2224/45565 , H01L2224/45639 , H01L2224/45644 , H01L2224/45647 , H01L2224/45663 , H01L2224/45664 , H01L2224/45669 , H01L2224/45673 , H01L2224/45676 , H01L2224/45678 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/48472 , H01L2224/48824 , H01L2224/85181 , H01L2224/85205 , H01L2224/85444 , H01L2924/00011 , H01L2924/01076 , H01L2924/12044 , H01L2924/181 , H05K1/09 , H05K2201/10287 , H05K2203/049 , Y10T428/12875 , Y10T428/12889 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/20109 , H01L2924/2011 , H01L2924/01029 , H01L2924/01047 , H01L2924/01046 , H01L2924/2075 , H01L2924/20751 , H01L2924/20752 , H01L2924/20753 , H01L2924/20754 , H01L2924/20755 , H01L2924/20756 , H01L2924/20757 , H01L2924/20758 , H01L2924/01014 , H01L2924/013 , H01L2924/20303 , H01L2924/20304 , H01L2924/20305 , H01L2924/00012 , H01L2924/01006 , H01L2924/01001 , H01L2924/01008 , H01L2924/01007 , H01L2924/01204 , H01L2924/20105 , H01L2924/20106 , H01L2924/20107 , H01L2924/20108 , H01L2924/00013 , H01L2924/01049 , H01L2924/01005 , H01L2924/01015 , H01L2924/01033
摘要： 本发明涉及接合线，其包含具有表面（15）的芯（2）和涂层（3），其中芯（2）包含选自铜和银的芯主要组分，涂层（3）至少部分叠加在芯（2）的表面（15）上，其中涂层（3）包含选自钯、铂、金、铑、钌、锇和铱的涂层组分，其中通过使液体的膜沉积在线芯前体上从而将涂层施加在芯的表面上，其中所述液体包含涂层组分前体，并且其中加热所沉积的膜以使涂层组分前体分解成金属相。
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公开(公告)号：CN105448862A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201410514075.1
申请日：2014-09-29
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
CPC分类号： H01L23/544 , H01L21/68 , H01L24/03 , H01L24/09 , H01L24/89 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/03618 , H01L2224/05111 , H01L2224/05113 , H01L2224/05116 , H01L2224/05139 , H01L2224/08145 , H01L2224/8013 , H01L2224/80203 , H01L2224/80801 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2225/06593 , H01L2924/0132 , H01L2924/0133 , H01L2924/20104 , H01L2924/20105 , H01L2924/20106 , H01L2924/20107 , H01L2924/20108 , H01L2924/20109
摘要： 一种半导体结构及其制作方法，其中半导体结构的制作方法包括：提供第一晶圆以及第二晶圆，第一晶圆内形成有第一金属层，第二晶圆内形成有第二金属层；在第一晶圆表面形成第一材料层；在第二晶圆表面形成第二材料层；对所述第一晶圆与第二晶圆进行对准处理以及键合处理，使第一材料层与第二材料层对准且表面相接触；在进行键合处理后，对所述第一材料层以及第二材料层进行加热处理，使第一材料层以及第二材料层相互熔融，提高第一金属层与第二金属层之间的对准精度。本发明利用第一材料层以及第二材料层相互熔融产生的表面张力，使第一材料层和第二材料层相互拉近，从而提高第一金属层和第二金属层之间的对准精度，减小键合偏移。
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公开(公告)号：CN104867859A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201510133063.9
申请日：2015-02-17
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/683
CPC分类号： H01L21/6835 , H01L21/268 , H01L21/304 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L21/76251 , H01L21/78 , H01L23/3114 , H01L24/02 , H01L24/24 , H01L24/82 , H01L24/97 , H01L2221/68318 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381 , H01L2224/0231 , H01L2224/04105 , H01L2224/24011 , H01L2224/24105 , H01L2224/24226 , H01L2224/245 , H01L2224/82106 , H01L2224/96 , H01L2224/97 , H01L2924/06 , H01L2924/0665 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , H01L2924/201 , H01L2924/20108 , H01L2924/20109 , H01L2924/2011 , H01L2924/20111 , H01L2924/2064 , H01L2924/20641 , H01L2924/20642 , H01L2924/00 , H01L2224/82 , H05K3/467 , H01L2224/03 , H01L2924/01029 , H01L2221/68372
摘要： 本发明涉及包括电介质材料的半导体器件。一种用于制造半导体器件的方法，包括提供载体及具有第一侧和与该第一侧相对的第二侧的半导体晶片。该方法包括向该载体或该半导体晶片施加电介质材料并通过该电介质材料将该半导体晶片接合至该载体。该方法包括处理半导体晶片并从该半导体晶片移除该载体，以使该电介质材料保留在该半导体晶片上以提供包括该电介质材料的半导体器件。
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公开(公告)号：CN102422404B
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201080019191.6
申请日：2010-07-16
申请人： 新日铁住金高新材料株式会社 , 日铁住金新材料股份有限公司
CPC分类号： C22C5/04 , C22C5/02 , C22C5/06 , C22C9/00 , H01L24/43 , H01L24/45 , H01L2224/05624 , H01L2224/4312 , H01L2224/4321 , H01L2224/43848 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45147 , H01L2224/4516 , H01L2224/45565 , H01L2224/45572 , H01L2224/45639 , H01L2224/45644 , H01L2224/45664 , H01L2224/48011 , H01L2224/48247 , H01L2224/48471 , H01L2224/4851 , H01L2224/48624 , H01L2224/48724 , H01L2224/48739 , H01L2224/48744 , H01L2224/48764 , H01L2224/48824 , H01L2224/48839 , H01L2224/48844 , H01L2224/48864 , H01L2224/78301 , H01L2224/85045 , H01L2224/85065 , H01L2224/85075 , H01L2224/85181 , H01L2224/85186 , H01L2224/85207 , H01L2224/85439 , H01L2224/85444 , H01L2224/85464 , H01L2224/85564 , H01L2924/00011 , H01L2924/00015 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/15311 , H01L2924/20751 , H01L2924/20752 , H01L2924/20753 , H01L2924/20754 , H01L2924/20755 , H01L2924/01034 , H01L2924/01005 , H01L2924/01015 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0102 , H01L2924/01013 , H01L2924/00014 , H01L2224/45144 , H01L2924/01204 , H01L2924/20105 , H01L2924/20106 , H01L2924/20107 , H01L2924/20108 , H01L2924/01001 , H01L2924/20756 , H01L2924/20757 , H01L2924/20758 , H01L2924/01028 , H01L2924/0105 , H01L2924/01007 , H01L2224/45669 , H01L2924/2076 , H01L2924/01018 , H01L2224/48465 , H01L2924/20654 , H01L2924/20652 , H01L2924/20655 , H01L2924/00 , H01L2924/013 , H01L2924/20109 , H01L2924/2011 , H01L2924/20111 , H01L2924/01004 , H01L2924/01033
摘要： 本发明提供即使对于镀钯的引线框也能够确保良好的楔接合性、耐氧化性优异的以铜或铜合金为芯线的半导体用接合线。该半导体用接合线的特征在于，具有由铜或铜合金构成的芯线、在该芯线的表面的具有10～200nm的厚度的含有钯的被覆层和在该被覆层的表面的具有1～80nm的厚度的含有贵金属和钯的合金层，所述贵金属为银或金，所述合金层中的所述贵金属的浓度为10体积％～75体积％。
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公开(公告)号：CN104701197A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201410539418.X
申请日：2014-09-16
申请人： 半导体元件工业有限责任公司
发明人： R·D·莫叶丝 , 萨德哈玛·C·沙斯特瑞
IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/485
CPC分类号： H01L24/94 , H01L21/3065 , H01L21/78 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/02126 , H01L2224/0401 , H01L2224/05022 , H01L2224/05073 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05567 , H01L2224/05573 , H01L2224/05655 , H01L2224/05666 , H01L2224/05684 , H01L2224/11019 , H01L2224/1191 , H01L2224/13013 , H01L2224/13014 , H01L2224/13017 , H01L2224/13022 , H01L2224/13144 , H01L2224/13562 , H01L2224/13611 , H01L2224/81805 , H01L2224/81815 , H01L2224/94 , H01L2924/01046 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/0132 , H01L2924/1305 , H01L2924/13091 , H01L2924/20106 , H01L2924/20107 , H01L2924/20108 , H01L2924/00014 , H01L2924/01074 , H01L2924/01014 , H01L2924/01029 , H01L2224/11
摘要： 本发明涉及半导体器件的制造方法及其结构。在一个实施例中，导体凸块形成在半导体器件的凸块下导体上，从凸块下导体的表面延伸第一距离，包括在导体凸块外表面上形成保护层，其中多个半导体管芯随后通过用刻蚀剂刻蚀贯通半导体衬底切单，以及其中保护层保护导体凸块不受刻蚀剂刻蚀。
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公开(公告)号：CN104661786A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201280076109.2
申请日：2012-09-28
申请人： EV集团E·索尔纳有限责任公司
IPC分类号： B23K20/02 , H01L23/488
CPC分类号： B32B37/16 , B23K20/02 , B23K20/023 , B23K20/026 , B23K20/16 , B23K20/24 , B32B37/10 , B32B37/12 , B32B38/0036 , B32B2309/025 , B32B2309/12 , B32B2311/12 , C23C14/24 , C23C16/44 , C23C28/02 , C25D5/00 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L2224/2745 , H01L2224/27452 , H01L2224/27462 , H01L2224/27464 , H01L2224/29082 , H01L2224/29083 , H01L2224/29147 , H01L2224/29166 , H01L2224/29181 , H01L2224/29644 , H01L2224/29647 , H01L2224/29664 , H01L2224/29666 , H01L2224/29684 , H01L2224/83013 , H01L2224/83065 , H01L2224/83075 , H01L2224/8309 , H01L2224/83097 , H01L2224/83099 , H01L2224/83193 , H01L2224/83203 , H01L2224/8382 , H01L2924/10253 , H01L2924/351 , Y10T156/10 , H01L23/488 , H01L2924/20103 , H01L2924/20104 , H01L2924/20105 , H01L2924/20106 , H01L2924/20107 , H01L2924/20108 , H01L2924/20109 , H01L2924/20111 , H01L2924/2011 , H01L2924/01001 , H01L2924/01007 , H01L2924/01018 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 涂覆及接合衬底的方法。本发明涉及一种经由沉积第一材料而对第一衬底(1)涂覆第一扩散接合层(5)的方法，其在第一衬底(1)的第一表面(1o)上形成第一扩散接合层(5)，以使该第一扩散接合层(5)形成具有小于1μm的与该第一表面(1o)平行的平均粒直径H的粒表面。此外，本发明涉及一种采用以下步骤，尤其是以下流程将已如此涂覆的第一衬底(1)接合至具有第二扩散接合层(4)的第二衬底(3)的方法：-使第一衬底(1)的第一扩散接合层(5)与第二衬底(3)的第二扩散接合层接触，-将该衬底(1、3)压在一起而形成该第一及第二衬底(1、3)间的永久金属扩散接合。
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公开(公告)号：CN101689519B
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN200880024022.4
申请日：2008-12-02
申请人： 新日铁住金高新材料株式会社 , 日铁住金新材料股份有限公司
CPC分类号： C22C5/04 , B23K35/0222 , B23K35/30 , B23K35/3006 , B23K35/3013 , B23K35/302 , C22C5/02 , C22C5/06 , C22C9/00 , H01L24/43 , H01L24/45 , H01L2224/05624 , H01L2224/4312 , H01L2224/4321 , H01L2224/43848 , H01L2224/45015 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45164 , H01L2224/45565 , H01L2224/45572 , H01L2224/45639 , H01L2224/45644 , H01L2224/45664 , H01L2224/45669 , H01L2224/45673 , H01L2224/45676 , H01L2224/48011 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/4851 , H01L2224/48624 , H01L2224/48639 , H01L2224/48644 , H01L2224/48839 , H01L2224/48844 , H01L2224/78301 , H01L2224/85045 , H01L2224/85065 , H01L2224/85075 , H01L2224/851 , H01L2224/85205 , H01L2224/85207 , H01L2224/85439 , H01L2224/85444 , H01L2224/859 , H01L2924/00011 , H01L2924/00015 , H01L2924/01203 , H01L2924/01204 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/20751 , H01L2924/20752 , H01L2924/20753 , H01L2924/3011 , H01L2924/3025 , H01L2924/3861 , H01L2924/01028 , H01L2924/01046 , H01L2924/01004 , H01L2924/0102 , H01L2924/01078 , H01L2924/01005 , H01L2924/01015 , H01L2924/01083 , H01L2924/01014 , H01L2924/01029 , H01L2924/20652 , H01L2924/20656 , H01L2924/20754 , H01L2924/20755 , H01L2924/20105 , H01L2924/20106 , H01L2924/20107 , H01L2924/20108 , H01L2924/00014 , H01L2924/01202 , H01L2224/45655 , H01L2224/45657 , H01L2224/45671 , H01L2224/45666 , H01L2924/0104 , H01L2924/01007 , H01L2924/01018 , H01L2924/01001 , H01L2924/20658 , H01L2924/20654 , H01L2224/48824 , H01L2924/00 , H01L2924/013 , H01L2924/00013 , H01L2924/2075 , H01L2924/01049 , H01L2924/01006
摘要： 本发明涉及半导体装置用接合引线。本发明的目的在于提供引线的表面性状、环路的直线性、环路高度的稳定性、引线的接合形状的稳定化优良也适用于细线化、窄间距化、长跨度化、三维安装等的半导体安装技术的高性能的接合引线。作为具有包括导电性金属的芯材、和在该芯材上以与芯材不相同的面心立方晶格的金属为主要成分的表皮层的半导体装置用接合引线，特征为：所述表皮层的表面中的长度方向的晶体取向 中， 所占的比例为50％以上。
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