公开(公告)号：CN110225441A

公开(公告)日：2019-09-10

申请号：CN201910179629.X

申请日：2019-02-28

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： M·菲尔德纳 ,  N·德米勒里 ,  B·戈勒 ,  U·克伦拜恩 ,  G·洛宁格 ,  G·托索里尼 ,  A·韦斯鲍尔

IPC: H04R19/04

Abstract: 本申请涉及一种MEMS模块(100)。该MEMS模块包括：具有内部容积(V)的壳体(130)，其中壳体(130)具有朝内部容积(V)的声音开口(132)；壳体(130)中与声音开口(132)相邻的MEMS组件(110)；以及层元件(138)，该层元件(138)至少局部地布置在壳体(130)的面向内部容积(V)的表面区域(134-1、136-1)处，其中层元件(138)具有层材料，该层材料比层元件(138)相邻的壳体(130)的壳体材料具有更低的热导率，并且可选地具有更高的热容量。

公开(公告)号：CN109103171A

公开(公告)日：2018-12-28

申请号：CN201810631347.4

申请日：2018-06-19

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： P·A·布雷格劳滨托雷斯亚马拉尔 ,  E·布洛克斯-纳皮拉尔斯卡 ,  B·戈勒 ,  A·韦斯鲍尔

IPC: H01L23/552 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56

Abstract: 本公开涉及具有减少的射频损耗的器件封装体。一种器件封装体包括半导体器件。半导体器件设置在衬底上。器件封装体还包括覆盖物。覆盖物设置在衬底上并且围绕半导体器件。覆盖物包括空隙、第一层和第二层。空隙在覆盖物的内表面与半导体器件之间。第一层具有第一电导率和第一厚度。第二层设置在第一层之下。第二层具有第二电导率和第二厚度。第一电导率大于第二电导率。第一厚度小于第二厚度。

公开(公告)号：CN119013442A

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN202380033384.4

申请日：2023-04-12

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司 ,  雷纳技术有限责任公司

Inventor： I·莫德 ,  B·戈勒 ,  P·E·费舍尔 ,  N·贝 ,  X·盖伊

IPC: C25F3/12 ,  C25F7/00 ,  H01L21/67

Abstract: 一种用于半导体基板的电化学处理的装置，包括：至少一个第一槽，其被填充有电解质并且包括至少一个第一电极；至少一个第二槽，其被填充有电解质并且包括至少一个第二电极；和分离单元，将包括其电解质的第一槽与第二槽电气分离；电力电源，其被连接到第一电极和第二电极；运输部件，其被配置用于在第一槽和第二槽上方运输基板；和控制器，其用于以特定方式控制运输部件。此外，公开了一种用于使用本文描述的装置的半导体基板的电化学处理的工艺。

公开(公告)号：CN117334620A

公开(公告)日：2024-01-02

申请号：CN202310799280.6

申请日：2023-06-30

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： G·朗格 ,  B·戈勒 ,  N·米什拉 ,  M·皮钦 ,  F-J·皮克勒

IPC: H01L21/683

Abstract: 公开了在半导体本体(102)中制造半导体器件的方法。方法包括在半导体本体(102)的第一表面(104)处对半导体本体(102)进行处理。方法还包括将半导体本体(102)经由第一表面(104)附接到载体(106)。载体(106)包括内部部分(1061)和至少部分地围绕内部部分(1061)的外部部分(1062)。方法还包括在与第一表面(104)相对的第二表面处对半导体本体(102)进行处理。方法还包括将载体(106)的内部部分(1061)从半导体本体(102)拆离。

公开(公告)号：CN108100985B

公开(公告)日：2022-02-11

申请号：CN201711099535.9

申请日：2017-11-09

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： 张超发 ,  C·盖斯勒 ,  B·戈勒 ,  T·基尔格 ,  J·洛德迈尔 ,  D·迈尔 ,  F-X·米尔赫鲍尔 ,  黄志洋 ,  施明计 ,  M·施泰尔特 ,  C·韦希特尔

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00

Abstract: 一种半导体封装体包括：具有设置在所述半导体芯片的第一侧处的传感器结构的半导体芯片和从所述第一侧穿过所述半导体芯片延伸到所述半导体芯片的与所述第一侧相反的第二侧的第一端口，以便提供到外部环境的链路。还提供了相应的制造方法。

公开(公告)号：CN112420504B

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202010849483.8

申请日：2020-08-21

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： R·里斯克 ,  A·宾特 ,  W·迪瓦尔德 ,  B·戈勒 ,  H·格拉夫 ,  G·拉克纳 ,  J·里希特 ,  R·鲁普 ,  G·沙格尔 ,  M·施沃博达

IPC: H01L21/304

Abstract: 公开了母衬底、晶片复合体以及制造晶体衬底和半导体器件的方法。提供了包括中心区(110)和边缘区(180)的母衬底(100)。边缘区(180)围绕中心区(110)。在中心区(110)中形成脱附层(150)。脱附层(150)与母衬底(100)的主表面(101、102)平行地延伸。脱附层(150)包括改性的衬底材料。在边缘区(180)中形成凹槽(190)。凹槽(190)在横向上包围中心区(110)。凹槽(190)对于脱附层(150)竖向地和/或倾斜地行进。

公开(公告)号：CN117438296A

公开(公告)日：2024-01-23

申请号：CN202310904967.1

申请日：2023-07-21

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： S·罗伊 ,  R·K·乔西 ,  H-J·舒尔茨 ,  B·戈勒 ,  D·克拉斯诺宗

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/45 ,  H01L29/16

Abstract: 提供了碳化硅半导体衬底上制造接触的方法和碳化硅半导体器件。本公开总体涉及在碳化硅半导体衬底上制造接触的方法，其中该方法包括：提供4H‑SiC半导体衬底；用第一热退火激光束照射4H‑SiC半导体衬底的表面区域，从而生成至少包括3C‑SiC层的表面区域的相分离；以及在3C‑SiC层上沉积接触材料以在半导体衬底上形成接触层。本公开还涉及具有欧姆接触的碳化硅半导体器件，包括4H‑SiC半导体衬底、3C‑SiC层和在半导体表面处与3C‑SiC层直接接触的接触层。

公开(公告)号：CN108100985A

公开(公告)日：2018-06-01

申请号：CN201711099535.9

申请日：2017-11-09

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： 张超发 ,  C·盖斯勒 ,  B·戈勒 ,  T·基尔格 ,  J·洛德迈尔 ,  D·迈尔 ,  F-X·米尔赫鲍尔 ,  黄志洋 ,  施明计 ,  M·施泰尔特 ,  C·韦希特尔

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81B7/0058 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2207/096 ,  B81C1/00301 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/0154

Abstract: 一种半导体封装体包括：具有设置在所述半导体芯片的第一侧处的传感器结构的半导体芯片和从所述第一侧穿过所述半导体芯片延伸到所述半导体芯片的与所述第一侧相反的第二侧的第一端口，以便提供到外部环境的链路。还提供了相应的制造方法。

公开(公告)号：CN104867859B

公开(公告)日：2018-01-09

申请号：CN201510133063.9

申请日：2015-02-17

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： E·菲尔古特 ,  B·戈勒 ,  E-M·黑斯 ,  C·施魏格

IPC: H01L21/683

CPC classification number: H01L21/6835 ,  H01L21/268 ,  H01L21/304 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L21/76251 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3114 ,  H01L24/02 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L24/97 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/24011 ,  H01L2224/24105 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2224/245 ,  H01L2224/82106 ,  H01L2224/96 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/06 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/201 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/20111 ,  H01L2924/2064 ,  H01L2924/20641 ,  H01L2924/20642 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/82 ,  H05K3/467 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/01029

Abstract: 本发明涉及包括电介质材料的半导体器件。一种用于制造半导体器件的方法，包括提供载体及具有第一侧和与该第一侧相对的第二侧的半导体晶片。该方法包括向该载体或该半导体晶片施加电介质材料并通过该电介质材料将该半导体晶片接合至该载体。该方法包括处理半导体晶片并从该半导体晶片移除该载体，以使该电介质材料保留在该半导体晶片上以提供包括该电介质材料的半导体器件。

公开(公告)号：CN104867859A

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN201510133063.9

申请日：2015-02-17

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： E·菲尔古特 ,  B·戈勒 ,  E-M·黑斯 ,  C·施魏格

IPC: H01L21/683

CPC classification number: H01L21/6835 ,  H01L21/268 ,  H01L21/304 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L21/76251 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3114 ,  H01L24/02 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L24/97 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/24011 ,  H01L2224/24105 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2224/245 ,  H01L2224/82106 ,  H01L2224/96 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/06 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/201 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/20111 ,  H01L2924/2064 ,  H01L2924/20641 ,  H01L2924/20642 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/82 ,  H05K3/467 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2221/68372

Abstract: 本发明涉及包括电介质材料的半导体器件。一种用于制造半导体器件的方法，包括提供载体及具有第一侧和与该第一侧相对的第二侧的半导体晶片。该方法包括向该载体或该半导体晶片施加电介质材料并通过该电介质材料将该半导体晶片接合至该载体。该方法包括处理半导体晶片并从该半导体晶片移除该载体，以使该电介质材料保留在该半导体晶片上以提供包括该电介质材料的半导体器件。