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公开(公告)号：CN107154363B
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201710124806.5
申请日：2017-03-03
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L21/56 , H01L23/31 , H01L23/29 , H01L23/552
Abstract: 一种封装体(100)，所述封装体包括第一包封剂(102)和第二包封剂(104)，所述第一包封剂(102)被配置使得导电材料(106)可镀覆在其上，所述第二包封剂(104)被配置使得导电材料(106)不可镀覆在其上。
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公开(公告)号：CN107154363A
公开(公告)日：2017-09-12
申请号：CN201710124806.5
申请日：2017-03-03
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L21/56 , H01L23/31 , H01L23/29 , H01L23/552
Abstract: 一种封装体(100)，所述封装体包括第一包封剂(102)和第二包封剂(104)，所述第一包封剂(102)被配置使得导电材料(106)可镀覆在其上，所述第二包封剂(104)被配置使得导电材料(106)不可镀覆在其上。
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公开(公告)号：CN116190253A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202211481516.3
申请日：2022-11-24
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L21/60 , H01L21/56 , H01L23/488 , H01L23/31
Abstract: 公开了一种形成半导体封装的方法和半导体封装。该方法包括：提供金属基板，该金属基板包括基部和多个金属柱，基部是具有基本均匀厚度的平面盘，多个金属柱各自从基部的平面上表面向上延伸；在金属基板的上表面上安装半导体管芯；在基部的上表面上形成电绝缘模制料的封装体；将半导体管芯的端子电连接至金属柱；以及去除基部，以便在封装体的第一表面处从金属柱形成封装触点。
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公开(公告)号：CN114649274A
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202111548738.8
申请日：2021-12-17
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 本申请公开了半导体封装及其制造方法。一种封装（100），其包括电介质载体（102）、安装在电介质载体（102）上的电子组件（104）以及包封电介质载体（102）和电子组件（104）的至少一部分的包封体（106）。
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公开(公告)号：CN113707561A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202110557598.4
申请日：2021-05-21
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L21/56 , H01L21/78 , H01L23/31 , H01L23/498
Abstract: 本发明公开了一种方法，其包括：提供载体；在载体上安装多个半导体管芯；在载体上形成覆盖半导体管芯中的每个的电绝缘包封物材料的区域；去除包封物材料的区段以在半导体管芯中的每个之间的电绝缘包封物材料的区域中形成间隙；在间隙之内形成导电材料；以及沿间隙中的每个使电绝缘包封物材料的区域单个化，以形成多个分立包封物主体。封装半导体器件中的每个包括设置在包封物主体的侧壁上的面向侧壁的端子。对于封装半导体器件中的每个，面向侧壁的端子电连接到相应的封装半导体器件的半导体管芯。由形成在间隙内的导电材料提供每个封装半导体器件的面向侧壁的端子。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111799231A
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN202010257569.1
申请日：2020-04-03
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L21/56 , H01L23/495 , H01L21/60
Abstract: 本发明公开了一种半导体封装，其包括：电绝缘的第一包封体主体，其包括上表面；第一半导体管芯，其被包封在所述第一包封体主体内，所述第一半导体管芯具有主表面，所述第一半导体管芯的所述主表面具有面对所述第一包封体主体的所述上表面的第一导电焊盘；多个导电引线，每个所述引线具有被包封在所述第一包封体主体内的内端和从所述第一包封体主体暴露的外端；以及在所述第一导电焊盘与所述多个引线中的第一引线的所述内端之间的第一直接电连接。所述第一直接电连接包括形成在所述第一包封体主体的所述上表面中的第一导电轨。所述第一包封体主体包括可激光激活的模制化合物。所述第一导电轨形成在所述可激光激活的模制化合物的第一激光激活区域中。
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公开(公告)号：CN111293088A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN201911227032.4
申请日：2019-12-04
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 本公开的实施例涉及具有激光可激活模塑化合物的半导体封装。具体地，提供了模塑封装的实施例和对应的制造方法的实施例。在模塑封装的一个实施例中，模塑封装包括具有多个激光激活区域的激光可激活模塑化合物，该激光激活区域电镀有导电材料，以在激光可激活模塑化合物的第一侧面形成金属焊盘和/或金属走线。嵌入激光可激活模塑化合物中的半导体管芯具有多个管芯焊盘。互连体将半导体管芯的多个管芯焊盘电连接至在激光可激活模塑化合物第一侧面的金属焊盘和/或金属走线。
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公开(公告)号：CN111276404A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN202010106318.3
申请日：2017-03-03
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L21/56 , H01L23/29 , H01L23/31 , H01L23/552 , H01L23/66 , H01L23/488 , C09D5/00 , C09D5/24 , C09D201/00 , C23C18/16 , C23C18/18 , C23C18/34
Abstract: 一种封装体(100)，所述封装体包括第一包封剂(102)和第二包封剂(104)，所述第一包封剂(102)被配置使得导电材料(106)可镀覆在其上，所述第二包封剂(104)被配置使得导电材料(106)不可镀覆在其上。
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公开(公告)号：CN109841598A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201811424992.5
申请日：2018-11-27
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L23/552 , H01L23/31 , H01L23/367 , H01L23/49 , H01L25/07 , H01L21/56
Abstract: 一种半导体封装包括：多个半桥组件，每一个包括：金属引线、附着至金属引线的第一侧的第一功率晶体管管芯、以及设置在第一功率晶体管管芯下面且附着至与第一侧相对的金属引线的第二侧的第二功率晶体管管芯。每个金属引线具有缺口，其暴露在第二功率晶体管管芯的附着至金属引线的一侧处的一个或多个结合焊盘。该半导体封装还包括：控制器管芯，其被配置成控制功率晶体管管芯。每个功率晶体管管芯、每个金属引线和控制器管芯被嵌入模塑料中。在由对应金属引线中的缺口所暴露的每个第二功率晶体管管芯的该侧处的一个或多个结合焊盘和控制器管芯之间提供结合线连接。
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公开(公告)号：CN110894059B
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN201910860268.5
申请日：2019-09-11
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 本公开涉及微机电系统传感器封装及其制造方法。例如，一种设备包括：第一侧壁，包括延伸穿过第一侧壁的第一开口；第一传感器，附接至第一侧壁的内表面，其中第一传感器被对准以至少部分地覆盖第一开口；第二侧壁，与第一侧壁相对；第三侧壁，将第一侧壁附接至第二侧壁；以及第一接触焊盘，设置在第三侧壁的外表面上，其中第一接触焊盘被配置为为第一传感器提供电源连接或信号连接中的至少一种连接。
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