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公开(公告)号：CN105390456B
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：CN201510536126.5
申请日：2015-08-27
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
CPC classification number: H01L21/3105 , C09J163/00 , H01L21/56 , H01L23/295 , H01L23/3107 , H01L23/3142 , H01L23/49513 , H01L23/49548 , H01L23/49555 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/8392 , H01L2224/8592 , H01L2224/92247 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本公开内容涉及在电子器件的密封材料中埋置添加剂微粒。一种电子器件(100)包括：具有安装表面(104)的载体(102)，安装在所述安装表面(104)上的至少一个电子芯片(108)，至少部分地密封所述载体(102)和至少一个电子芯片(108)的密封材料(110)，以及在所述密封材料(110)中的多个囊状物(500)，其中所述囊状物(500)包括含添加剂的核心(600)并且包括包围所述核心(600)的壳体(602)，所述壳体特别地为可破裂的壳体(602)。
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公开(公告)号：CN105390456A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201510536126.5
申请日：2015-08-27
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
CPC classification number: H01L21/3105 , C09J163/00 , H01L21/56 , H01L23/295 , H01L23/3107 , H01L23/3142 , H01L23/49513 , H01L23/49548 , H01L23/49555 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/8392 , H01L2224/8592 , H01L2224/92247 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本公开内容涉及在电子器件的密封材料中埋置添加剂微粒。一种电子器件(100)包括：具有安装表面(104)的载体(102)，安装在所述安装表面(104)上的至少一个电子芯片(108)，至少部分地密封所述载体(102)和至少一个电子芯片(108)的密封材料(110)，以及在所述密封材料(110)中的多个囊状物(500)，其中所述囊状物(500)包括含添加剂的核心(600)并且包括包围所述核心(600)的壳体(602)，所述壳体特别地为可破裂的壳体(602)。
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公开(公告)号：CN109285813A
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201810781986.9
申请日：2018-07-17
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： 吴顺禄
Abstract: 一种用于制造半导体封装的方法包括提供衬底，至少部分地将衬底包封在包封体中，通过电镀在所述衬底的第一表面上沉积第一Ni层，以及通过无电镀Ni在第一Ni层上沉积第二Ni层。
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公开(公告)号：CN105295709A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201510398498.6
申请日：2015-05-27
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: C09D179/04 , C08G73/06 , C07D265/16 , C07D413/14 , H01L21/56
CPC classification number: C09D179/04 , C08G14/06 , C09D5/002 , C09D5/08 , C09D161/34 , C09D163/00 , H01L21/565 , H01L23/296 , H01L23/3142 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , C08K5/544 , C08L63/00
Abstract: 本发明公开了底漆组合物、在半导体器件上形成底漆层的方法、和封装半导体器件的方法。本发明提供一种底漆组合物。该底漆组合物包含至少一种双-官能或多-官能的苯并噁嗪化合物；和至少一种包含(i)对金属表面具有亲和性的官能团，和(ii)可交联基团的化合物。还提供了在半导体器件上形成底漆层的方法，和封装半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN104681449A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201410720997.8
申请日：2014-12-02
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L21/60 , H01L21/56 , H01L23/495 , H01L23/31
CPC classification number: H01L24/97 , H01L21/4832 , H01L21/4842 , H01L21/561 , H01L23/3107 , H01L23/49513 , H01L23/49541 , H01L23/49582 , H01L24/03 , H01L24/09 , H01L24/48 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L2224/02215 , H01L2224/03019 , H01L2224/03464 , H01L2224/09183 , H01L2224/095 , H01L2224/40245 , H01L2224/48247 , H01L2224/83439 , H01L2224/83801 , H01L2224/84439 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/01028 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01079 , H01L2924/01103 , H01L2924/0133 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , H01L2924/37 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/37099 , H01L2224/83 , H01L2224/85 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明涉及带有光学检查特征的无引线半导体封装。半导体封装包含：多个键合焊盘，具有第一侧和与第一侧相对的第二侧；涂层，覆盖键合焊盘的第一侧；半导体管芯和电导体，附连到键合焊盘的第二侧；以及模制化合物，在键合焊盘的第二侧处封闭半导体管芯和电导体。模制化合物具有第一侧和与第一侧相对的第二侧，键合焊盘凸出穿过第一侧，模制化合物的第一侧在键合焊盘中的邻近的键合焊盘之间具有平面的表面。封装进一步包含电镀在未被模制化合物覆盖的键合焊盘的暴露侧壁上并且通过光学检查可检测的材料。对应的制造的方法也被提供。
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公开(公告)号：CN107154363B
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201710124806.5
申请日：2017-03-03
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L21/56 , H01L23/31 , H01L23/29 , H01L23/552
Abstract: 一种封装体(100)，所述封装体包括第一包封剂(102)和第二包封剂(104)，所述第一包封剂(102)被配置使得导电材料(106)可镀覆在其上，所述第二包封剂(104)被配置使得导电材料(106)不可镀覆在其上。
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公开(公告)号：CN107154363A
公开(公告)日：2017-09-12
申请号：CN201710124806.5
申请日：2017-03-03
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L21/56 , H01L23/31 , H01L23/29 , H01L23/552
Abstract: 一种封装体(100)，所述封装体包括第一包封剂(102)和第二包封剂(104)，所述第一包封剂(102)被配置使得导电材料(106)可镀覆在其上，所述第二包封剂(104)被配置使得导电材料(106)不可镀覆在其上。
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公开(公告)号：CN103377957A
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201310145102.8
申请日：2013-04-24
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
CPC classification number: H01L23/3121 , H01L23/296 , H01L23/3142 , H01L23/492 , H01L23/49513 , H01L23/49582 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L2224/29139 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/48609 , H01L2224/48611 , H01L2224/48639 , H01L2224/48709 , H01L2224/48711 , H01L2224/48739 , H01L2224/48809 , H01L2224/48811 , H01L2224/48839 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2224/83193 , H01L2224/83411 , H01L2224/83439 , H01L2224/83805 , H01L2224/85205 , H01L2224/85207 , H01L2224/85214 , H01L2224/85409 , H01L2224/85411 , H01L2224/85439 , H01L2224/85805 , H01L2224/8592 , H01L2224/85939 , H01L2924/00011 , H01L2924/01047 , H01L2924/01322 , H01L2924/12032 , H01L2924/12042 , H01L2924/1301 , H01L2924/13034 , H01L2924/1305 , H01L2924/13091 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/01028 , H01L2924/01082 , H01L2924/01029 , H01L2924/01046 , H01L2924/0105 , H01L2224/83205
Abstract: 本发明涉及芯片封装及形成芯片封装的方法。实施例提供了一种形成芯片封装的方法。方法可以包括：在载体上附着至少一个芯片，该芯片包括与载体相对的芯片表面上的多个芯片焊盘；在载体和芯片的芯片焊盘上沉积第一粘合层，第一粘合层包括锡或铟；在第一粘合层上沉积第二粘合层，第二粘合层包括硅烷有机材料；以及在第二粘合层和芯片上沉积层压层或密封层。
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公开(公告)号：CN109285813B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN201810781986.9
申请日：2018-07-17
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： 吴顺禄
Abstract: 一种用于制造半导体封装的方法包括提供衬底，至少部分地将衬底包封在包封体中，通过电镀在所述衬底的第一表面上沉积第一Ni层，以及通过无电镀Ni在第一Ni层上沉积第二Ni层。
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公开(公告)号：CN111276404B
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202010106318.3
申请日：2017-03-03
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L21/56 , H01L23/29 , H01L23/31 , H01L23/552 , H01L23/66 , H01L23/488 , C09D5/00 , C09D5/24 , C09D201/00 , C23C18/16 , C23C18/18 , C23C18/34
Abstract: 一种封装体(100)，所述封装体包括第一包封剂(102)和第二包封剂(104)，所述第一包封剂所述第二包封剂(104)被配置使得导电材料(106)不可镀覆在其上。(102)被配置使得导电材料(106)可镀覆在其上，
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