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公开(公告)号：CN108346651B
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN201810063124.2
申请日：2018-01-23
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 本发明涉及包括晶体管芯片、二极管芯片和驱动器芯片的半导体模块。所述半导体模块包括：载体；设置在该载体上的至少一个半导体晶体管；设置在该载体上的至少一个半导体二极管；设置在该载体上的至少一个半导体驱动器芯片；多个外部连接器；以及包封层，所述包封层覆盖所述载体、所述半导体晶体管、所述半导体二极管和所述半导体驱动器芯片，其中所述包封层包括电通路连接，用于在所述至少一个半导体驱动器芯片和所述外部连接器之间、在所述至少一个半导体驱动器芯片和所述至少一个半导体晶体管之间以及在所述至少一个半导体晶体管和所述至少一个半导体二极管之间提供电连接。
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公开(公告)号：CN103377957B
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201310145102.8
申请日：2013-04-24
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
CPC classification number: H01L23/3121 , H01L23/296 , H01L23/3142 , H01L23/492 , H01L23/49513 , H01L23/49582 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L2224/29139 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/48609 , H01L2224/48611 , H01L2224/48639 , H01L2224/48709 , H01L2224/48711 , H01L2224/48739 , H01L2224/48809 , H01L2224/48811 , H01L2224/48839 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2224/83193 , H01L2224/83411 , H01L2224/83439 , H01L2224/83805 , H01L2224/85205 , H01L2224/85207 , H01L2224/85214 , H01L2224/85409 , H01L2224/85411 , H01L2224/85439 , H01L2224/85805 , H01L2224/8592 , H01L2224/85939 , H01L2924/00011 , H01L2924/01047 , H01L2924/01322 , H01L2924/12032 , H01L2924/12042 , H01L2924/1301 , H01L2924/13034 , H01L2924/1305 , H01L2924/13091 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/01028 , H01L2924/01082 , H01L2924/01029 , H01L2924/01046 , H01L2924/0105 , H01L2224/83205
Abstract: 本发明涉及芯片封装及形成芯片封装的方法。实施例提供了一种形成芯片封装的方法。方法可以包括：在载体上附着至少一个芯片，该芯片包括与载体相对的芯片表面上的多个芯片焊盘；在载体和芯片的芯片焊盘上沉积第一粘合层，第一粘合层包括锡或铟；在第一粘合层上沉积第二粘合层，第二粘合层包括硅烷有机材料；以及在第二粘合层和芯片上沉积层压层或密封层。
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公开(公告)号：CN108346651A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201810063124.2
申请日：2018-01-23
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
CPC classification number: H01L23/5389 , H01L21/4853 , H01L21/565 , H01L23/293 , H01L23/3114 , H01L23/34 , H01L23/3735 , H01L23/4334 , H01L23/49541 , H01L23/49589 , H01L23/49861 , H01L24/48 , H01L2224/48227 , H01L2924/10272 , H01L2924/1203 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/14251 , H01L2924/14252 , H01L2924/1426 , H01L2924/19105
Abstract: 本发明涉及包括晶体管芯片、二极管芯片和驱动器芯片的半导体模块。所述半导体模块包括：载体；设置在该载体上的至少一个半导体晶体管；设置在该载体上的至少一个半导体二极管；设置在该载体上的至少一个半导体驱动器芯片；多个外部连接器；以及包封层，所述包封层覆盖所述载体、所述半导体晶体管、所述半导体二极管和所述半导体驱动器芯片，其中所述包封层包括电通路连接，用于在所述至少一个半导体驱动器芯片和所述外部连接器之间、在所述至少一个半导体驱动器芯片和所述至少一个半导体晶体管之间以及在所述至少一个半导体晶体管和所述至少一个半导体二极管之间提供电连接。
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公开(公告)号：CN103377957A
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201310145102.8
申请日：2013-04-24
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
CPC classification number: H01L23/3121 , H01L23/296 , H01L23/3142 , H01L23/492 , H01L23/49513 , H01L23/49582 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L2224/29139 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/48609 , H01L2224/48611 , H01L2224/48639 , H01L2224/48709 , H01L2224/48711 , H01L2224/48739 , H01L2224/48809 , H01L2224/48811 , H01L2224/48839 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2224/83193 , H01L2224/83411 , H01L2224/83439 , H01L2224/83805 , H01L2224/85205 , H01L2224/85207 , H01L2224/85214 , H01L2224/85409 , H01L2224/85411 , H01L2224/85439 , H01L2224/85805 , H01L2224/8592 , H01L2224/85939 , H01L2924/00011 , H01L2924/01047 , H01L2924/01322 , H01L2924/12032 , H01L2924/12042 , H01L2924/1301 , H01L2924/13034 , H01L2924/1305 , H01L2924/13091 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/01028 , H01L2924/01082 , H01L2924/01029 , H01L2924/01046 , H01L2924/0105 , H01L2224/83205
Abstract: 本发明涉及芯片封装及形成芯片封装的方法。实施例提供了一种形成芯片封装的方法。方法可以包括：在载体上附着至少一个芯片，该芯片包括与载体相对的芯片表面上的多个芯片焊盘；在载体和芯片的芯片焊盘上沉积第一粘合层，第一粘合层包括锡或铟；在第一粘合层上沉积第二粘合层，第二粘合层包括硅烷有机材料；以及在第二粘合层和芯片上沉积层压层或密封层。
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