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公开(公告)号:CN108735734A
公开(公告)日:2018-11-02
申请号:CN201710707595.8
申请日:2017-08-17
申请人: 瑞昱半导体股份有限公司
IPC分类号: H01L27/06
CPC分类号: G06F13/4022 , G06F13/4068 , G06F13/4282 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L24/09 , H01L24/49 , H01L24/85 , H01L2924/1432 , H01L2924/14335 , H01L2924/15311
摘要: 本发明公开了一种处理数据传输的装置,其一实施例包含:一半导体裸晶,其包含一第一I/O垫、一第二I/O垫、一开关以及一内部处理器,当一控制信号被确立时,该开关使该第一I/O垫短路至该第二I/O垫;以及一半导体封装件,其包含一第一接合垫电性连接该第一I/O垫、一第二接合垫电性连接该第二I/O垫、一第一端电性连接一多模连接器的一高速接脚、一第二端电性连接一外部处理器、一第一路由路径将该第一端电性连接该第一接合垫、以及一第二路由路径将该第二端电性连接该第二接合垫,当该控制信号被确立时,该外部处理器依据一第一协议处理位于该第二端的一电性信号,当该控制信号被解除确立时,该内部处理器根据一第二协议处理位于该第一I/O垫的一电性信号。
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公开(公告)号:CN108292626A
公开(公告)日:2018-07-17
申请号:CN201580084799.X
申请日:2015-12-23
申请人: 英特尔公司
IPC分类号: H01L21/768 , H01L21/60 , H01L23/48
CPC分类号: H01L25/0657 , H01L21/486 , H01L21/76251 , H01L21/76838 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L23/485 , H01L23/49827 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/08 , H01L24/09 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/48 , H01L27/1203 , H01L27/1211 , H01L2224/02331 , H01L2224/02381 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/04105 , H01L2224/05569 , H01L2224/05571 , H01L2224/06181 , H01L2224/06182 , H01L2224/08146 , H01L2224/08235 , H01L2224/09181 , H01L2224/13023 , H01L2224/131 , H01L2224/16141 , H01L2224/16146 , H01L2224/16227 , H01L2224/16235 , H01L2224/17181 , H01L2224/48105 , H01L2224/48228 , H01L2224/48464 , H01L2224/73257 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06548 , H01L2225/06572 , H01L2924/014
摘要: 一种装置包括:电路结构,所述电路结构包括器件层;在器件层的第一侧上并且耦合到晶体管器件中的多个晶体管器件的一个或多个导电互连级;以及衬底,所述衬底包括耦合到所述一个或多个导电互连级的导电穿硅过孔,使得所述一个或多个互连层位于所述穿硅过孔和所述器件层之间。一种方法,包括:在衬底上形成多个晶体管器件,所述多个晶体管器件限定器件层;在所述器件层的第一侧上形成一个或多个互连级;去除衬底的一部分;以及将穿硅过孔耦合到所述一个或多个互连级,使得所述一个或多个互连级位于所述器件层和所述穿硅过孔之间。
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公开(公告)号:CN105359268B
公开(公告)日:2018-07-17
申请号:CN201480038213.1
申请日:2014-07-02
申请人: 罗森伯格高频技术有限及两合公司
IPC分类号: H01L23/49 , H01L23/66 , H01L23/467 , H01L23/473 , H01S5/024 , H01L27/146 , G01J5/06 , G01J5/20 , H01L23/367
CPC分类号: H01L23/3677 , H01L23/3675 , H01L23/3737 , H01L23/467 , H01L23/66 , H01L24/09 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/85 , H01L24/97 , H01L25/167 , H01L2223/6611 , H01L2224/05553 , H01L2224/2784 , H01L2224/45565 , H01L2224/4569 , H01L2224/48091 , H01L2224/48145 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/4903 , H01L2224/49175 , H01L2224/85444 , H01L2224/8592 , H01L2224/85935 , H01L2224/85939 , H01L2924/00014 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/19107 , H01S5/02248 , H01S5/02276 , H01S5/02469 , H01L2224/45099 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要: 本发明涉及一种裸片互连系统,包括:裸片,其具有多个连接压焊点;发热元件(14),其与所述裸片(12)热隔离(16);一个或多个引线(22),其从所述裸片(12)延伸至所述发热元件(14),各引线包括具有芯直径的金属芯(22)、包围所述金属芯(22)的具有电介质厚度的电介质层(24)和贴装接地的外金属层,其中,一个或多个引线的沿长度的至少一部分被暴露至环境条件以及/或者以对流方式或通过接触冷却,以使从所述发热元件(14)向所述裸片(12)的热传递最少。
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公开(公告)号:CN105390476B
公开(公告)日:2018-06-26
申请号:CN201510514578.3
申请日:2015-08-20
申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号: H01L23/528 , H01L21/768
CPC分类号: H01L24/03 , H01L21/31053 , H01L21/4853 , H01L21/486 , H01L21/563 , H01L21/565 , H01L21/568 , H01L23/3128 , H01L23/49811 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L23/49838 , H01L23/50 , H01L23/5383 , H01L23/5389 , H01L24/09 , H01L24/11 , H01L24/17 , H01L24/19 , H01L25/0657 , H01L25/105 , H01L25/16 , H01L25/50 , H01L2224/01 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/16237 , H01L2224/16265 , H01L2224/19 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32265 , H01L2224/48091 , H01L2224/73204 , H01L2224/73209 , H01L2224/73217 , H01L2224/73265 , H01L2224/73267 , H01L2224/81005 , H01L2224/81192 , H01L2224/83005 , H01L2224/92124 , H01L2224/92244 , H01L2225/0651 , H01L2225/06568 , H01L2225/1035 , H01L2225/1041 , H01L2225/1058 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/19011 , H01L2924/19104 , H01L2924/19105 , H01L2224/48227 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
摘要: 根据示例性实施例,提供了半导体封装件。半导体封装件包括:芯片,具有多个连接焊盘;组件,在一侧上具有多个金属盖,并且在另一侧上具有研磨表面,其中,金属盖与芯片的连接焊盘接触。本发明的实施例还提供了半导体封装件的形成方法。
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公开(公告)号:CN108028243A
公开(公告)日:2018-05-11
申请号:CN201680053950.8
申请日:2016-09-20
申请人: 高通股份有限公司
IPC分类号: H01L23/498
CPC分类号: H01L24/17 , H01L23/13 , H01L23/49816 , H01L24/03 , H01L24/09 , H01L24/11 , H01L2224/023 , H01L2224/0905
摘要: 一种晶片级封装(WLP)中的集成电路器件,包括球栅阵列(BGA)球,这些BGA球利用填充有粘合剂的空腔来制造以获得改善的焊点可靠性。
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公开(公告)号:CN107808873A
公开(公告)日:2018-03-16
申请号:CN201710794534.X
申请日:2017-09-05
申请人: 恩智浦美国有限公司
IPC分类号: H01L23/538 , H01L21/60 , H01L23/49
CPC分类号: H01L25/0655 , H01L21/563 , H01L21/6835 , H01L23/3128 , H01L23/50 , H01L23/5386 , H01L24/03 , H01L24/09 , H01L24/11 , H01L24/17 , H01L24/43 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/85 , H01L2221/68354 , H01L2224/04042 , H01L2224/16227 , H01L2224/48137 , H01L2224/73204 , H01L2224/73207 , H01L2224/85005 , H01L2225/06506 , H01L2924/15192 , H01L2924/15311 , H01L2924/18161 , H01L2924/18165 , H01L24/48 , H01L2224/48101 , H01L2224/85
摘要: 本发明提供一种半导体封装装置及其制造方法的实施例,所述装置包括:基板;安装到所述基板的第一主表面的第一倒装芯片管芯;安装到所述基板的所述第一主表面的第二倒装芯片管芯,所述第二倒装芯片管芯在所述第一主表面上横向地相邻于所述第一倒装芯片管芯;以及在所述第一倒装芯片管芯上的第一接合垫和所述第二倒装芯片管芯上的第二接合垫之间形成的线接合。
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公开(公告)号:CN107768256A
公开(公告)日:2018-03-06
申请号:CN201710199049.8
申请日:2017-03-29
申请人: 意法半导体股份有限公司
IPC分类号: H01L21/48 , H01L21/50 , H01L23/495
CPC分类号: H01L23/49582 , H01L21/4853 , H01L23/4952 , H01L23/49548 , H01L24/09 , H01L24/43 , H01L24/49 , H01L24/85 , H01L2224/04042 , H01L2224/05082 , H01L2224/05147 , H01L2224/08058 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/85385 , H01L21/4821 , H01L21/50
摘要: 本公开涉及制造半导体器件的方法和半导体器件。在非导电封装材料(20)中包括至少一个导电金属元件(16)的半导体器件(10)是通过以下方式制造的:-提供具有平滑形态用于覆盖前述金属元件(16)的第一金属层(102);以及-提供第二金属层(104),该第二金属层用于部分地覆盖该第一层(102),使得该第一层(102)的表面的至少一部分被暴露,该第二层(104)具有粗糙的形态。还可以提供的是一种裸片焊盘(14),用于通过以下方式来安装半导体裸片(12):提供前述第一层(102)用来覆盖该裸片焊盘(14);以及将半导体裸片(12)附接至与该第一层(102)相接触的该裸片焊盘(14)上。
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公开(公告)号:CN107658273A
公开(公告)日:2018-02-02
申请号:CN201610816082.6
申请日:2016-09-09
申请人: 艾马克科技公司
IPC分类号: H01L23/31 , H01L23/488 , H01L21/60
CPC分类号: H01L23/3128 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L21/76885 , H01L23/481 , H01L23/49811 , H01L23/49833 , H01L23/49838 , H01L24/09 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/92 , H01L25/105 , H01L2221/68331 , H01L2221/68363 , H01L2224/05023 , H01L2224/05124 , H01L2224/08238 , H01L2224/13101 , H01L2224/1329 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/80895 , H01L2224/92125 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/15311 , H01L2924/18161 , H01L2924/00 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L2924/0665 , H01L23/31 , H01L21/56 , H01L23/3107 , H01L23/3157 , H01L23/488 , H01L24/43
摘要: 本发明提供一种半导体装置及一种制造半导体装置的方法。作为非限制性实例,本发明的各种态样提供一种具有小尺寸及细节距的可堆叠半导体装置以及其制造方法。
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公开(公告)号:CN104979315B
公开(公告)日:2018-01-26
申请号:CN201410262172.6
申请日:2014-06-12
申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号: H01L23/488 , H01L25/00
CPC分类号: H01L25/0657 , H01L23/3128 , H01L23/481 , H01L23/50 , H01L23/5386 , H01L23/5389 , H01L23/562 , H01L24/09 , H01L24/17 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L25/105 , H01L2224/02372 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/04105 , H01L2224/0912 , H01L2224/12105 , H01L2224/16145 , H01L2224/16227 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/73267 , H01L2224/81385 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06548 , H01L2225/1035 , H01L2225/1041 , H01L2225/1058 , H01L2924/00014 , H01L2924/14 , H01L2924/1431 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要: 本发明提供了一种封装件,该封装件包括拐角、器件管芯、位于器件管芯下面的多条重分布线以及电连接至多条重分布线的多个金属焊盘。多个金属焊盘包括最接近拐角的拐角金属焊盘,其中,拐角金属焊盘是具有基本上指向封装件的中心的鸟喙方向的面心焊盘。多个金属焊盘还包括比拐角金属焊盘更远离拐角的金属焊盘,其中,该金属焊盘是具有偏离封装件的中心的鸟喙方向的非面心焊盘。
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公开(公告)号:CN107564877A
公开(公告)日:2018-01-09
申请号:CN201610504287.0
申请日:2016-06-30
申请人: 华邦电子股份有限公司
发明人: 陈育民
IPC分类号: H01L23/488 , H01L23/498 , H01L21/48
CPC分类号: H01L25/0657 , H01L21/563 , H01L24/05 , H01L24/09 , H01L24/17 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L25/105 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2225/06551 , H01L2225/06562
摘要: 本发明涉及一种半导体元件封装体及半导体元件封装制程,包括下列步骤。首先,以三维列印方式在具有一凹槽的一载板上形成一图案化导电层以及覆盖图案化导电层的一防焊层,其中图案化导电层与防焊层自凹槽内延伸至凹槽外,而部分的图案化导电层被防焊层所暴露。接着,将至少一半导体元件设置于凹槽内的图案化导电层上,并使半导体元件与图案化导电层电性连接。本发明技术方案通过三维列印方式可在具有凹槽的载板上轻易地制作出图案化导电层及防焊层,可有效地降低三维封装的制程复杂度。可在载板的凹槽内形成连接线路,有助于降低半导体元件封装体的整体厚度。
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