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公开(公告)号：CN108292626A
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201580084799.X
申请日：2015-12-23
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/60 , H01L23/48
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L21/486 , H01L21/76251 , H01L21/76838 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L23/485 , H01L23/49827 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/08 , H01L24/09 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/48 , H01L27/1203 , H01L27/1211 , H01L2224/02331 , H01L2224/02381 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/04105 , H01L2224/05569 , H01L2224/05571 , H01L2224/06181 , H01L2224/06182 , H01L2224/08146 , H01L2224/08235 , H01L2224/09181 , H01L2224/13023 , H01L2224/131 , H01L2224/16141 , H01L2224/16146 , H01L2224/16227 , H01L2224/16235 , H01L2224/17181 , H01L2224/48105 , H01L2224/48228 , H01L2224/48464 , H01L2224/73257 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06548 , H01L2225/06572 , H01L2924/014
摘要： 一种装置包括：电路结构，所述电路结构包括器件层；在器件层的第一侧上并且耦合到晶体管器件中的多个晶体管器件的一个或多个导电互连级；以及衬底，所述衬底包括耦合到所述一个或多个导电互连级的导电穿硅过孔，使得所述一个或多个互连层位于所述穿硅过孔和所述器件层之间。一种方法，包括：在衬底上形成多个晶体管器件，所述多个晶体管器件限定器件层；在所述器件层的第一侧上形成一个或多个互连级；去除衬底的一部分；以及将穿硅过孔耦合到所述一个或多个互连级，使得所述一个或多个互连级位于所述器件层和所述穿硅过孔之间。
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公开(公告)号：CN114695306A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202111353155.X
申请日：2021-11-16
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： H01L23/498 , H01L25/04
摘要： 本文公开了微电子组件、相关器件和方法。在一些实施例中，微电子组件可以包括：第一微电子部件，具有第一直接接合区域，其中第一直接接合区域包括第一金属触点和在第一金属触点中的相邻的第一金属触点之间的第一电介质材料；第二微电子部件，具有第二直接接合区域并且通过第一直接接合区域和第二直接接合区域耦合到第一微电子部件，其中第二直接接合区域包括第二金属触点和在第二金属触点中的相邻的第二金属触点之间的第二电介质材料，并且其中第一直接接合区域中的各个第一金属触点耦合到第二直接接合区域中的相应的各个第二金属触点；以及空隙，在单独的第一金属触点和相应的单独的第二金属触点之间。
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公开(公告)号：CN112908986A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN202011015432.1
申请日：2020-09-24
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： H01L25/18 , H01L23/528 , H01L21/98 , H01L21/66
摘要： 本发明涉及用于探测混合结合器件的互连的选择性凹陷。一种集成电路（IC）器件包括第一组件，第一组件包括第一电介质以及在第一电介质内的多个相邻的第一互连结构。该IC器件包括第二组件，第二组件包括第二电介质以及在第二电介质内的多个相邻的第二互连结构。第二互连结构中的第一个互连结构与第一互连结构中的第一个互连结构在第一和第二组件之间的结合界面处直接接触。第一互连结构中的第二个互连结构缩进成距结合界面的平面一定距离。
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