发明公开
- 专利标题: 具有直接接合的微电子组件中的牺牲再分布层
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申请号: CN202111353155.X申请日: 2021-11-16
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公开(公告)号: CN114695306A公开(公告)日: 2022-07-01
- 发明人: A·A·埃尔谢尔比尼 , V·A·斯特朗 , S·M·利夫 , B·M·罗林斯 , J·沙基亚 , J·M·斯旺 , D·M·克雷格 , J·A·特雷费尔 , B·K·米勒
- 申请人: 英特尔公司
- 申请人地址: 美国加利福尼亚
- 专利权人: 英特尔公司
- 当前专利权人: 英特尔公司
- 当前专利权人地址: 美国加利福尼亚
- 代理机构: 永新专利商标代理有限公司
- 代理商 邬少俊
- 优先权: 17/122,934 20201215 US
- 主分类号: H01L23/498
- IPC分类号: H01L23/498 ; H01L25/04
摘要:
本文公开了微电子组件、相关器件和方法。在一些实施例中,微电子组件可以包括:第一微电子部件,具有第一直接接合区域,其中第一直接接合区域包括第一金属触点和在第一金属触点中的相邻的第一金属触点之间的第一电介质材料;第二微电子部件,具有第二直接接合区域并且通过第一直接接合区域和第二直接接合区域耦合到第一微电子部件,其中第二直接接合区域包括第二金属触点和在第二金属触点中的相邻的第二金属触点之间的第二电介质材料,并且其中第一直接接合区域中的各个第一金属触点耦合到第二直接接合区域中的相应的各个第二金属触点;以及空隙,在单独的第一金属触点和相应的单独的第二金属触点之间。
IPC分类: