-
公开(公告)号：CN108292626A
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201580084799.X
申请日：2015-12-23
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/60 , H01L23/48
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L21/486 , H01L21/76251 , H01L21/76838 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L23/485 , H01L23/49827 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/08 , H01L24/09 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/48 , H01L27/1203 , H01L27/1211 , H01L2224/02331 , H01L2224/02381 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/04105 , H01L2224/05569 , H01L2224/05571 , H01L2224/06181 , H01L2224/06182 , H01L2224/08146 , H01L2224/08235 , H01L2224/09181 , H01L2224/13023 , H01L2224/131 , H01L2224/16141 , H01L2224/16146 , H01L2224/16227 , H01L2224/16235 , H01L2224/17181 , H01L2224/48105 , H01L2224/48228 , H01L2224/48464 , H01L2224/73257 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06548 , H01L2225/06572 , H01L2924/014
摘要： 一种装置包括：电路结构，所述电路结构包括器件层；在器件层的第一侧上并且耦合到晶体管器件中的多个晶体管器件的一个或多个导电互连级；以及衬底，所述衬底包括耦合到所述一个或多个导电互连级的导电穿硅过孔，使得所述一个或多个互连层位于所述穿硅过孔和所述器件层之间。一种方法，包括：在衬底上形成多个晶体管器件，所述多个晶体管器件限定器件层；在所述器件层的第一侧上形成一个或多个互连级；去除衬底的一部分；以及将穿硅过孔耦合到所述一个或多个互连级，使得所述一个或多个互连级位于所述器件层和所述穿硅过孔之间。
-
公开(公告)号：CN108305857A
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201711381918.5
申请日：2017-12-20
申请人： 三星电机株式会社
IPC分类号： H01L23/367 , H01L23/552
CPC分类号： H01L24/06 , H01L23/13 , H01L23/3675 , H01L23/3677 , H01L23/5389 , H01L23/552 , H01L24/09 , H01L24/14 , H01L24/17 , H01L24/19 , H01L24/97 , H01L25/105 , H01L2224/02311 , H01L2224/02319 , H01L2224/02373 , H01L2224/02379 , H01L2224/04105 , H01L2224/0603 , H01L2224/06131 , H01L2224/06136 , H01L2224/06151 , H01L2224/06155 , H01L2224/06159 , H01L2224/06177 , H01L2224/06181 , H01L2224/06182 , H01L2224/06519 , H01L2224/09181 , H01L2224/09519 , H01L2224/12105 , H01L2224/1403 , H01L2224/14131 , H01L2224/14136 , H01L2224/14151 , H01L2224/14155 , H01L2224/14177 , H01L2224/16227 , H01L2224/17519 , H01L2224/2518 , H01L2224/96 , H01L2225/1035 , H01L2225/1058 , H01L2225/1094 , H01L2924/15311 , H01L2924/3025
摘要： 本发明提供一种半导体封装件以及制造半导体封装件的方法。所述半导体封装件包括：基板部，包括芯层和积层，所述芯层具有形成在所述芯层中的装置容纳部，所述积层堆叠在所述芯层的相对侧中的每一侧上；电子装置，设置在所述装置容纳部中；以及散热导体，设置在所述积层中以向外散发由所述电子装置产生的热。
-
公开(公告)号：CN104979321A
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201510145931.5
申请日：2015-03-30
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
CPC分类号： H01L23/3157 , H01L23/492 , H01L23/49548 , H01L23/49562 , H01L23/49572 , H01L23/49838 , H01L23/564 , H01L24/09 , H01L24/33 , H01L24/83 , H01L2224/0603 , H01L2224/06181 , H01L2224/0903 , H01L2224/09181 , H01L2224/291 , H01L2224/32245 , H01L2224/33181 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/014
摘要： 本公开涉及具有多个安装配置的半导体裸片封装。半导体裸片封装包括与彼此绝缘的第一金属块、第二金属块和第三金属块。第一金属块具有较薄内部部分、在较薄内部部分的第一端部处的第一较厚外部部分和在较薄内部部分的与第一端部相对的第二端部处的第二较厚外部部分。第二金属块具有较厚外部部分和从较厚外部部分向内突出的较薄内部部分。第三金属块具有较厚外部部分和从较厚外部部分向内突出的较薄内部部分。半导体裸片具有附连到第一金属块的较薄内部部分的第一端子、附连到第二金属块的较薄内部部分的第二端子以及附连到第三金属块的较薄内部部分的第三端子。
-
公开(公告)号：CN103030101B
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201210369338.5
申请日：2012-09-27
申请人： 罗伯特·博世有限公司
CPC分类号： H01L23/48 , B81B2207/012 , B81B2207/096 , B81C1/00238 , B81C2203/0154 , B81C2203/0792 , H01L21/50 , H01L21/561 , H01L21/76898 , H01L23/544 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/17 , H01L24/81 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L24/97 , H01L2223/54426 , H01L2223/54466 , H01L2224/0401 , H01L2224/09181 , H01L2224/13025 , H01L2224/131 , H01L2224/13101 , H01L2224/16145 , H01L2224/16146 , H01L2224/16235 , H01L2224/17181 , H01L2224/9202 , H01L2224/94 , H01L2224/97 , H01L2924/01012 , H01L2924/1433 , H01L2924/1461 , H01L2924/181 , H01L2224/81 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L2224/11 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及一种用于制造双芯片装置的方法和一种相应的双芯片装置。所述方法包括以下步骤：提供具有第一厚度的晶片，其具有前侧和背侧并且具有第一数量的多个第一芯片，其可连接在前侧上；将第二数量的多个第二芯片施加在晶片的前侧上，使得每一个第一芯片分别与一个第二芯片连接并且形成一个相应的双芯片对；在晶片的前侧上形成连通的模制壳体，使得第二芯片被封装；从背侧起将晶片背面减薄到第二厚度，所述第二厚度小于第一厚度；从背侧起形成通到第二芯片的覆镀通孔；以及将双芯片对分割成相应的双芯片装置。
-
公开(公告)号：CN105047651A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201410848062.8
申请日：2014-12-31
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L25/00 , H01L23/525 , H01L23/48 , H01L21/50 , H01L21/60
CPC分类号： H01L23/3114 , H01L21/31111 , H01L21/31116 , H01L21/565 , H01L21/568 , H01L21/76805 , H01L21/76831 , H01L21/76897 , H01L21/76898 , H01L23/3157 , H01L23/36 , H01L23/481 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/522 , H01L23/5384 , H01L24/03 , H01L24/06 , H01L24/08 , H01L24/09 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/24 , H01L24/80 , H01L24/81 , H01L24/82 , H01L24/89 , H01L24/92 , H01L25/00 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/02372 , H01L2224/0239 , H01L2224/04105 , H01L2224/05647 , H01L2224/08145 , H01L2224/09181 , H01L2224/11 , H01L2224/12105 , H01L2224/18 , H01L2224/20 , H01L2224/24146 , H01L2224/32245 , H01L2224/73217 , H01L2224/73267 , H01L2224/80896 , H01L2224/82031 , H01L2224/821 , H01L2224/8385 , H01L2224/9202 , H01L2224/9212 , H01L2224/92144 , H01L2224/92244 , H01L2224/94 , H01L2224/96 , H01L2225/06544 , H01L2924/01014 , H01L2924/05442 , H01L2924/37 , H01L2224/03 , H01L2224/83 , H01L2224/80001 , H01L2924/00014 , H01L2224/82 , H01L2224/8203
摘要： 本文公开的封装件包括具有在第一衬底的第一侧上设置的第一再分布层(RDL)的第一管芯和具有在第二衬底的第一侧上设置的第二RDL的第二管芯，第一RDL接合至第二RDL。第三管芯具有在第三衬底的第一侧上设置的第三RDL。第三管芯在第二管芯上方安装，第二管芯设置在第一管芯和第三管芯之间。第一通孔延伸穿过第二衬底并且与第二衬底电隔离，每个第一通孔均接触第一RDL或第二RDL中的导电元件。第二通孔延伸穿过第三衬底并且与第三衬底电隔离，每个第二通孔均接触第三RDL中的导电元件或其中一个第一通孔。本发明还涉及3D堆叠芯片封装件。
-
公开(公告)号：CN104973566A
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201510151343.2
申请日：2015-04-01
申请人： 亚太优势微系统股份有限公司
发明人： 殷宏林
CPC分类号： H01L21/02255 , B81C1/00047 , B81C2201/019 , H01L21/02554 , H01L21/187 , H01L21/461 , H01L21/78 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/08 , H01L24/09 , H01L24/80 , H01L24/92 , H01L2224/0355 , H01L2224/05551 , H01L2224/05638 , H01L2224/05686 , H01L2224/08145 , H01L2224/09181 , H01L2224/80006 , H01L2224/80013 , H01L2224/80894 , H01L2224/80896 , H01L2224/92 , H01L2224/9202 , H01L2224/94 , H01L2924/01014 , H01L2924/05442 , H01L2924/00012 , H01L2224/80 , H01L2221/68381 , H01L21/306 , H01L2224/03
摘要： 本发明提供一种具精确间隙的微机电晶圆结构及其制作方法，该制作方法包括以下步骤。首先，提供一第一晶圆，第一晶圆具有一第一表面。接着，于该第一表面的形成至少两个以上具有不同掺杂浓度或不同掺杂物的掺杂区，以使每一该掺杂区具有不同的氧化速率。再来，对第一晶圆进行热氧化，以使不同的掺杂区上形成不同厚度的氧化层。之后，提供一第二晶圆。然后，将第二晶圆与第一晶圆相结合。本发明的有益效果是可以制造出成本较低、电容间极板具精确间隙的微机电晶圆结构。
-
公开(公告)号：CN104253111A
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201410293670.7
申请日：2014-06-26
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： H01L23/538 , H01L23/498 , H01L21/98
CPC分类号： H01L24/09 , H01L21/4846 , H01L21/4853 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L23/3128 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/50 , H01L23/5389 , H01L24/02 , H01L24/16 , H01L24/26 , H01L24/32 , H01L24/97 , H01L25/0652 , H01L25/0655 , H01L25/0657 , H01L2224/0401 , H01L2224/0903 , H01L2224/09181 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及一种用于IC封装的硅空间转变器。描述了一种包括至少第一集成电路(IC)和晶片制造的空间转变器(ST)的装置。所述IC包括底表面上的具有第一焊盘间距的接合焊盘。所述ST包括具有所述第一焊盘间距的接合焊盘的顶表面，并且所述第一IC的接合焊盘中的至少一部分与所述顶表面的接合焊盘接合。所述ST包括具有第二焊盘间距的接合焊盘的底表面、所述顶表面与所述底表面之间的至少一个电介质绝缘层、以及所述电介质层中的导电性互连，其被配置为提供所述顶表面的接合焊盘与所述底表面的接合焊盘之间的电连续性。
-
公开(公告)号：CN105097736A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510232485.1
申请日：2015-05-08
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L23/48 , H01L25/065 , H01L21/768
CPC分类号： H01L25/065 , H01L21/31111 , H01L21/31116 , H01L21/76805 , H01L21/76898 , H01L23/48 , H01L23/481 , H01L23/5384 , H01L24/03 , H01L24/06 , H01L24/08 , H01L24/19 , H01L24/24 , H01L24/80 , H01L24/82 , H01L24/92 , H01L2224/0212 , H01L2224/0231 , H01L2224/0237 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/05567 , H01L2224/05647 , H01L2224/08145 , H01L2224/09181 , H01L2224/11 , H01L2224/12105 , H01L2224/13022 , H01L2224/131 , H01L2224/18 , H01L2224/24146 , H01L2224/73267 , H01L2224/80896 , H01L2224/82031 , H01L2224/821 , H01L2224/9202 , H01L2224/9212 , H01L2224/92244 , H01L2224/94 , H01L2924/18162 , H01L2224/03 , H01L2224/80001 , H01L2924/00014 , H01L2224/82 , H01L2924/014
摘要： 本发明公开了一种封装件，其包括设置在第一半导体衬底的第一侧上的第一重分布层(RDL)和设置在第二半导体衬底上的第二RDL，其中，第一RDL接合至第二RDL。第一导电元件设置在第一RDL和第二RDL中。第一通孔从一个或多个第一导电元件延伸穿过第一半导体衬底至与第一侧相对的第一半导体衬底的第二侧。第一间隔件插入在第一半导体衬底和第一通孔之间并且每个第一间隔件从相应的一个第一导电元件延伸穿过第一半导体衬底。本发明涉及利用后通孔工艺的3D衬底上晶圆上芯片结构。
-
公开(公告)号：CN103137566A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201210482667.0
申请日：2012-11-19
申请人： 意法半导体有限公司
IPC分类号： H01L21/98 , H01L21/768 , H01L23/48 , H01L25/065
CPC分类号： H01L21/56 , H01L21/6836 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L23/49811 , H01L24/08 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/80 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2221/68327 , H01L2224/0401 , H01L2224/05571 , H01L2224/05647 , H01L2224/08145 , H01L2224/09181 , H01L2224/11009 , H01L2224/11334 , H01L2224/13022 , H01L2224/13025 , H01L2224/13147 , H01L2224/16225 , H01L2224/80203 , H01L2224/80895 , H01L2224/80896 , H01L2224/83203 , H01L2224/9202 , H01L2224/9222 , H01L2224/94 , H01L2225/06517 , H01L2225/06524 , H01L2225/06541 , H01L2924/00014 , H01L2924/14 , H01L2224/80 , H01L2924/00012 , H01L2224/11 , H01L2224/81 , H01L2224/05552
摘要： 本申请涉及用于形成集成电路的方法。具体地，一种用于形成集成电路的方法，包括步骤：a)在第一半导体晶片的前表面中形成开口，开口的深度小于10μm并且将开口填充有传导材料；b)在前表面的有源区中形成部件的掺杂区域，在前表面上形成互连层，以及将支持互连层的表面进行平坦化；c)利用绝缘层覆盖第二半导体晶片的前表面，以及将涂敷有绝缘体的表面进行平坦化；d)将第二晶片的涂敷有绝缘体的前表面施加抵靠在第一晶片的支持互连层的前表面上，以获得在两个晶片之间的键合；e)从第二晶片的后表面形成过孔，以到达第一晶片的互连层；以及f)对第一晶片进行减薄以到达填充有传导材料的开口。
-
公开(公告)号：CN103030101A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201210369338.5
申请日：2012-09-27
申请人： 罗伯特·博世有限公司
CPC分类号： H01L23/48 , B81B2207/012 , B81B2207/096 , B81C1/00238 , B81C2203/0154 , B81C2203/0792 , H01L21/50 , H01L21/561 , H01L21/76898 , H01L23/544 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/17 , H01L24/81 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L24/97 , H01L2223/54426 , H01L2223/54466 , H01L2224/0401 , H01L2224/09181 , H01L2224/13025 , H01L2224/131 , H01L2224/13101 , H01L2224/16145 , H01L2224/16146 , H01L2224/16235 , H01L2224/17181 , H01L2224/9202 , H01L2224/94 , H01L2224/97 , H01L2924/01012 , H01L2924/1433 , H01L2924/1461 , H01L2924/181 , H01L2224/81 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L2224/11 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及一种用于制造双芯片装置的方法和一种相应的双芯片装置。所述方法包括以下步骤：提供具有第一厚度的晶片，其具有前侧和背侧并且具有第一数量的多个第一芯片，其可连接在前侧上；将第二数量的多个第二芯片施加在晶片的前侧上，使得每一个第一芯片分别与一个第二芯片连接并且形成一个相应的双芯片对；在晶片的前侧上形成连通的模制壳体，使得第二芯片被封装；从背侧起将晶片背面减薄到第二厚度，所述第二厚度小于第一厚度；从背侧起形成通到第二芯片的覆镀通孔；以及将双芯片对分割成相应的双芯片装置。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
20 条记录 (耗时 0.023 秒)
