公开(公告)号：CN105980840B

公开(公告)日：2019-07-16

申请号：CN201580007271.2

申请日：2015-01-14

申请人： ams有限公司

发明人： 约亨·克拉夫特 ,  卡尔·罗拉赫尔 ,  马丁·施雷姆斯

IPC分类号： G01N27/12

CPC分类号： H01L24/02 ,  G01N27/12 ,  G01N27/128 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/02315 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/02373 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06051 ,  H01L2224/114 ,  H01L2224/1148 ,  H01L2224/1161 ,  H01L2224/11616 ,  H01L2224/13013 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13026 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

摘要： 在半导体衬底(1)上或上方的介电层(2)中形成包括电导体(4、5、6、7)的布线(3)，在所述介电层中形成开口使由所述导体之一形成的接触焊垫(8)露出，并且在所述介电层中形成另一开口使与所述接触焊垫分离的另一导体(5)的区域露出。用导电材料(9)填充所述另一开口，并且从与所述衬底相对的侧使所述介电层变薄，从而使得所述导电材料从所述介电层凸起。

公开(公告)号：CN108695264A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201810312732.2

申请日：2018-04-09

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 坂田贤治 ,  秋叶俊彦 ,  船矢琢央 ,  土屋秀昭 ,  吉田裕一

IPC分类号： H01L23/13 ,  H01L23/488

CPC分类号： H01L24/13 ,  H01L23/291 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/02206 ,  H01L2224/02215 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0362 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05014 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05186 ,  H01L2224/05555 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05582 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/11901 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/14131 ,  H01L2224/14133 ,  H01L2224/1601 ,  H01L2224/16013 ,  H01L2224/16058 ,  H01L2224/16112 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/1713 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81048 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/814 ,  H01L2224/81455 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/8191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15313 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/206 ,  H01L2924/207 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/47 ,  H01L23/488 ,  H01L23/13

摘要： 本申请涉及半导体器件。旨在提高半导体器件的可靠性。半导体器件包括印刷电路板和安装在印刷电路板上方的半导体芯片。该半导体芯片包括焊盘、包括露出焊盘的一部分的开口的绝缘膜以及形成在从开口露出的焊盘上方的柱电极。印刷电路板包括端子和包括用于露出端子的一部分的开口的抗蚀剂层。半导体芯片的柱电极和印刷电路板的端子经由焊料层耦合。从绝缘膜的上表面测量柱电极的厚度h1。从抗蚀剂层的上表面测量焊料层的厚度h2。厚度h1大于或等于厚度h2的一半并且小于或等于厚度h2。

公开(公告)号：CN108257933A

公开(公告)日：2018-07-06

申请号：CN201810174013.9

申请日：2013-10-08

申请人： 三星电机株式会社

发明人： 金兴圭

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/488 ,  H01L23/498 ,  H01L23/538 ,  H01L21/50 ,  H01L25/03

CPC分类号： H01L23/481 ,  H01L21/50 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/81 ,  H01L25/03 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/73259 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明公开了一种封装结构，该封装结构包括：绝缘层；裸片，嵌入绝缘层的一个表面中；金属柱，形成在裸片的表面上并且延伸至绝缘层的另一表面；以及第一金属图案，形成在绝缘层的另一表面上并且电连接至金属柱。根据本发明的封装结构能够提供制造效率。

公开(公告)号：CN108027557A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201680052638.7

申请日：2016-09-20

申请人： 东丽株式会社

发明人： 荘司优 ,  增田有希 ,  矶部王郎 ,  奥田良治

IPC分类号： G03F7/023 ,  C08G69/02 ,  G03F7/20 ,  G03F7/40

CPC分类号： G03F7/0387 ,  C08G69/02 ,  C08G69/40 ,  G03F7/0226 ,  G03F7/023 ,  G03F7/0233 ,  G03F7/16 ,  G03F7/161 ,  G03F7/168 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26 ,  G03F7/40 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/562 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/024 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03515 ,  H01L2224/0362 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13026 ,  H01L2224/131 ,  H01L2924/0695 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/014

摘要： 本发明提供高伸长性、低应力性、金属铜高密合性的固化膜。本发明的固化膜是将感光性树脂组合物固化而得到的固化膜，其特征在于，所述感光性树脂组合物含有聚羟基酰胺，所述固化膜中的所述聚羟基酰胺的闭环率为10％以下。

公开(公告)号：CN104704628B

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201380051564.1

申请日：2013-09-23

申请人： ams股份有限公司

发明人： 弗兰兹·施兰克 ,  马丁·施雷姆斯

IPC分类号： H01L23/31 ,  B81C1/00 ,  G01N27/12 ,  H01L21/50

CPC分类号： H01L23/528 ,  G01N27/128 ,  H01L21/50 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/315 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73257 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： 一种半导体器件包括：半导体材料的衬底(1)，其具有前侧(4)和相对的后侧(7)；位于所述前侧(4)的布线层(5)；位于所述后侧(7)的另外布线层(8)；以及连接所述布线层(5)和所述另外布线层(8)的衬底通孔(3)。热板(24)布置在所述衬底上或所述衬底中，传感器层(21)布置在所述热板附近。在所述衬底(1)之上将模制复合物(14)布置在后侧(7)上，在所述模制复合物(14)中形成空腔(17)以容纳所述传感器层(21)，并且用膜片(15)覆盖所述空腔(17)。将所述模制复合物(14)敷涂到晶片上，以及可以使用膜辅助模制工艺。

公开(公告)号：CN103579136B

公开(公告)日：2018-03-06

申请号：CN201310324406.0

申请日：2013-07-30

申请人： 通用电气公司

发明人： A.V.高达 ,  P.A.麦康奈李 ,  赵日安 ,  S.S.乔罕

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L23/29 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L23/3121 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/561 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49833 ,  H01L23/49894 ,  H01L23/5389 ,  H01L23/564 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/24 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/92144 ,  H01L2224/9222 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00

摘要： 本公开涉及用于表面安装模块的扩散阻挡层。公开了一种用于减少水分和气体进入的表面安装封装结构。该表面安装结构包括子模块，该子模块具有介电层、附连到介电层上的半导体装置、与半导体装置电联接的一级金属互连结构、和与一级互连电联接且形成在介电层上的二级I/O连接，其中二级I/O连接构造成将子模块连接到外部电路上。子模块的半导体装置附连到衬底结构上，其中介电材料在介电层与衬底结构之间定位以填充表面安装结构中的间隙。扩散阻挡层邻近一级和二级I/O连接施加在子模块上，并且向下延伸到衬底结构，以减少水分和气体从周围环境进入表面安装结构。

公开(公告)号：CN105047619B

公开(公告)日：2018-02-13

申请号：CN201510187746.2

申请日：2015-04-20

申请人： 精材科技股份有限公司

发明人： 何彦仕 ,  何志伟 ,  刘沧宇

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L23/488 ,  H01L21/98

CPC分类号： H01L23/49811 ,  B81B7/007 ,  B81B2207/093 ,  B81B2207/095 ,  B81B2207/096 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/78 ,  H01L23/13 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/02 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/48 ,  H01L24/81 ,  H01L24/85 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L29/0657 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/02313 ,  H01L2224/0235 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/02375 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/02381 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05555 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06051 ,  H01L2224/06151 ,  H01L2224/06155 ,  H01L2224/06165 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/4801 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/81411 ,  H01L2224/81424 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81455 ,  H01L2224/81469 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06506 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10155 ,  H01L2924/10156 ,  H01L2924/10157 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/45099

摘要： 本发明揭露一种晶片堆叠封装体及其制造方法。该晶片堆叠封装体包括：至少一第一基底，其具有一第一侧及相对的一第二侧，且包括一凹口及多个重布线层，凹口位于第一基底内且邻接其一侧边，多个重布线层设置于第一基底上且延伸至凹口的一底部；至少一第二基底，设置于第一基底的第一侧；多个焊线，对应设置于凹口内的重布线层上，且延伸至第二基底上；以及至少一装置基底，设置于第一基底的第二侧。本发明可有效降低晶片堆叠封装体的整体尺寸。

公开(公告)号：CN107591375A

公开(公告)日：2018-01-16

申请号：CN201710547295.8

申请日：2017-07-06

申请人： 精材科技股份有限公司

发明人： 林锡坚 ,  陈智伟 ,  谢俊池 ,  陈岳廷

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L23/485 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L24/02 ,  G06K9/00013 ,  H01L21/56 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/3171 ,  H01L24/08 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/82 ,  H01L24/94 ,  H01L24/96 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14685 ,  H01L2224/02333 ,  H01L2224/0235 ,  H01L2224/0236 ,  H01L2224/0237 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/02373 ,  H01L2224/02381 ,  H01L2224/03019 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/08221 ,  H01L2224/11002 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/73259 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/96 ,  H01L2924/10155 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/19

摘要： 一种晶片封装体及其制作方法，该晶片封装体包含晶片、第一绝缘层、重布线层与钝化层。晶片具有感应器、至少一焊垫、相对的顶面与底面、及邻接顶面与底面的侧壁。感应器位于顶面。焊垫位于顶面的边缘。第一绝缘层位于晶片的底面与侧壁上。重布线层位于第一绝缘层上，且重布线层电性接触焊垫的侧面。重布线层至少部分凸出于焊垫而裸露。钝化层位于第一绝缘层与重布线层上，使未凸出焊垫的重布线层位于钝化层与第一绝缘层之间，而凸出焊垫的重布线层位于钝化层上。晶片封装体的感应器因无间隔件覆盖，可提升晶片封装体的感测能力。

公开(公告)号：CN104377192B

公开(公告)日：2017-12-19

申请号：CN201410371367.4

申请日：2014-07-31

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 余振华 ,  叶德强

IPC分类号： H01L25/065 ,  H01L23/31 ,  H01L21/98

CPC分类号： H01L21/31053 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/17 ,  H01L24/19 ,  H01L24/81 ,  H01L24/92 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/18 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/0572 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/1703 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73259 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/92224 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/014

摘要： 本发明提供了一种器件，包括堆叠在一起的第一芯片和第二芯片以形成多芯片结构，其中，多个芯片结构嵌入在封装层内。该器件还包括形成在封装层的第一侧的顶面上的重分布层，其中，重分布层连接至第一芯片的有源电路和第二芯片的有源电路，并且重分布层延伸超出第一芯片和第二芯片中的至少一个边缘。本发明还提供了一种形成该器件的方法。

公开(公告)号：CN107452596A

公开(公告)日：2017-12-08

申请号：CN201710361407.0

申请日：2017-05-19

申请人： 松下知识产权经营株式会社

发明人： 针贝笃史 ,  置田尚吾 ,  伊藤彰宏 ,  高野克巳 ,  广岛满

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/683 ,  H01L21/78

CPC分类号： H01L21/78 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/11 ,  H01L24/14 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/13022 ,  H01L21/02013 ,  H01L21/02016 ,  H01L2221/6834

摘要： 一种元件芯片的制造方法，不使生产性下降地抑制等离子体对凸块的劣化及损伤的同时对基板进行单片化。包括：准备工序，准备具备具有凸块的第一面及第二面且具备由分割区域划分的多个元件区域的基板；凸块埋入工序，在第一面粘合具有粘合层的保护带，至少将凸块的头顶部埋入到粘合层；薄化工序，在凸块埋入工序后，在第一面粘合了保护带的状态下磨削第二面；掩模形成工序，在薄化工序后，在第二面形成掩模；保持工序，使第一面与用框架支承的保持带对置，使保持带保持基板；载置工序，在掩模形成工序及保持工序后，将基板经由保持带载置在等离子体处理载置台；单片化工序，在载置工序后，对分割区域从第二面至第一面进行等离子体蚀刻。