公开(公告)号：CN104952794B

公开(公告)日：2018-07-06

申请号：CN201510130021.X

申请日：2015-03-24

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： M·勒斯纳 ,  M·恩格尔哈特 ,  J·施米德 ,  G·斯特兰茨尔 ,  J·希尔施勒

IPC: H01L21/78

CPC classification number: H01L21/7806 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76898 ,  H01L21/78 ,  H01L24/32 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2924/10157 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 依照本发明的实施例，一种形成半导体器件的方法包括使用粘合部件将衬底附接至载体，并且穿过该衬底形成贯穿沟槽以暴露该粘合部件。该粘合部件的至少一部分被蚀刻，并且金属层被形成在该贯穿沟槽的侧壁之上。

公开(公告)号：CN104253100B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201410299061.2

申请日：2014-06-27

Applicant: 精材科技股份有限公司

Inventor： 张义民 ,  刘沧宇 ,  何彦仕 ,  温英男

IPC: H01L23/488

CPC classification number: H01L23/3171 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/0235 ,  H01L2224/02375 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05007 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05562 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/0558 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/06155 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10157 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明提供一种晶片封装体，包含半导体晶片、绝缘层、重布局金属层以及焊接垫。半导体晶片具有导电垫、内连线结构以及电子元件。电子元件通过内连线结构电性连接导电垫。绝缘层设置于半导体晶片的表面上且具有第一开口以暴露出部分导电垫。重布局金属层设置于绝缘层上且具有对应导电垫的重布局金属线路，重布局金属线路通过第一开口与导电垫连接。焊接垫配置于绝缘层上且位于半导体晶片的一侧。其中，重布局金属线路延伸至焊接垫，使配置于半导体晶片的表面上的导电垫电性连接于该侧的焊接垫。本发明的晶片封装体不仅能够提升焊线打接的效率和良率，还具有较现有技术更长的元件寿命以及更佳的可靠度。

公开(公告)号：CN104051359B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201410080425.8

申请日：2014-03-06

Applicant: 精材科技股份有限公司

Inventor： 林义闵 ,  张义民 ,  张恕铭 ,  何彦仕 ,  刘沧宇 ,  郑家明

IPC: H01L23/31 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L23/552 ,  H01L21/4814 ,  H01L21/78 ,  H01L23/544 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/85 ,  H01L24/92 ,  H01L25/0657 ,  H01L29/0657 ,  H01L2223/5446 ,  H01L2224/02313 ,  H01L2224/0235 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/03614 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/4847 ,  H01L2224/92 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10155 ,  H01L2924/10156 ,  H01L2924/10157 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/05599

Abstract: 本发明提供一种晶片封装体及其形成方法，该晶片封装体包括：一半导体基底，具有一第一表面及一第二表面；一第一凹陷，自该第一表面朝该第二表面延伸；一第二凹陷，自该第一凹陷的一底部朝该第二表面延伸，其中该第一凹陷的一侧壁及该底部与该第二凹陷的一第二侧壁及一第二底部共同形成该半导体基底的一外侧表面；一导线层，设置于该第一表面上，且延伸进入该第一凹陷及/或该第二凹陷；一绝缘层，位于该导线层与该半导体基底之间；以及一金属遮光层，设置于该第一表面上，且具有至少一孔洞，其中该至少一孔洞的形状为一四边形。本发明有助于晶片封装体的缩小化，且可使晶片封装体的可靠度提升。

公开(公告)号：CN105280629A

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201510588755.2

申请日：2011-10-08

Applicant: 新世纪光电股份有限公司

Inventor： 蔡胜杰 ,  苏柏仁 ,  孙圣渊

IPC: H01L25/075 ,  H01L33/48 ,  H01L33/62

CPC classification number: H01L2224/16 ,  H01L2924/10157

Abstract: 本发明涉及一种发光二极管结构，其中，该发光二极管结构包括：发光晶片以及导电支架。发光晶片具有多个发光二极管单元。导电支架具有电连接线路、与电性连接到电连接线路的至少一对电极，其中，发光二极管单元对向于电连接线路，且发光二极管单元经由电连接线路而彼此电性连接。多个发光二极管单元之间的电路连接关系可藉由外部的电连接线路而达成，能简化制程并提升良率。

公开(公告)号：CN105271104A

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201410250144.2

申请日：2014-06-06

Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司

Inventor： 萧伟民 ,  黄敏龙

IPC: B81C1/00 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/73 ,  H01L2224/18 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48464 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/10156 ,  H01L2924/10157 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/85

Abstract: 本发明涉及一种半导体封装结构的制造方法，其包括：提供衬底，所述衬底具有彼此对置的第一表面和第二表面，所述衬底具有多个导通孔；将裸片固定到所述衬底的所述第一表面，且将所述裸片电连接到所述衬底；使用封装材料囊封所述裸片及所述第一表面；以及使用所述封装材料作为载体，以从所述衬底的所述第二表面薄化所述衬底以曝露所述多个导通孔。

公开(公告)号：CN101789392B

公开(公告)日：2014-04-02

申请号：CN201010002041.6

申请日：2010-01-07

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 秋叶俊彦 ,  木村稔 ,  小田切政雄

IPC: H01L21/78

CPC classification number: H01L21/78 ,  B28D5/022 ,  H01L23/3121 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/48095 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/10156 ,  H01L2924/10157 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 随着近年来半导体工艺的不断缩小，形成于互连层之间的绝缘层不断变薄。为了避免它们之间的寄生电容，低介电常数的材料被用于多层互连中的绝缘层。然而，与传统绝缘层相比，低k材料的强度低。多孔的低k材料在结构上是脆弱的。本发明因此提供一种具有包含低k层的多层互连层的半导体器件的制造方法。根据所述方法，在用锥形刀片在半导体晶片中形成槽之后用比槽宽度更薄的直刀片分割槽的两步切削系统划片中，用锥面覆盖多层互连层部分并进行切削，然后，用与多层互连层部分不接触的薄刀片分割晶片。晶片可以被划片而不损害较脆弱的低k层。

公开(公告)号：CN103443530A

公开(公告)日：2013-12-11

申请号：CN201280014461.3

申请日：2012-01-19

Applicant: 克利公司

Inventor： 大卫·T·埃默森 ,  迈克尔·J·伯格曼恩 ,  克勒斯托弗·P·胡赛尔

IPC: F21S2/00 ,  G02F1/13357

CPC classification number: H01L25/0753 ,  G02F1/133603 ,  G02F1/133608 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L33/486 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62 ,  H01L33/642 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29399 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49113 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/10157 ,  H01L2924/10158 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/12035 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00

Abstract: 公开了发光二极管（LED）装置、系统和方法。在一个方面中，照明面板可配置成向液晶显示（LCD）面板提供背光。照明面板可包括以阵列布置的一个或多个LED。该一个或多个LED可使用金属到金属芯片粘结方法粘结在照明面板上方、或者粘结在设置在照明面板上方的封装内。在一个方面中，该一个或多个LED可使用这里公开的具鲁棒性的金属到金属芯片粘结技术和/或材料而粘结。

公开(公告)号：CN102549749A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201080036733.0

申请日：2010-06-21

Applicant: 弗劳恩霍弗应用技术研究院 ,  乌利斯股份公司

Inventor： W·赖纳特 ,  J·昆策尔 ,  S·蒂内斯 ,  C·罗曼

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14618 ,  G01J5/045 ,  G01J5/0875 ,  H01L27/14649 ,  H01L27/14683 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/10157 ,  H01L2924/10158 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/00

Abstract: 红外辐射微装置、所述装置的盖子和制备所述装置的方法，所述装置包括基底、盖子和红外辐射检测、发射或反射红外微单元，所述红外微单元置于由所述基底和所述盖子限定的空腔中，所述盖子包括抗反射表面纹理，以提高红外辐射透过率，其中在添加过程中在所述盖子的基底侧上和/或所述基底的盖子侧上形成的距离框架置于所述基底和所述盖子之间。

公开(公告)号：CN100583471C

公开(公告)日：2010-01-20

申请号：CN200610163654.1

申请日：2006-12-01

Applicant: 日亚化学工业株式会社

Inventor： 反田祐一郎 ,  玉置宽人

IPC: H01L33/00 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60 ,  H01S5/00 ,  H01S5/022

CPC classification number: H01L33/486 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/10157 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明公开一种可靠性高的薄型·小型化发光装置及其制造方法，其特征在于，具有：发光元件；多个导电层，其载置该发光元件或与所述发光元件电连接；透光性绝缘构件，其对所述发光元件进行密封，并在底面上具有所述导电层，所述导电层在侧面的一部分具有凸起，至于所述凸起，上面侧的角部具有圆角。

公开(公告)号：CN101577258A

公开(公告)日：2009-11-11

申请号：CN200910137172.2

申请日：2009-05-06

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 今西诚 ,  户村善广 ,  熊泽谦太郎

IPC: H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L23/49 ,  H01L23/12 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/3135 ,  H01L21/56 ,  H01L23/3121 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/4809 ,  H01L2224/48095 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85148 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/10156 ,  H01L2924/10157 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/05599

Abstract: 本发明的电子元器件的特征为，元器件(2)的外周部被第一密封树脂(4)围住，在第一密封树脂(4)的内侧填充有第二密封树脂(3)，元器件(2)和基板(1)由引线5电连接，元器件(2)外周的边缘部分中的、附近有引线(5)通过的边形成为经倒角后的倾斜面(31)，引线(5)沿着倾斜面(31)向基板(1)延伸设置，能够将电子元器件整体高度抑制得较低。