公开(公告)号：CN105590916B

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201510450190.1

申请日：2015-07-28

Applicant: 精材科技股份有限公司

Inventor： 刘建宏 ,  温英男 ,  李士仪 ,  姚皓然

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/535 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76898 ,  H01L21/2633 ,  H01L21/268 ,  H01L21/304 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/561 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/481 ,  H01L23/528 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/43 ,  H01L24/45 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/02311 ,  H01L2224/0233 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/06135 ,  H01L2224/06182 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/1411 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/432 ,  H01L2224/4502 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/00014

Abstract: 种晶片封装体及其制造方法,该晶片封装体包含晶片、激光阻挡件、绝缘层、重布线层、阻隔层与导电结构。晶片具有焊垫、及相对的第表面与第二表面。焊垫位于第表面上。第二表面具有第穿孔,使焊垫从第穿孔裸露。激光阻挡件位于焊垫上。绝缘层位于第二表面上与第穿孔中。绝缘层具有相对第二表面的第三表面。绝缘层与焊垫共同具有第二穿孔,使激光阻挡件从第二穿孔裸露。重布线层位于第三表面上、第二穿孔的壁面上与第二穿孔中的激光阻挡件上。阻隔层位于第三表面上与重布线层上。导电结构位于重布线层上,使导电结构电性连接焊垫。本发明不仅能节省制程的时间与机台的成本,还可提升晶片封装体侦测时的准确度。

公开(公告)号：CN104681516A

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：CN201410705224.2

申请日：2014-11-27

Applicant: 精材科技股份有限公司

Inventor： 刘建宏 ,  温英男

IPC: H01L23/482 ,  H01L21/60 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L24/09 ,  H01L21/76898 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/24 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/82 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L25/50 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/1469 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/24051 ,  H01L2224/24227 ,  H01L2224/245 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73217 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/8203 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/92133 ,  H01L2224/92144 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14335 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665

Abstract: 本发明揭露一种晶片封装体及其制造方法。该晶片封装体包括：一第一基底，其中多个第一导电垫设置于第一基底的一第一侧上；一第二基底，贴附于相对于第一基底的第一侧的一第二侧上，其中第二基底具有一微电子元件，且具有对应第一导电垫的多个第二导电垫，所述第二导电垫设置于第二基底的一第一侧上，且位于第一基底与第二基底之间；一重布线层，设置于相对于第二基底的第一侧的一第二侧上，且穿过第二基底、第二导电垫及第一基底而延伸至第一导电垫内，以与第一导电垫及第二导电垫电性连接。本发明通过重布线层进行电性连接而不需使用焊线，缩小了晶片封装体的尺寸，降低了成本。

公开(公告)号：CN102623439A

公开(公告)日：2012-08-01

申请号：CN201210019307.7

申请日：2012-01-20

Applicant: 精材科技股份有限公司

Inventor： 姚皓然 ,  刘建宏 ,  温英男 ,  李士仪 ,  杨惟中 ,  楼百尧 ,  李宏仁

IPC: H01L23/64

CPC classification number: H01L23/642 ,  H01L23/48 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L25/0655 ,  H01L2224/13101 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/1901 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/014

Abstract: 本发明公开一种电容耦合器封装结构，其包括：一基材，其上具有至少一电容器及一接收器，此电容器至少包含一第一电极层及一第二电极层，以及一电容介电层设置于其间，其中此第一电极层以一焊球与此接收器电连接；以及一传送器，与此第二电极层电连接。

公开(公告)号：CN101887915B

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201010154381.0

申请日：2010-04-21

Applicant: 精材科技股份有限公司

Inventor： 彭宝庆 ,  温英男 ,  张恕铭 ,  倪庆羽 ,  谢昀叡 ,  陈伟铭 ,  蔡佳伦 ,  郑家明

IPC: H01L29/78 ,  H01L23/52 ,  H01L23/482

CPC classification number: H01L29/78 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/481 ,  H01L23/492 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L29/0646 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7809 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01021 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099

Abstract: 本发明提供一种功率金属氧化物半导体场效应晶体管封装体，包括：半导体基底，具有第一表面及相反的第二表面，导电型为第一导电型，且半导体基底形成漏极区；掺杂区，自第一表面向下延伸，导电型为第二导电型；源极区，位于掺杂区中，导电型为第一导电型；栅极，形成于第一表面上或埋于该第一表面内，且与半导体基底之间隔有栅极介电层；第一导电结构，位于半导体基底之上，具有第一端点，且与漏极区电性连接；第二导电结构，位于半导体基底之上，具有第二端点，且与源极区电性连接；第三导电结构，位于半导体基底之上，具有第三端点，且与栅极电性连接，其中第一端点、第二端点及第三端点大抵共平面。

公开(公告)号：CN101681848A

公开(公告)日：2010-03-24

申请号：CN200880000375.0

申请日：2008-06-13

Applicant: 精材科技股份有限公司

Inventor： 蔡佳伦 ,  钱文正 ,  李柏汉 ,  陈伟铭 ,  刘建宏 ,  温英男

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/485 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L23/481 ,  H01L21/76898 ,  H01L24/12 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14683 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01021 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05099

Abstract: 一种电子元件封装体，包括：一晶片，具有第一表面及相对的第二表面；及一沟槽，自第二表面向第一表面的方向延伸进入晶片本体中，其中沟槽底部包括两个以上的接触孔。

公开(公告)号：CN105097790B

公开(公告)日：2018-12-04

申请号：CN201510168772.0

申请日：2015-04-10

Applicant: 精材科技股份有限公司

Inventor： 温英男 ,  刘建宏

IPC: H01L25/00 ,  H01L23/498 ,  H01L21/50 ,  B81B7/02 ,  B81C3/00

Abstract: 本发明揭露一种晶片封装体及其制造方法，该晶片封装体包括：一第一装置基底，贴附于一第二装置基底的一第一表面上；一第三装置基底，贴附于第二装置基底相对于第一表面的一第二表面上；一绝缘层，覆盖第一装置基底、第二装置基底及第三装置基底，其中绝缘层内具有至少一开口；至少一凸块，设置于开口的底部下方；以及一重布线层，设置于绝缘层上，且经由开口电性连接至凸块。本发明可将多个不同尺寸的装置基底/晶片彼此垂直堆叠而将其整合于同一晶片封装体内，使得单一晶片封装体具有多种集成电路功能，因此可缩小后续接合的电路板的尺寸。

公开(公告)号：CN105590911B

公开(公告)日：2018-08-24

申请号：CN201510736145.2

申请日：2015-11-03

Applicant: 精材科技股份有限公司

Inventor： 姚皓然 ,  温英男 ,  刘建宏 ,  李士仪

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/485 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L24/09 ,  G06F21/32 ,  H01L21/02013 ,  H01L21/31 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76898 ,  H01L21/78 ,  H01L23/481 ,  H01L23/525 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/17 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/02311 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/02381 ,  H01L2224/03002 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/08235 ,  H01L2224/08237 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/03

Abstract: 一种晶片封装体及其制造方法，该晶片封装体包含晶片、激光阻挡件、绝缘层、重布线层、阻隔层与导电结构。晶片具有焊垫、及相对的第一表面与第二表面。焊垫位于第一表面上。第二表面具有第一穿孔，使焊垫从第一穿孔裸露。激光阻挡件位于第一穿孔中的焊垫上。绝缘层位于第二表面上与第一穿孔中。绝缘层具有相对第二表面的第三表面。绝缘层具有第二穿孔，使激光阻挡件从第二穿孔裸露。重布线层位于第三表面上、第二穿孔的壁面上与第二穿孔中的激光阻挡件上。阻隔层位于第三表面上与重布线层上。导电结构位于重布线层上，使导电结构电性连接焊垫。本发明不仅能节省制程的时间与机台的成本，还可提升晶片封装体侦测时的准确度。

公开(公告)号：CN106449690A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201610640891.6

申请日：2016-08-08

Applicant: 精材科技股份有限公司

Inventor： 姚皓然 ,  温英男 ,  刘沧宇

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/54 ,  H01L33/58 ,  H01L33/60 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L33/005 ,  G01S7/4813 ,  G01S17/026 ,  H01L31/173 ,  H01L33/46 ,  H01L33/52 ,  H01L2224/11 ,  H01L27/153 ,  H01L21/56 ,  H01L33/54 ,  H01L33/58 ,  H01L33/60 ,  H01L2933/005 ,  H01L2933/0058 ,  H01L2933/0091

Abstract: 一种传感器封装体及其制造方法，传感器封装体包括传感器及光阻挡层，传感器具有相对的第一上表面与第一下表面，且邻近第一上表面处形成有发光组件及光感应组件，发光组件与光感应组件间隔预定的距离，传感器还包括分别邻近光感应组件及发光组件的第一及第二导电垫，且光感应组件具有相对的第二上表面与第二下表面。光阻挡层形成于传感器的第一上表面上且围绕发光组件，且包括：盖板，形成于传感器的第一上表面上，且盖板内具有沟渠，沟渠具有内壁以及底墙，且底墙不高于光感应组件的第二下表面；黏着层，位于盖板与传感器的第一上表面之间，使盖板与传感器的第一上表面结合；以及光阻挡材料层，覆盖于沟渠的内壁或填满于沟渠内。

公开(公告)号：CN105789172A

公开(公告)日：2016-07-20

申请号：CN201610015211.1

申请日：2016-01-11

Applicant: 精材科技股份有限公司

Inventor： 姚皓然 ,  温英男 ,  刘建宏 ,  李士仪

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L23/5226 ,  G06K9/0002 ,  H01L21/268 ,  H01L21/304 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76898 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/481 ,  H01L23/5283 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00 ,  H01L23/49827 ,  H01L21/486

Abstract: 一种晶片封装体及其制造方法，该晶片封装体包含：一晶片，具有一导电垫、以及相对的一第一表面与一第二表面，其中导电垫位于第一表面；一第一穿孔，自第二表面朝第一表面延伸，并暴露导电垫；一导电结构，位于第二表面上与第一穿孔中，并接触导电垫，导电结构包含一第二导电层与一激光阻挡部分；一第一绝缘层，位于第二表面上并覆盖导电结构，其中第一绝缘层具有相对于第二表面的一第三表面；一第二穿孔，自第三表面朝第二表面延伸，并暴露激光阻挡部分；一第一导电层，位于第三表面上与第二穿孔中，并接触激光阻挡部分。本发明不仅可省略化学气相沉积与图案化第一绝缘层的制程，还可节省制程时间与机台成本，且可提升侦测时的准确度。

公开(公告)号：CN105023916A

公开(公告)日：2015-11-04

申请号：CN201510193296.8

申请日：2015-04-22

Applicant: 精材科技股份有限公司

Inventor： 刘建宏 ,  温英男

IPC: H01L25/00 ,  H01L23/488 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L25/16 ,  H01L21/561 ,  H01L23/3114 ,  H01L24/19 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/18 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45101 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48464 ,  H01L2224/73209 ,  H01L2224/73227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85424 ,  H01L2224/85447 ,  H01L2224/85455 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06506 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10252 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1032 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/141 ,  H01L2924/1421 ,  H01L2924/143 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19011 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/45099

Abstract: 本发明提供一种晶片封装体及其制造方法，该晶片封装体包含半导体晶片、第一晶片、第一连接部、模塑层、重布局金属层以及封装层。半导体晶片具有至少一第一导电垫以及至少一第二导电垫设置于半导体晶片的上表面。第一晶片配置于上表面上，第一晶片具有至少第一晶片导电垫。第一连接部直接电性连接第一晶片导电垫与第一导电垫。模塑层覆盖上表面、第一晶片以及第一连接部，模塑层具有开口暴露出该第二导电垫。重布局金属层设置于开口内与第二导电垫电性连接，且重布局金属层延伸至模塑层上。封装层覆盖重布局金属层以及模塑层。本发明不仅于同一封装体内整合多个晶片，还可简化重布局金属层的图案布局。