晶片封装体与其制备方法

    公开(公告)号:CN106252308B

    公开(公告)日:2019-03-26

    申请号:CN201610319417.3

    申请日:2016-05-13

    摘要: 一种晶片封装体与其制备方法。晶片封装体包含:晶片,其具有上表面及下表面;感应元件,设置于上表面;散热层,设置于下表面;以及多个外部散热连结,设置于散热层下,并接触散热层。本发明能够有效地将晶片封装体运作时产生的热量传导至外部,且制程简单。

    晶片封装体及其制造方法

    公开(公告)号:CN107221540A

    公开(公告)日:2017-09-29

    申请号:CN201710165062.1

    申请日:2017-03-20

    IPC分类号: H01L27/146

    摘要: 本发明提供一种晶片封装体及其制造方法,该晶片封装体包括一基底,具有一第一表面及与其相对的一第二表面,其中基底具有一晶片区及沿晶片区的边缘延伸的一切割道区。晶片封装体还包括一介电层,设置于基底的第一表面上,其中对应于切割道区的介电层内具有一通槽,且通槽沿切割道区的延伸方向延伸。本发明可维持或改善晶片封装体可靠度及效能,避免基底翘曲,且可进一步缩小晶片封装体的尺寸。

    集成电路封装体及其制作方法

    公开(公告)号:CN101330088A

    公开(公告)日:2008-12-24

    申请号:CN200710112023.1

    申请日:2007-06-21

    发明人: 李柏汉

    CPC分类号: H01L2224/11

    摘要: 本发明提供一种集成电路封装体及其制作方法。上述集成电路封装体包含:透明基板,具有第一表面及第二表面;半导体层,形成于该透明基板的第二表面上;感光元件,形成于该半导体层上;金属插塞,形成于该透明基板的第二表面上,且电连接于该感光元件;以及焊料球体,形成于该透明基板的第二表面上,且电连接该金属插塞。在上述集成电路封装体中,由于可直接将感光元件设置于透明基板上的半导体层上,而不需要额外工艺,例如粘合及刻痕等步骤,因此,可缩短制作流程,进而降低制作成本。

    晶片封装体及其制造方法
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117012791A

    公开(公告)日:2023-11-07

    申请号:CN202310435190.9

    申请日:2023-04-21

    IPC分类号: H01L27/146

    摘要: 本公开提供一种晶片封装体及其制造方法,该晶片封装体包括透光片、晶片、接合层及阻隔层。透光片具有凸出部。晶片具有相对的第一表面与第二表面,且第一表面朝向透光片且具有感测区。接合层位于晶片与透光片之间。晶片的厚度与接合层的厚度的和大于等于透光片的厚度。透光片的凸出部凸出于晶片的侧壁与接合层的侧壁。阻隔层从晶片的第二表面沿晶片的侧壁与接合层的侧壁延伸到透光片的凸出部上。阻隔层可保护晶片的侧壁避免破裂损坏,还可提升晶片封装体的整体强度。

    半导体装置结构及封装组件
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114725010A

    公开(公告)日:2022-07-08

    申请号:CN202210006904.X

    申请日:2022-01-05

    发明人: 李柏汉 简玮铭

    摘要: 本发明提供一种半导体装置结构及封装组件,该半导体装置结构包括:一半导体基底,具有一第一表面及与其相对的一第二表面;一氮化镓基装置层,形成于半导体基底的第一表面上,且具有源极、漏极及栅极接触区;第一、第二及第三通孔电极,贯穿半导体基底,且分别电性连接于源极、漏极及栅极接触区;以及一绝缘衬层,形成于半导体基底的第二表面上,且延伸于半导体基底内并将第二通孔电极及第三通孔电极与半导体基底隔开。本实施例也提供一种具有上述半导体装置结构的封装组件。由此,可简化制程并避免使用高成本的接合线。

    晶片封装体与电源模组
    9.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111128961B

    公开(公告)日:2022-04-26

    申请号:CN201911029931.3

    申请日:2019-10-25

    摘要: 本发明提供一种晶片封装体与电源模组,该晶片封装体包含耐高压基板与装置晶片。耐高压基板具有本体、功能层与接地层。本体具有相对的顶面与底面、贯穿顶面与底面的通孔及围绕通孔的侧壁。功能层位于顶面上。接地层覆盖底面与侧壁。装置晶片位于功能层上,且具有朝向本体的接地垫。接地垫电性连接通孔中的接地层。由此,当晶片封装体设置于电路板的接地区上时,接地层可与电路板的接地区接触而彼此电性连接,如此一来,晶片封装体的装置晶片的接地垫便可通过耐高压基板的接地层与电路板的接地区达到接地的效果,不仅可降低阻值减少噪声,且因接地垫无需打线,接地垫不用被限制在装置晶片的顶面,可降低导线的材料与制造成本。

    晶片封装体及其制造方法
    10.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110491859B

    公开(公告)日:2021-05-25

    申请号:CN201910407970.6

    申请日:2019-05-15

    摘要: 本发明提供一种晶片封装体及其制造方法。在所述晶片封装体中,第一接合结构位于第一重布线层上。第一晶片包括邻近一主动面的一感测区及一导电垫。第一晶片通过第一接合结构接合于第一重布线层上,且第一接合结构位于导电垫与第一重布线层之间。模塑料层覆盖第一重布线层且环绕第一晶片。第二重布线层位于模塑料层及第一晶片上,且第二重布线层电性连接至第一重布线层。第二晶片堆叠于第一晶片的非主动面上,且第二晶片通过第二重布线层、第一重布线层及第一接合结构电性连接至第一晶片。本发明能够简化制程步骤、减少制造时间且大幅降低制造成本。