公开(公告)号：CN109429024A

公开(公告)日：2019-03-05

申请号：CN201811014819.8

申请日：2018-08-31

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 小林宽和 ,  铃木聪史 ,  熊木聪

IPC: H04N5/369 ,  H01L27/146

CPC classification number: H04N5/3765 ,  G01S7/4863 ,  G01S17/89 ,  G06T7/521 ,  G06T2207/10028 ,  H01L27/14607 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14649 ,  H01L31/107 ,  H04N5/06 ,  H04N5/341 ,  H04N5/343 ,  H04N5/3696 ,  H04N5/36965 ,  H04N5/3745 ,  H04N5/37455 ,  H04N5/378 ,  H04N5/369 ,  H01L27/14601

Abstract: 本发明提供一种固态图像传感器和摄像设备，其可以在抑制电路规模增大的同时实现图像获取和测距。所述固态图像传感器包括：多个像素，所述多个像素中的各像素包括传感器单元，所述传感器单元用于按基于光子的接收频率的频率产生脉冲；以及计数器，其以第一模式和第二模式工作，所述第一模式用于对所述传感器单元所产生的信号的脉冲数进行计数，以及所述第二模式用于对基于自从发光单元发光的定时起的经过时间的预定信号的脉冲数进行计数。

公开(公告)号：CN109427832A

公开(公告)日：2019-03-05

申请号：CN201711246847.8

申请日：2017-12-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李昇展 ,  周耕宇 ,  周正贤 ,  蔡正原 ,  杜友伦

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14629 ,  H01L27/14607 ,  H01L27/14601 ,  H01L27/1463

Abstract: 本公开实施例涉及影像感应器集成芯片，其具有的深沟槽隔离结构具有反射元件。影像感应器集成芯片包含影像感应元件安排在基底内，多个突出部沿着基底的第一侧安排在影像感应元件之上，一或更多吸收增强层安排在这些突出部上方且在突出部之间，多个深沟槽隔离结构安排于沟槽内且设置于影像感应元件的相对两侧，并从基底的第一侧延伸至基底内，这些深沟槽隔离结构各自包含反射元件，其具有一或更多反射区配置为反射电磁辐射。通过使用反射元件反射电磁辐射，使相邻的像素区之间的串音(cross-talk)减少，藉此改善影像感应器集成芯片的效能。

公开(公告)号：CN109244091A

公开(公告)日：2019-01-18

申请号：CN201810747768.3

申请日：2018-07-10

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 世森光裕 ,  冈部刚士 ,  柿沼伸明 ,  冈川崇

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14614 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14601

Abstract: 一种半导体装置，包括：半导体基板；导电部件，布置在半导体基板上方，包括多晶硅层，多晶硅层有第一部分、第二部分和沿半导体基板的主表面延伸的方向在第一部分和第二部分之间的第三部分；层间绝缘膜，覆盖导电部件；第一氮化硅层，布置在层间绝缘膜和第三部分之间；第二氮化硅层，布置在层间绝缘膜和第一部分之间以及层间绝缘层和第二部分之间；第一和第二触点插头，分别布置在第一和第二部分上方，穿透层间绝缘膜和第二氮化硅层，以便与导电部件连接；其中，第一氮化硅层沿所述方向布置在第一和第二触点插头之间，并与第一和第二触点插头分开。以及一种包括该半导体装置的设备。

公开(公告)号：CN108695353A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201810325115.6

申请日：2018-04-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 石井胜 ,  李贵德 ,  李泰渊

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/307 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14645 ,  H04N5/3591 ,  H04N5/3597 ,  H04N5/374 ,  H04N5/3745 ,  H04N5/37457 ,  H04N5/378 ,  H01L27/14601 ,  H01L27/14605 ,  H01L27/1461 ,  H01L27/14643

Abstract: 一种图像传感器包含光电转换元件和耦合到光电转换元件的电荷存储节点。电荷存储节点可存储光电转换元件中产生的光电荷。电荷存储节点可包含半导体衬底中的浮动扩散区、半导体衬底中的浮动扩散区上的势垒掺杂区以及半导体衬底中的势垒掺杂区上的电荷漏区，其中半导体衬底与第一导电类型相关，浮动扩散区与第二导电类型相关，势垒掺杂区与第一导电类型相关，以及电荷漏区与第二导电类型相关。

公开(公告)号：CN108428710A

公开(公告)日：2018-08-21

申请号：CN201810315834.X

申请日：2018-04-10

Applicant: 昆山锐芯微电子有限公司

Inventor： 罗文哲 ,  王林 ,  黄金德 ,  汪立

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14605 ,  H01L27/14601 ,  H01L27/14607 ,  H01L27/14683

Abstract: 一种半导体结构及其形成方法和工作方法，其中，半导体结构包括：衬底，所述衬底包括多个分立的像素区，所述衬底包括相对的第一面和第二面；分别位于所述衬底像素区中的多个感光元件，所述感光元件用于探测第一光波；分别位于所述第一面像素区上的多个光敏电阻，所述光敏电阻用于探测第二光波，且用于使所述第一光波透过，所述第二光波与第一光波的波长不相等，所述光敏电阻覆盖相应的感光元件，所述光敏电阻包括相对的第一端和第二端；连接所述第一端的第一连接结构；连接所述第二端的第二连接结构。所述半导体结构的集成度较高。

公开(公告)号：CN108336102A

公开(公告)日：2018-07-27

申请号：CN201810074648.1

申请日：2013-11-07

Applicant: 索尼公司

Inventor： 山下和芳

IPC: H01L27/146 ,  H01L23/522 ,  H04N5/374 ,  H04N5/378

CPC classification number: H01L27/14607 ,  H01L23/5223 ,  H01L27/00 ,  H01L27/14601 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14614 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14641 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14645 ,  H04N5/374 ,  H04N5/378

Abstract: 本发明涉及改善图像质量的摄像器件、摄像装置以及驱动摄像器件的方法。摄像器件包括设置了光电转换元件和电荷转换单元的半导体基板。传感器还可以还包括电容量开关。电荷积累元件邻近于光电转换元件相邻。电荷积累元件的至少一部分与光电转换元件的电荷积累区域重叠。电荷积累单元由电容量开关选择性地连接到电荷-电压转换元件。

公开(公告)号：CN108281434A

公开(公告)日：2018-07-13

申请号：CN201810010650.2

申请日：2018-01-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李光敏 ,  权锡镇 ,  朴惠允 ,  李范硕 ,  任东模

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L27/14645 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14689 ,  H04N5/374 ,  H01L27/14601 ,  H01L21/77 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14625

Abstract: 本发明提供一种图像传感器及其制造方法和CMOS图像传感器，所述图像传感器包括：衬底，其具有彼此相对的第一表面和第二表面；第一浮置扩散区，其设置在衬底中并且与第一表面相邻；穿通电极，其设置在衬底中并且电连接到第一浮置扩散区；顺序层叠在第二表面上的绝缘结构、底部电极、光电转换层和顶部电极；滤色器，其埋置在绝缘结构中；以及顶部接触插塞，其穿透绝缘结构以将底部电极连接到穿通电极。

公开(公告)号：CN108156400A

公开(公告)日：2018-06-12

申请号：CN201810073950.5

申请日：2013-11-07

Applicant: 索尼公司

Inventor： 山下和芳

IPC: H04N5/369 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14607 ,  H01L23/5223 ,  H01L27/00 ,  H01L27/14601 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14614 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14641 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14645 ,  H04N5/374 ,  H04N5/378

Abstract: 本发明涉及改善图像质量的摄像器件、摄像装置以及驱动摄像器件的方法。摄像器件包括设置了光电转换元件和电荷转换单元的半导体基板。传感器还可以还包括电容量开关。电荷积累元件邻近于光电转换元件相邻。电荷积累元件的至少一部分与光电转换元件的电荷积累区域重叠。电荷积累单元由电容量开关选择性地连接到电荷-电压转换元件。

公开(公告)号：CN108063150A

公开(公告)日：2018-05-22

申请号：CN201711437409.X

申请日：2017-12-26

Applicant: 广东欧珀移动通信有限公司

Inventor： 吴安平

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14625 ,  H01L27/14601 ,  H01L27/14649

Abstract: 本发明公开的电子装置包括机壳、输入输出模组、振动模组和压电元件。输入输出模组设置在机壳内，输入输出模组包括封装壳体、红外补光灯、接近红外灯、及接近传感器。封装壳体包括封装基板，红外补光灯、接近红外灯及接近传感器均封装在封装壳体内并承载在封装基板上。红外补光灯与接近红外灯能够以不同的功率向封装壳体外发射红外光线，接近传感器用于接收被物体反射的红外光以检测出物体的距离。振动模组安装在机壳上，压电元件与振动模组结合并与输入输出模组间隔，压电元件用于在被施加电信号时发生形变以使振动模组振动。输入输出模组的集成度较高，体积较小，电子装置采用压电元件和振动模组实现骨传导传声，能够有效保证通话内容的私密性。

公开(公告)号：CN107949924A

公开(公告)日：2018-04-20

申请号：CN201680043617.9

申请日：2016-07-19

Applicant: 南洋理工大学

Inventor： 洪鼎胜 ,  周宇

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14683 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/047 ,  G11C2013/0083 ,  G11C2213/32 ,  H01L27/14601 ,  H01L45/08 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/145 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1641 ,  H01L51/441

Abstract: 提供了一种用于感测光学光线的传感器元件。传感器元件可包括用于电连接到第一电源电压的第一电极，用于电连接到第二电源电压的第二电极，以及在第一电极和第二电极之间的氧化物电介质元件。氧化物电介质元件可以配置为在第一电源电压和第二电源电压之间的电位差超过阈值电平之后形成导电细丝，从而减小氧化物电介质元件的电阻。传感器元件还可以包括检测器。第一电极可以配置为允许光学光线穿过第一电极到氧化物电介质元件。检测器可以配置为在氧化物电介质元件接收到光学光线之后检测氧化物电介质元件的电阻的增加。