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公开(公告)号：CN118367003A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202311091757.1
申请日：2023-08-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了一种图像传感器，其包括：第一基底，具有第一表面和与第一表面相对的第二表面，并且包括像素阵列区域和边缘区域，边缘区域包括第一导电垫；抗反射结构，在第二表面上；像素隔离件，在第一基底中并且限定和分离像素；以及微透镜阵列，设置在抗反射结构上，其中，抗反射结构包括顺序堆叠的第一绝缘层、导电层、第二绝缘层和第三绝缘层，导电层在像素阵列区域上，并且至少不在边缘区域的布置第一导电垫的部分中，并且电压被构造为被施加到导电层。
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公开(公告)号：CN112420756A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202010799900.2
申请日：2020-08-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器包括基板、第一绝缘结构和第二绝缘结构、第一布线结构、贯通通路以及第一连接图案和第二连接图案。基板包括传感器阵列区域和焊盘区域并包括彼此相反的第一表面和第二表面。第一绝缘结构设置在基板的第二表面上并包括面对第二表面的第三表面和与第三表面相反的第四表面。第一布线结构形成在第一绝缘结构中并包括第一导电层和第一通路。贯通通路贯穿焊盘区域中的基板并连接到第一布线结构。第一连接图案连接到第一布线结构。第二绝缘结构设置在第一绝缘结构的第四表面上。第二连接图案连接到第一连接图案。第一导电层包括第一布线和相比于第一布线与基板相隔更远的第二布线。贯通通路接触第二布线。
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公开(公告)号：CN104681571A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201410602284.1
申请日：2014-10-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L31/16 , H01L27/14603 , H01L27/14605 , H01L27/14607 , H01L27/14614 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/1464 , H01L27/14645 , H01L27/14687 , H01L27/14689
Abstract: 本发明提供图像传感器和图像传感器系统。该图像传感器包括：半导体基板，具有沟槽并且具有第一导电类型；光电转换层，形成在沟槽下面的半导体基板中以具有第二导电类型；第一和第二转移栅电极，设置在沟槽中并且被栅极绝缘层覆盖；第一电荷检测层，形成在邻近第一转移栅电极的半导体基板中；以及第二电荷检测层，形成在邻近第二转移栅电极的半导体基板中。
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公开(公告)号：CN108281434B
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN201810010650.2
申请日：2018-01-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L21/77
Abstract: 本发明提供一种图像传感器及其制造方法和CMOS图像传感器，所述图像传感器包括：衬底，其具有彼此相对的第一表面和第二表面；第一浮置扩散区，其设置在衬底中并且与第一表面相邻；穿通电极，其设置在衬底中并且电连接到第一浮置扩散区；顺序层叠在第二表面上的绝缘结构、底部电极、光电转换层和顶部电极；滤色器，其埋置在绝缘结构中；以及顶部接触插塞，其穿透绝缘结构以将底部电极连接到穿通电极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116266601A
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN202211645422.5
申请日：2022-12-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器，包括：衬底，具有彼此相对的第一表面和第二表面；光电二极管，在衬底中；电路和布线结构，在衬底的第一表面下方；绝缘结构，在衬底的第二表面上；多个滤色器，在绝缘结构上；以及网格结构，在绝缘结构上，其中，网格结构的至少一部分在相邻滤色器之间，其中，多个滤色器包括被配置为选择性地透射与不同颜色相关联的不同波长光谱的光的第一滤色器和第二滤色器，其中，绝缘结构包括具有各自不同的第一厚度和第二厚度的第一区域和第二区域以及在第一区域与第二区域之间的边界区域，该边界区域与第一滤色器竖直重叠，并从网格结构的竖直中心轴水平偏移。
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公开(公告)号：CN108696701B
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN201810092712.9
申请日：2018-01-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N5/369 , H04N5/378 , H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器包括：第一光电元件；第一光电元件下方的第二光电元件；以及第二光电元件下方包括第一半导体器件和第二半导体器件的像素电路。第一半导体器件连接到第一光电元件中的至少一个。第二半导体器件连接到第二光电元件中的至少一个。第一半导体器件连接到不同的第一光电元件并且在多个像素区域中的一个像素区域中。
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公开(公告)号：CN116110917A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202211397051.3
申请日：2022-11-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L27/148
Abstract: 一种图像传感器包括包含多个光电转换元件的基板和设置在基板上的可变滤光器层。可变滤光器层包括：多个第一电极，在第一方向上延伸并在第二方向上具有第一宽度；设置在所述多个第一电极上的第一电光材料层；设置在第一电光材料层上的透光电极；设置在透光电极上的第二电光材料层、以及多个第二电极，设置在第二电光材料层上，在第二方向上延伸，并在第一方向上具有第二宽度。
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公开(公告)号：CN108878397A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810442999.3
申请日：2018-05-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L27/30
CPC classification number: H01L27/307 , H01L51/442
Abstract: 提供了一种包括能够增强颜色再现性的有机光电层的图像传感器。根据本发明构思的图像传感器包括含彼此间隔开的多个像素区域和其间的隔离区域的半导体基板。所述多个像素区域的每个具有单位像素。该图像传感器还包括在隔离区域中并围绕单位像素的器件隔离层、第一透明电极层、有机光电层和第二透明电极层。该图像传感器还包括电连接到第一透明电极层并在隔离区域中布置于器件隔离层之间的通路插塞。通路插塞穿过隔离区域。第一透明电极层、有机光电层和第二透明电极层顺序地布置在半导体基板之上。
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公开(公告)号：CN104681571B
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：CN201410602284.1
申请日：2014-10-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L31/16 , H01L27/14603 , H01L27/14605 , H01L27/14607 , H01L27/14614 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/1464 , H01L27/14645 , H01L27/14687 , H01L27/14689
Abstract: 本发明提供图像传感器和图像传感器系统。该图像传感器包括：半导体基板，具有沟槽并且具有第一导电类型；光电转换层，形成在沟槽下面的半导体基板中以具有第二导电类型；第一和第二转移栅电极，设置在沟槽中并且被栅极绝缘层覆盖；第一电荷检测层，形成在邻近第一转移栅电极的半导体基板中；以及第二电荷检测层，形成在邻近第二转移栅电极的半导体基板中。
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