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公开(公告)号：CN109994496B
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN201910171116.4
申请日：2017-09-01
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开提供了半导体器件。一种半导体器件可以包括：第一传感器，配置为从入射光感测具有在第一波长范围内的波长的光并基于所感测的光产生第一电信号；和第二传感器，配置为从入射光感测具有在不同的第二波长范围内的波长的光并基于所感测的光产生第二电信号。第一传感器和第二传感器可以经由中间连接器彼此电连接，并且第一传感器和第二传感器可以共用经由中间连接器电连接到其的像素电路。第一波长范围和第二波长范围可以分别包括红外波长范围和可见波长范围。第一波长范围和第二波长范围可以包括不同的可见波长范围。
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公开(公告)号：CN107017229B
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN201610847066.3
申请日：2016-09-23
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 权杜原
IPC: H01L23/538 , H01L25/04 , H01L27/146
Abstract: 本公开涉及半导体器件。一种半导体器件包括：包括由第一通路互连的多个第一金属层的第一集成电路衬底；以及在第一集成电路衬底上且包括由第二通路互连的第二金属层的第二集成电路衬底。绝缘层被布置在第一集成电路衬底和第二集成电路衬底之间，连接区被布置在绝缘层中并且将第一金属层中的第一个电连接到第二金属层中的第一个。所述器件还包括在第二集成电路衬底上的键合焊盘以及从键合焊盘延伸并进入第二集成电路衬底内以接触第二金属层中的第二个的贯通通路。贯通通路被安置从而不重叠第一通路、第二通路和连接区中的至少一个。制造这样的器件的方法也被描述。
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公开(公告)号：CN107017271A
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201611051121.4
申请日：2016-11-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L25/0657 , B60H1/00764 , B60H1/00828 , B60H1/321 , B60H2001/3248 , B60H2001/3258 , B60K11/06 , F01P7/048 , F01P11/20 , F01P2050/24 , H01L24/02 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L2224/02331 , H01L2224/16014 , H01L2224/16145 , H01L2224/17106 , H01L2224/32012 , H01L2224/32145 , H01L2224/48091 , H01L2224/73203 , H01L2225/06513 , H01L2225/06524 , H01L2225/06541 , H01L2225/06548 , H01L2225/06565 , H01L2924/00014
Abstract: 一种半导体器件包括芯片层叠结构，该芯片层叠结构包括第一半导体芯片和堆叠在第一半导体芯片上的第二半导体芯片。第一半导体芯片包括第一基板、在第一基板的前表面上的第一电路层、和设置在第一电路层上并包括电连接到第一电路层的第一金属垫的第一连接层。第二半导体芯片包括第二基板、在第二基板的前表面上的第二电路层、和设置在第二电路层上并包括电连接到第二电路层的第二金属垫的第二连接层。第一连接层面对第二连接层。第一金属垫和第二金属垫彼此接触以将第一和第二半导体芯片彼此联接。
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公开(公告)号：CN110246852B
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN201910041867.4
申请日：2019-01-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 公开了一种三维(3D)图像传感器。该3D图像传感器包括具有上部像素的第一基板。上部像素包括光电元件以及与光电元件连接的第一光电门和第二光电门。第二基板包括与上部像素相对应的下部像素，第二基板沿竖直方向与第一基板间隔开。下部像素包括发送由第一光电门提供的第一信号的第一转移晶体管。第一源极跟随器根据第一信号产生第一输出信号。第二转移晶体管发送由第二光电门提供的第二信号。第二源极跟随器根据第二信号产生第二输出信号。第一接合导体和第二接合导体布置在第一基板和第二基板之间，并且将上部像素与下部像素电连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109698209B
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN201811220154.6
申请日：2018-10-19
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 权杜原
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种堆叠互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器包括：第一半导体芯片，在第一半导体芯片中，多个像素以二维阵列结构位于上部区域中，并且第一布线层位于下部区域中；以及第二半导体芯片，在第二半导体芯片中，第二布线层布置在上部区域中，并且逻辑元件位于下部区域中，其中第一半导体芯片通过第一布线层的最下部中的第一焊盘绝缘层中的第一金属焊盘与第二布线层的最上部中的第二焊盘绝缘层中的第二金属焊盘之间的连接而联接到第二半导体芯片，以及其中金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器在第一焊盘绝缘层和第二焊盘绝缘层中的至少一个中。
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公开(公告)号：CN112420756A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202010799900.2
申请日：2020-08-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器包括基板、第一绝缘结构和第二绝缘结构、第一布线结构、贯通通路以及第一连接图案和第二连接图案。基板包括传感器阵列区域和焊盘区域并包括彼此相反的第一表面和第二表面。第一绝缘结构设置在基板的第二表面上并包括面对第二表面的第三表面和与第三表面相反的第四表面。第一布线结构形成在第一绝缘结构中并包括第一导电层和第一通路。贯通通路贯穿焊盘区域中的基板并连接到第一布线结构。第一连接图案连接到第一布线结构。第二绝缘结构设置在第一绝缘结构的第四表面上。第二连接图案连接到第一连接图案。第一导电层包括第一布线和相比于第一布线与基板相隔更远的第二布线。贯通通路接触第二布线。
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公开(公告)号：CN110838498A
公开(公告)日：2020-02-25
申请号：CN201910724715.4
申请日：2019-08-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 公开了一种图像传感器，其包括包含多个像素的第一基板、在每个像素处的第一基板中的光电转换区域、第一基板上的第一电容器、以及与第一电容器间隔开并围绕第一电容器的屏蔽结构。
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公开(公告)号：CN110246852A
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201910041867.4
申请日：2019-01-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 公开了一种三维(3D)图像传感器。该3D图像传感器包括具有上部像素的第一基板。上部像素包括光电元件以及与光电元件连接的第一光电门和第二光电门。第二基板包括与上部像素相对应的下部像素，第二基板沿竖直方向与第一基板间隔开。下部像素包括发送由第一光电门提供的第一信号的第一转移晶体管。第一源极跟随器根据第一信号产生第一输出信号。第二转移晶体管发送由第二光电门提供的第二信号。第二源极跟随器根据第二信号产生第二输出信号。第一接合导体和第二接合导体布置在第一基板和第二基板之间，并且将上部像素与下部像素电连接。
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公开(公告)号：CN107799540A
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201710780809.4
申请日：2017-09-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14647 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14636 , H01L27/14652 , H04N5/332 , H04N9/04 , H01L27/14645 , H01L27/1465
Abstract: 本公开提供了半导体器件。一种半导体器件可以包括：第一传感器，配置为从入射光感测具有在第一波长范围内的波长的光并基于所感测的光产生第一电信号；和第二传感器，配置为从入射光感测具有在不同的第二波长范围内的波长的光并基于所感测的光产生第二电信号。第一传感器和第二传感器可以经由中间连接器彼此电连接，并且第一传感器和第二传感器可以共用经由中间连接器电连接到其的像素电路。第一波长范围和第二波长范围可以分别包括红外波长范围和可见波长范围。第一波长范围和第二波长范围可以包括不同的可见波长范围。
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